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High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

Frontier Simulation Software for Industrial Science

PACS-CS FIRST 2005 2005 2 16 17 2 28 2 17 2 28 3 IT IT H14~H16 CHASE CHASE-3PT Protein Protein-DF ABINIT-MP 17 2 28 4 CMOS Si-CMOS CMOS-LSI CMOS ATP 10nm 17 2 28 5 17 2 28 6 CMOS CMOS-LSI LSI 90nm CMOS

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

GJG160842_O.QXD

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

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1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

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untitled

技術会議資料

La-Mg-Ni 2 H 2 O e - e - H OH - H + e - H H 2 O OH - H + e - O H O Ni Ni O H O H 3 La, Pr, Nd, etc. Ni, Co, Mn, Al, etc. 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 H/M Equilibrium Hydrogen Pressure MPa (MPa) 10 1 0.1 0.01 0.001

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27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

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立命館 SR センター公開シンポジウム 軟 X 線分光を用いた二次電池研究の最先端 016.11.11 Li MnO 正極材料の酸素による電荷補償の 直接観察 大石昌嗣 / Masatsugu Oishi 徳島大学大学院理工学研究部機械科学系エネルギーシステム分野 1 Energy 次世代 LIB: 高電位, 高容量の理解 V (V) W (Wh/kg) Q (Ah/kg) V : 高電位での電気化学

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/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

10 117 5 1 121841 4 15 12 7 27 12 6 31856 8 21 1983-2 - 321899 12 21656 2 45 9 2 131816 4 91812 11 20 1887 461971 11 3 2 161703 11 13 98 3 16201700-3 - 2 35 6 7 8 9 12 13 12 481973 12 2 571982 161703 11

0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2

24 11 10 24 12 10 30 1 0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2 23% 29% 71% 67% 6% 4% n=1525 n=1137 6% +6% -4% -2% 21% 30% 5% 35% 6% 6% 11% 40% 37% 36 172 166 371 213 226 177 54 382 704 216

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254nm UV TiO 2 20nm :Sr 5 Ta 4 O 15 3 4 KEY-1 KEY-2 (Ti,Nb,Ta) 5 KEY-1 KEY-2 6 7 NiO/ Sr 2 Ta 2 O 7 mmol h -1 g -1 20 15 10 5 H 2 O 2 H 2 O 2 0 0 2 4 6 8 10 12 NiO/Sr 2 Ta 2 O 7 The synthesis of photocatalysts

2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO

1 [1]. Zn + 2 H + Zn 2+,. K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb H Cu Hg Ag Pt Au H (H + ),,. [2] ( ) ( ) CO 2, S, SO 2, NH 3 () + () () + () FeS Fe S ( ) + ( ) ( ) + ( ) 2 NH 4 Cl + Ca(OH) 2 Ca O + 2 NH 3,.,,.,,.,.

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70

Encore SSIS 10 c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2 SSIS 24 SSISPR

PRESENT STATUS OF SPring-8 PRESENT STATUS OF SPring-8 938 886 772 751 733 643 619 621 582 595 563 562 502 520 457 472 431 424 392 409 380 305 326 258 229 246 198 134 XAFS PRESENT STATUS OF SPring-8 PRESENT

muramatsu_ver1.key

229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

4 1 Ampère 4 2 Ampere 31

4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2

１章

... 1... 1... 1... 2... 2... 3... 3... 6... 10... 14... 18... 19... 20... 23... 29... 29... 33... 40... 47... 48... 48... 54... 54... 59... 61 ... 63... 65... 65... 66... 66... 69... 71... 107 1 2 3 //

untitled

2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

_XAFS_ichikuni

Applied Chemistry and Biotechnology Many elements can be a candidate for developing the active catalyst. However, there are some restrictions such as cost, abundance, etc. Platinum group metals show the

X線分析の進歩36 別刷

X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group

untitled

2005 2 1 105-0004 5-34-3 Tel: 03-3431-4002 Fax: 03-3431-4044 1 SRL/ISTEC 1 1 SFQ SFQ SFQ 2004 9 4 SFQ SFQ / LSI 269 230 230 230 269 230 SFQ SFQ 2005 2 ISTEC 2005 All rights reserved. - 1 - 2005 2 1 105-0004

cm H.11.3 P.13 2 3-106-

H11.3 H.11.3 P.4-105- cm H.11.3 P.13 2 3-106- 2 H.11.3 P.47 H.11.3 P.27 i vl1 vl2-107- 3 h vl l1 l2 1 2 0 ii H.11.3 P.49 2 iii i 2 vl1 vl2-108- H.11.3 P.50 ii 2 H.11.3 P.52 cm -109- H.11.3 P.44 S S H.11.3

E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II

E 7, 8, 9 E-1 A, B B A, A, A,, [Novoselov, et al., Science 306, 666, (2004)].,,,.,,,.,. (t a, t b, t c ), [PRB.74, 033413, (2006)],.,, t b /t a t c /t a 0.5., [Ni, etal., ACS, Nano2, 2301, (2008)],, [Zhou

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

B

B07557 0 0 (AGN) AGN AGN X X AGN AGN Geant4 AGN X X X (AGN) AGN AGN X AGN. AGN AGN Seyfert Seyfert Seyfert AGN 94 Carl Seyfert Seyfert Seyfert z < 0. Seyfert I II I 000 km/s 00 km/s II AGN (BLR) (NLR)

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第 1 回 SPring-8 カ ラス セラミックス研究会 (2010/8/27) ソーダライムガラス中の鉄イオンの 構造解析 XAFS 解析からの試み 日本板硝子株式会社技術研究所 a 兼 BP 研究開発部 b 長嶋廉仁 a, b 白木康一 a 2 目次 1. 実用ガラスにとっての鉄イオンの構造の重要性 2. ガラス中での鉄イオンの構造光吸収およびその他の方法による解析 3. XAFS 測定からの解析の試み

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

5

JSplus23蜿ｷ.indd

国文研ニューズ35.indd

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

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(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

表紙

27.\..

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

8 8 0

,07,,08, 8 8 0 7 8 7 8 0 0 km 7 80. 78. 00 0 8 70 8 0 8 0 8 7 8 0 0 7 0 0 7 8 0 00 0 0 7 8 7 0 0 8 0 8 7 7 7 0 j 8 80 j 7 8 8 0 0 0 8 8 8 7 0 7 7 0 8 7 7 8 7 7 80 77 7 0 0 0 7 7 0 0 0 7 0 7 8 0 8 8 7

BIT -2-

2004.3.31 10 11 12-1- BIT -2- -3-256 258 932 524 585 -4- -5- A B A B AB A B A B C AB A B AB AB AB AB -6- -7- A B -8- -9- -10- mm -11- fax -12- -13- -14- -15- s58.10.1 1255 4.2 30.10-16- -17- -18- -19-6.12.10

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

Microsoft Word - 章末問題

1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =

SRI106-5.indd

SRI 2012.3 No.106 237 SRI 2012.3 No.106 238 SRI 2012.3 No.106 239 240 SRI 2012.3 No.106 SRI 2012.3 No.106 241 242 SRI 2012.3 No.106 SRI 2012.3 No.106 243 244 SRI 2012.3 No.106 SRI 2012.3 No.106 245 246

% 1% SEM-EDX - X Si Ca SEM-EDX SIMS ppm % M M T 100 % 100 % Ba 1 % 91 % 9 % 9 % 1 % 87 % 13 % 13 % 1 % 64 % 36 % 36 % 1 % 34 46

Review on Hair Analysis in the Wakayama Arsenic Case Jun KAWAI Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan Received 6 December 2014, Revised 29 December

-------------------------------------------------------------------------------------------------- 1 ----------------------------------------- 3 --------------------------------------------------------------------------------

1

12-7 12-7 12-7 12-7 12-8 12-10 12-10 12-10 12-11 12-12 12-12 12-14 12-15 12-17 12-18 10 12-19 12-20 12-20 12-21 12-22 12-22 12-23 12-25 12-26 12-26 12-29 12-30 12-30 12-31 12-33 12-34 12-3 12-35 12-36

03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf

89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!

Undulator.dvi

X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B

日本電子News vol.44, 2012

(1) (kn/m 3 )

1 1 1.1 1.1.1 (1) 1.1 1.2 1.1 (kn/m 3 ) 77 71 24.5 23 21 8.0 22.5 2 1 1.2 N/m 2 2 m 3 m 2000 2200 2500 3000 (2) 1 A B B 1.3 1.5 1.1 T cm 1.1 3 1.3 L m L 4 L > 4 1.0 L 32 + 7 8 1.2 T 4 1 2 5.0 kn/m 2 3.

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

2357

90 0 4

90 0 4 6 4 GR 4 7 0 5 8 6 9 0 4 7 00 0 5 8 0 6 9 4 7 0 5 8 6 9 0 4 7 00 0 5 8 0 6 9 4 7 0 5 8 6 9 0 4 7 00 0 5 8 0 6 9 0 0 4 5 6 7 0 4 6 4 5 7 5 6 7 4 5 6 4 5 6 7 4 5 7 4 5 6 7 8 9 0 4 5 6 7 5 4 4

元素分析

: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P

untitled

2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

56cm 1 15 1960 2 8 2 2 1 2008 1992 2 1992 2 3562mm 3773mm 2 1980 1991 2008 2007 2003 5 2 3 2003 2005 2008 2010 2005 2008 2012 2010 2012 4 7 4 5 2 1975 1994 8 2008 NPO 2 2010 3 2013 2016 3 2008 2009 14

H8.6 P.4-202-

untitled

20073-1- 3 4 5 9 12 14 17-2- 3,700ha 30,000t -3- 1t 70 50 40 C/N -4- 20011228 C/N 13 2001 2cm 1t 60 70 60-5- 70 1t -6- 2003131 ph EC T-C T-N C/N P2O5 K2O CaO MgO HO 2 ms % % % % % % % 8.52 0.64 74.9 44.9

< F836F A815B934B8D87955C E706466>

92897 92893 10,000 92894 10,600 92895 11,300 92896 11,900 92897 11,900 92898 15,200 2 92888 92873 4,200 92874 4,200 92875 7,000 92876 7,000 92877 7,000 92878 8,800 92879 8,800 92880 13,300 92881 8,800

158 A (3) X X (X-raystressmeasurement) X X 10μm (4) X X (neutron stress measurement) X (5) (magnetostriction) (magnetostriction stress measurem

A 1) A.1 (point-by-point measurement) (full-field measurement) A.1 A.2 A.1.1 (1) (electric resistance strain meter) 0.2ο120mm 1 10 6 (2) 2 2 (extensometer) 157 158 A (3) X X (X-raystressmeasurement) X

From Evans Application Notes

3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2

2

表面化学_ pptx

1 n 表面の緩和 物理的な緩和 表面原子やイオンの格子位置からの変動 表面原子の再配列 物理吸着と化学吸着 化学的な緩和 n 実在表面 表面化学 (10/10( 金 ) 2 限 ) 最新の研究成果の紹介 Low Energy Ion Scattering (LEIS) による表面観察 (La(Sr)Co(Fe)O 3 の Sr の表面凝集 PrNi(Cu,Ga)O 4 への Au 添加効果 ) n

放射線化学, 97, 29 (2014)

20 5 Absorption spectra of biomolecules over wide energy range are very important to study their radiation effects in terms of the optical approximation proposed by Platzman. Using synchrotron radiation

untitled

10 23 11 1 1 (3) 40 0 2,861 2,697 571 6.041 75,628 6,062 229 442 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 JIS B 856230 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 1 25 NTT au NTT i NTT au NTT 26 27 161 (17,102 )10 23 25 (FM)

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

PISA

コロイド化学と界面化学

x 25 1 kg 1 kg = 1 l mmol dm -3 ----- 1000 mg CO 2 -------------------------------------250 mg Li + --------------------------------1 mg Sr 2+ -------------------- 10

豪雨・地震による土砂災害の危険度予測と 被害軽減技術の開発に向けて

地域開発の事後的分析 －経済指標と社会指標による考察－

6 5 1 (1) 44 2 611 612 2-66 - 611 45 612 3 2 16 13611 2 45 1 5 23 3-6 - 613 2 3 614 615 616-68 - 61 618 619 1 611-69 - 24 51 51 2 3 2 1 4 84 1ha 55 2 II 613 2 2 16 22628 23 - - 621 15 1 23 8 2 3 2 1.8

fma20.PDF

PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

Synthesis and Property of the Mn Doped Oxide Red Phosphors in the Calcium Aluminates Koji INOUE, Shinya IWATA and Shinobu HASHIMOTO Recently, the deve

Synthesis and Property of the Mn Doped Oxide Red Phosphors in the Calcium Aluminates Koji INOUE, Shinya IWATA and Shinobu HASHIMOTO Recently, the development of new sulfide-free phosphors with high efficiency

150518_shin_gakujutsu

γ ( ) 3 B2 215 5 18 @ 1 KamLAND ( ) Double Chooz ( / ) CANDLES ( ) ~ Double Chooz: (θ13 ) (νe + p e + + n) BG BG CANDLES: (5-1MeV) (n,γ) 2 (n,γ) CANDLES (n,γ) Geant4 (n,γ) 3 (n,γ) : γ n + A ZX ( A+1 ZX)*

1 2

2002 715 02-13M 1. 200110 024 2. 3. 4. 100 60 5. 6. 2002715 1 1 1 4 9 9 12 12 13 14 14 15 15 17 17 18 22 22 23 25 25 25 29 200110 024 3 1 1965 500 800 3,000 2,000 1 1 60 2.84 1.173 1 2002 71 1,726 1,085

かんたん操作ガイド[arrows M02]

かんたん操作ガイド[arrows RM02]

2005101 2

かんたん操作ガイド[arrows M03]

10 IDM NEC

No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3

untitled

/, S=1/2 S=0 S=1/2 - S// m H m H = S G e + + G Z (t) 1 0 t G Z (t) 1 0 t G Z (t) 1 0 t SR G Z (t) = 1/3 + (2/3)(1-2 t 2 )exp(- 2 t 2 /2) G Z (t) 1-1/3 1/3 0 3/ 3/ t G Z (t)

untitled

(1) (2) (3) (4) 2

F BP (PL) 1 (1) (2) (3) (4) 2 1 61 JR JR ASC2004 ISS 3 (1) 2 2 3 2 2 2 123 1 2 3 7 1 1 77K 3 10 A/cm 2 77K 3 3 3 3 3 10 A/cm 2 123 4 d- Jc 2 77K 3 10 A/cm 2 6.5 77K 3 2 4 2 5 77K 29K 17 46K 10 2.6 77K

1 (1) (2) 2

FC EV FC EV R&D JFE JFE JFE 2

CS CS METI NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO 1 FC EV FC EV R&D JFE JFE JFE 2 MB MB 2 Gr NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO NEDO 27 A-1 A-2 (1) 3 (2) B-1 D-1 (1) (2) (3) B-2 (1) 70MPa (2) (3) D-2 (1) -

X線分析の進歩 39　別刷

On Intrinsic and Extrinsic Origin of Plasmon Peaks Shoichi TAKAYAMA and Jun KAWAI 2-8-1 112-8681 PRESTO-JST 5 12-75 Copyright The Discussion Group of X-Ray Analysis, The Japan Society for Analytical Chemistry

森林航測87号