11. 築地伸和, 青木均, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 90nm NMOSFET における, 経時温度劣化特性シミュレーション用 HCI ゲートリーク電流モデルの研究電気学会電子回路研究会 ECT 横須賀 (2015 年 7 月 2 日 ) 12. 東野将史,

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あきおひらみね
5 years ago
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1 国内外学会口頭発表研究発表 ( 査読なし ) 1. 高橋莉乃青木均築地伸和小林春夫ドレイン抵抗劣化の新モデルを用いた LDMOS 信頼性シミュレーションの提案第 8 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 (2018 年 3 月 1 日,2 日 )( 論文賞受賞 ). 2. 高橋莉乃 ( 群馬大学 ), 青木均 ( 帝京平成大学 ), 築地伸和, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫 ( 群馬大学 ) 90nm NMOSFET の速度飽和パラメータ新抽出方法 LSI とシステムのワークショップ 2017, ポスターセッション東京 (2017 年 5 月 15 日 ) 3. 高橋莉乃, 青木均, 築地伸和, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫 90nmN チャネル MOSFET での飽和速度パラメータ抽出の新アプローチ第 7 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会於足利工業大学 2017 年 3 月 2 日 ( 木 ),3 月 3 日 ( 金 ). 4. 澁谷将平, 青木均, 坂入寛之, 黒田尚孝, 築地伸和, 栗原圭汰, 近松健太郎, 東野将史, 高橋莉乃, 小林春夫, 中原健埋め込みソースフィールドプレートを有する AlGaN/GaN MIS-HEMT デバイスの小信号 AC 特性モデルの開発第 7 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会於足利工業大学 2017 年 3 月 2 日 ( 木 ),3 月 3 日 ( 金 ). 5. 栗原圭太青木均築地伸和渋谷将平小林春夫, Research on Electron Mobility Model for AlN/GaN MIS-HEMTs The 13th IEEE TOWERS (Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers), 東京農工大学 (2016 年 12 月 3 日 ). 6. 築地伸和青木均香積正基戸塚拓也澁谷将平, 東野将史栗原圭汰小林春夫, HCI による LDMOS の特性劣化シミュレーションのための物理ベース最大電界モデルの研究第 6 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 (2016 年 3 月 )( 論文賞受賞 ) 7. 戸塚拓也, 青木均, 築地伸和, 香積正基, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫, LDMOS の信頼性モデリングにおける,HiSIM-HV モデルを用いたオン抵抗の劣化モデルの開発第 6 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 (2016 年 3 月 ) 8. 香積正基青木均築地伸和戸塚拓也東野将史小林春夫, IGBT のスイッチング特性におけるマクロモデリングの研究第 6 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 (2016 年 3 月 ) 9. 戸塚拓也, 青木均, 築地伸和, 香積正基, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫, HiSIM HV を用いたオン抵抗の劣化モデルの開発電気学会電子回路研究会, ECT , 東京都市大学 (2016 年 3 月 ) 10. 戸塚拓也香積正基青木均小林春夫, 半導体デバイスモデリング技術第 62 回システム LSI 合同ゼミ早稲田大学西早稲田キャンパス (2016 年 1 月 )

2 11. 築地伸和, 青木均, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 90nm NMOSFET における, 経時温度劣化特性シミュレーション用 HCI ゲートリーク電流モデルの研究電気学会電子回路研究会 ECT 横須賀 (2015 年 7 月 2 日 ) 12. 東野将史, 青木均, 築地伸和, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 戸塚拓也, 小林春夫, HCI による LDMOS の信頼性シミュレーションに使用する最大電界モデルの研究, 電気学会電子回路研究会 ECT 横須賀 (2015 年 7 月 2 日 ) 13. 戸塚拓也, 青木均, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 東野将史, 小林春夫, 90nm n-channel MOSFET の Hot Electron Stress による経時劣化特性モデル化に関する研究第 5 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2015 年 3 月 2 日 ( 月 )3 月 3 日 ( 火 )9 時 ~15 時 14. 轟俊一郎, 青木均, 安部文隆, 新井薫子, Khatami Ramin, 香積正基, 戸塚拓也, 小林春夫, VCO における位相雑音信頼性シミュレーションについての研究第 5 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2015 年 3 月 2 日 ( 月 )3 月 3 日 ( 火 )9 時 ~15 時 15. 新井薫子, 青木均, 安部文隆, 轟俊一郎, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, N チャネル MOSFET のノイズ発生理論に基づくゲート電圧依存 1/f ノイズばらつきモデルの検討第 5 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2015 年 3 月 2 日 ( 月 )3 月 3 日 ( 火 )9 時 ~15 時 16. 築地伸和, 青木均, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, LDMOS の経時温度劣化特性解析とモデル化に関する研究第 5 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2015 年 3 月 2 日 ( 月 )3 月 3 日 ( 火 )9 時 ~15 時 17. 轟俊一郎青木均小林春夫 VCO における位相雑音信頼性シミュレーションの為の NMOSFET1/f ノイズばらつき / 劣化モデルの開発 STARC シンポジウム学生ポスターセッション横浜 (2015 年 1 月 30 日 ) 18. Shunichiro Todoroki, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Khatami Ramin, Yukiko Arai, Masaki Kazumi, Takuya Totsuka, and Haruo Kobayashi, Phase Noise Performance Analysis of VCO Circuits, 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center.

3 19. Yukiko Arai, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Shunichiro Todoroki, Ramin Khatami, Masaki Kazumi, Takuya Totsuka, Taifeng Wang and Haruo Kobayashi, Research on Gate Voltage Dependent 1/f Noise Variance Modeling for n-channel MOSFETs, 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center. 20. Masaki Kazumi, Hitoshi Aoki, Yukiko Arai, Shunichiro Todoroki, Ramin Khatami, Takuya Totsuka, Fumitaka Abe and Haruo Kobayashi, Research on Precision IGBT Macro-Model Considering Operation Temperature, 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center. 21. Takuya Totsuka, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Khatami Ramin, Yukiko Arai,Shunichiro Todoroki, Masaki Kazumi, Wang Taifeng and Haruo Kobayashi, Reliability Modeling on 90 nm n-channel MOSFETs with BSIM4 Dedicated to HCI Mechanisms, 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center. 22. 香積正基青木均新井薫子 Khatami Ramin 轟俊一郎戸塚拓也安部文隆小林春夫 IGBT の静特性における複数のプロセスデバイス特性を考慮した高精度マクロモデルの研究電気学会電子回路研究会秋田 (2014 年 10 月 9 日 1 0 日 ) 23. 戸塚拓也青木均安部文隆 Khatami Ramin 新井薫子轟俊一郎香積正基王太峰小林春夫 BSIM4 による 90nm n-channel MOSFET の Hot Electron の劣化特性モデル化に関する研究電気学会電子回路研究会島根 (2014 年 7 月 3 日 4 日 ) 24. 香積正基, 安部文隆, Khatami Ramin, 新井薫子, 轟俊一郎, 戸塚拓也, 青木均, 小林春夫 IGBT の高精度マクロモデルの研究第 4 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日 ( 月 ), 3 月 4 日 ( 火 ) 群馬大学理工学部 ( 桐生キャンパス )( 優秀賞受賞 ) 25. 戸塚拓也, 安部文隆, Khatami Ramin, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 王太峰, 青木均, 小林春夫 ( 群馬大学 ) BSIM4 による 90nmn-channel MOSFET の Hot Electron の劣化特性モデル化に関する研究第 4 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日 ( 月 ), 3 月 4 日 ( 火 ) 群馬大学理工学部 ( 桐生キャンパス )

4 26. 轟俊一郎, 安部文隆, KhatamiRamin, 新井薫子, 香積正基, 戸塚拓也, 青木均, 小林春夫 N チャネル MOSFET のゲート電圧による 1/f ノイズばらつきモデルについての検討第 4 回電気学会東京支部栃木群馬支所合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日 ( 月 ), 3 月 4 日 ( 火 ) 群馬大学理工学部 ( 桐生キャンパス )( 優秀賞受賞 ) 27. 轟俊一郎, 安部文隆, ハタミラミン, 新井薫子, 香積正基, 戸塚拓也, 青木均, 小林春夫 n チャネル MOSFET のゲート電圧による 1/f ノイズばらつきモデルの検討電気学会電子回路研究会 ECT 金沢 (2014 年 1 月 23 日 ) 28. 青木均, Ramin Khatami, 小林春夫オンウエハーテストベース RF-CMOS の統計モデリング手法に関する研究電子情報通信学会機能集積情報システム研究会 ((FIIS: Functional Integrated Information System) 桐生 (2013 年 7 月 5 日 ) 29. 青木均 ( モーデック, 群馬大学 ), 小林春夫 ( 群馬大学 ) RF アナログ回路設計のための Nominal CMOS スキューイング手法電気学会電子回路研究会 ECT 明治大学 (2013 年 3 月 7 日 ) 30. 青木均 ( 株 ) モーデック, 小林春夫 ( 群馬大学 ) RF アナログ回路設計のための MOSFET Nominal モデルのスキューイング手法電子情報通信学会第 32 回シリコンアナログ RF 研究会中央大学 (2013 年 3 月 4 日 ) 31. Hitoshi Aoki, Haruo Kobayashi, A New Self-heat Modeling Approach for LDMOS Devices, 5th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec 青木均, 小林春夫, 電子ペーパーのシステムシミュレータ開発に関する研究 STARC Workshop 2013, no. 2,Sep 青木均, Ramin Khatami, 小林春夫, オンウエハーテストベース RF-CMOS の統計モデリング手法に関する研究電子情報通信学会機能集積情報システム研究会, Jul 青木均, 小林春夫, RF アナログ回路設計のための Nominal CMOS スキューイング手法電気学会電子回路研究会 vol. 1 頁青木均, 小林春夫, RF アナログ回路設計のための MOSFET Nominal モデルのスキューイング手法電子情報通信学会集積回路研究専門委員会第 32 回シリコンアナログ RF 研究会 vol K. Andou, T. Shibuya, M. Shimasue, S. Amemiya, H. Aoki, S. Yasunobu, ファジィ仕様にもとづく知的回路設計方式の提案, 計測自動制御学会システム情報部門学術講演会, Dec 青木均, 1/f ノイズからの CMOS オペアンプ回路のノイズ高精度モデリング, 電子情報通信学会第 2 種研究会 LSI とシステムのワークショップ, Jul

5 38. 青木均, CMOS デバイスモデリング, 社団法人電子情報技術産業協会知的基盤部技術戦略グループ, Dec 青木均, RF-CMOS に対応した統計解析モデリング, 電気学会アナログ電子回路の設計支援技術調査専門委員会, Feb 青木均, 最新 MOSFET デバイスモデリングとシミュレーション電子情報通信学会誌, vol. 91, no. 1, (2007), pp 中川昌幸, 吉崎智史, 宋在烈, 張偉弦, 奈良安雄, 安平光雄, 大塚文雄, 有門経敏, 中村邦雄, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 青木均, 岩井洋, Sub-100nm High-k MOSFET の高周波歪み特性, 応用物理学会大会, Mar Hitoshi Aoki, The Importance of Good MOSFET Compact Models, Compact Modeling Council, Semiconductor Research C., U.S.A, Feb

6 その他招待講演, チュートリアル講師等 1. 青木均, FET モデリングのコツ日経 BP 技術者塾, 日経 BP 社 (2016 年 3 月 22 日 ) 2. 青木均, 高精度自動集積回路設計のためのシリコントランジスタモデリング日経 BP 技術者塾, 日経 BP 社 (2015 年 8 月 27 日 8 月 28 日 ) 3. 青木均, インターフェーストラップと移動度変動による,n チャネル MOSFET の 1/f ノイズプロセスばらつきモデリング電子情報通信学会第 28 回回路とシステムワークショップ淡路島 (2015 年 8 月 3 日 ) 4. 青木均, ナノスケール MOSFET モデルの技術動向について, 高度化アナログ電子回路の高能率化設計技術調査専門委員会, 電気学会, Dec 青木均, ナノメータ MOSFET 用チャージベースモデル,BSIM6 の特徴と評価について, 高度化アナログ電子回路の高能率化設計技術調査専門委員会, 電気学会, Nov 青木均, Spectre を用いた, 経時発熱による集積回路信頼性モデリングに関する研究紹介, CDNLive Japan, Cadence Design Systems, Jul 青木均, Smartphone を利用したシミュレータ開発, モバイルコンピューテーション技術の展望セミナー, トリケップス, Nov 青木均, ナノ CMOS 物性とモデル, Cadence Japan DA Show, Jul 青木均, 1/f ノイズからの CMOS オペアンプ回路のノイズ高精度モデリング, 電子情報通信学会第 2 種研究会 LSI とシステムのワークショップ, Jul 青木均, CMOS デバイスモデリング, 社団法人電子情報技術産業協会知的基盤部技術戦略グループ, Dec 青木均, RF-CMOS に対応した統計解析モデリング, 電気学会アナログ電子回路の設計支援技術調査専門委員会, Feb 青木均, アモルファス TFT のモデリング, Shin-tech Technical Seminar, Oct 青木均, DFM のための統計モデリング, Cadence Japan DA Show, Jul 青木均, 最先端デバイスモデリング技術, Cadence Japan DA Show, Jul 青木均, 高耐圧 MOSFET モデリング技術, Cadence Japan DA Show, Jul Hitoshi Aoki, Model Parameter Extractions for Recent CMOS Devices, Tutorial Short Course, IEEE 2001 Int. Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Mar Hitoshi Aoki, The Importance of Good MOSFET Compact Models, Compact Modeling Council, Semiconductor Research C., U.S.A., Feb ( 米国 SPICE モデル標準化委員会 ). 他 10 件

することを意図している.[5] 本 HCIモデルはInterface Trap Number を算出しており,キャリアの移動度についても導出をが作成されドレインから拡散する.したがってH 原子は界面トラップ数の平均数として計算で

することを意図している.[5] 本 HCIモデルはInterface Trap Number を算出しており,キャリアの移動度についても導出をが作成されドレインから拡散する.したがってH 原子は界面トラップ数の平均数として計算で BSIM4 による 90nm n-channel MOSFET の Hot Electron の劣化特性モデル化に関する研究戸塚拓也 * 青木均安部文隆 Khatami Ramin 新井薫子轟俊一郎香積正基王太峰小林春夫 ( 群馬大学 ) BSIM4 Modeling of 90nm n-mosfet Characteristics