Front End Processes 新材料導入によるブレークスルーとその課題 主査 : 窪田通孝 ( ソニー ) *: : 国際対応 副主査 : 丹羽正昭 ( 松下 )* 豊島義明 / 水島一郎 ( 東芝 ) 幹事 : 中西俊郎 ( 富士通研 ) 委員 : 武田安弘 ( 三洋 ) 池田修二 (
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- あおい ふじした
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1 Front End Processes 新材料導入によるブレークスルーとその課題 主査 : 窪田通孝 ( ソニー ) *: : 国際対応 副主査 : 丹羽正昭 ( 松下 )* 豊島義明 / 水島一郎 ( 東芝 ) 幹事 : 中西俊郎 ( 富士通研 ) 委員 : 武田安弘 ( 三洋 ) 池田修二 ( トレセンティーテクノロジーズ ) 内田英次 ( 沖 ) 宮武浩 / 藤原伸夫 ( 三菱 ) 北島洋 (Selete) 北野友久 (NEC エレクトロニクス ) 三冨士道彦 ( ローム ) 特別委員 : 河村誠一郎 ( 産総研 )* 大形俊英 ( 日立ハイテクノロジーズ ) 中嶋定夫 ( 日立国際電気 )
2 Outline 1)FEP と新材料 背景 Tr 断面図と新材料候補 新材料導入例 (DRAM) 懸念点等 2) 事例 1( 基板関係 ) Strained-Si の現状と課題 3) 事例 2(Gate Stack) High-k とゲート電極の現状と課題 4) まとめ
3 背景 ーなぜ FEP で新材料が求められるのか (1) スケーリングの限界打破 ( あるいはスケーリング則の維持のため ) Strained-Si High-k 等 (2) 新機能の実現 FeRAM MRAM 等
4 CMOS プロセスにおける新材料 ( 元素 ) その大部分は FEP で使用される I a II a III a IV a V a VI a VII a VIII I b II b III b IV b V b VI b VII b H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Ac 使用中 (FeRAM を含む ) 導入を検討中 (MRAM を含む )
5 FEP における新材料候補 Surface Preparation Etch Memory Capacitor Films High-k Ferroelectric Magnetoresistive Metal Electrode Starting Materials Thermal/Thin Films High-k Poly-SiGe Metal Gate Doping Heavy Metals Elevated S/D (SiGe) SOI SON Strained-Si/SiGe Si on X
6 新材料導入による ブレークスルー 究極の解決策として 魅力的 ( 素性をよく知らないからという面もあるが...) しかし 従来材料にない 課題 があり 導入には時間がかかる 1999 ITRS より : High-k とメタルゲートの生産導入には 10 年以上はかかるだろう
7 新材料導入ではなく 従来材料 + プロセスの工夫 で対応することも多い 例 DRAM( 新材料 :Ta 2 O 5 リーク等の問題点 ) NO 膜はキャパシタ構造の工夫により 10 年以上使われた 世代 256K 1M 4M 16M 64M 128M 256M 構造 プレーナ スタック スタック 改良改良改良改良スタックスタックスタックスタック +HSG +HSG +HSG 材料 SiO2 NO NO NO NO/Ta2O5 Ta2O5 Ta2O5 Ta 2 O 5 キャパシタ開発 Ta 2 O 5 キャパシタ採用 * *:1997 IEDM 64Mb( 日立 )
8 共通の問題点 1: 汚染とその洗浄 1. 汚染に対する問題点 High-k 膜起因の汚染問題 High-kの汚染許容値の明確化 High-k 膜へ及ぼす汚染問題 界面酸化膜 有機汚染の制御 2. 洗浄の開発課題 High-k 対応の新薬液洗浄 水素終端 ラフネス制御洗浄 洗浄 成膜 熱処理工程間の雰囲気制御 クラスタ装置化 ウェーハ裏面およびベベル ( ウェーハエッジ ) 洗浄
9 共通の問題点 2: 加工 原因 : 不揮発性の反応生成物の発生 (ZrClx,PtClx,FeClx,etc.) 課題 : 1 精度 再現性の低下 2 汚染とパーティクル発生 3 プラズマ照射ダメージ 対策 1: プロセス ( 新ガス系 ) 対策 2: 装置 ( 材料 条件 周辺技術 )
10 Surface Preparation 新材料導入への挑戦ー現状の紹介ー Etch Memory Capacitor Films High-k Ferroelectric Magnetoresistive Metal Electrode Starting Materials Thermal/Thin SOI Films Doping SON High-k Heavy Metals Strained-Si/SiGe Poly-SiGe Elevated S/D (SiGe) Si on X Metal Gate < 事例 1: 基板関係 > < 事例 2:Gate Stack>
11 事例 1 基板関係
12 基板材料への新材料の導入 : 必要性 ASIC HP (High Performance) 版 (ITRS 2001 Edition) テクノロジーノード (nm) MOSFETゲート長 (nm) SOC local clock (GHz) EOT (nm) Vdd (V) Mob. Improvement F % 70% 100% 新構造 材料素子によるチャネルの高移動度化が必須
13 基板材料への新材料への導入 : 元素 微細化によらない高性能化の実現 基板自体の物性を制御する I a II a III a IV a V a VI a VII a VIII I b II b III b IV b V b VI b VII b H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Ac C Si Ge 共有結合半径 (A) バンドギャップ (ev) 全率固溶 Si 中 Cの固溶限 :4%
14 Ge を利用した基板の高性能化 歪み利用の構造 : 歪み SiGe 歪み Si Strained SiGe cap-si < 5nm strained SiGe ~10nm Si sub. Strained Si strained Si ~ 10nm relaxed SiGe ~1µm graded SiGe Layer ~1µm Si sub. チャネル位置の精密制御が必要 既存の LSI SOI で蓄積された技術の利用が可能
15 歪み Si の利用による高移動度チャネルの実現 tensile strain S G n + poly-si SiO 2 D n + strained Si n + p - relaxed Si 1-x Ge x p - SiGe graded buffer Ge: 0 % x % tensile stress Si atom Ge atom compressive stress ひずみ Si strained Si layer SiGe buffer layer p-si substrate (J. Welser et al., IEDM 92, p.1000)
16 歪み Si-SOI 構造 Poly-Si Gate Gate Oxide Strained Si Channel Relaxed SiGe Buried Oxide トランジスタ模式図 断面 TEM 拡大図 100nm (T. Mizuno, et al., VLSI2002 p.106)
17 基板材料への新材料の導入 : 効果 2.0 Mobility Enhancement Factor 1.5 n-channel MOSFET (Takagi) p-channel MOSFET (Oberhuber) Ge Content (%)
18 歪み Si 歪み Si-SOI の構造と課題 strained Si ~ 10nm relaxed SiGe ~1µm graded SiGe Layer ~1µm strained Si ~ 10nm relaxed SiGe buried Oxide Si sub. Si sub. Geを利用した歪みSiの課題 1. 転位の制御 : 2μm 程度のSiGe 層が必要 2. 酸化 Silicidation : 表面荒れ等の抑止が必要 3.Geの拡散 : Geが表面まで拡散しないプロセスが必要 4. 低い熱伝導率 : 放熱機構に配慮必要 (Ge20% でSiの1/15) 5. 高コスト : 長時間のエピ /SOIプロセスが必要
19 Ge を残さないプロセス :SSOI SPLIT H + I/I SiO2 strained Si relaxed SiGe graded SiGe CMP SSOI: Strained Silicon on Insulator Ge が残ることのデメリットを回避可能
20 基板材料への新材料の導入 : 今後 ASIC HP (High Performance) 版 (ITRS 2001 Edition) テクノロジーノード (nm) MOSFETゲート長 (nm) Mob. Improvement F % 70% 100% 歪み Si 技術 G 融合可能? 三次元デバイス技術 S D Fin FET
21 事例 2 Gate Stack
22 ゲート絶縁膜に対する要求値 2002 update:lstp の Lg 1 年遅れに伴う変更ありしかしゲートリークの Red Brick Wall が 2 年後に迫っている Lg MPU/ ASIC EOT Ig (na/um) Lg LOP EOT Ig (na/um) Lg LSTP EOT Ig (pa/um)
23 ゲート絶縁膜の劇的な薄膜化 3.0 LSTP Red Brick Wall に対する課題 EOT (nm) HP ゲートリーク電流 High-k 開発 ゲートリーク電流, の加速 プロセス制御性と信頼性 LOP 0.0 プロセス制御性と信頼性 Year
24 I gleak の低減 45 nm node ( 2010) の LSTP 用リークスヘ ックは既にクリアしている
25 課題 : 薄膜化に伴う移動度劣化 n-mos universal mobility SiON 薄膜化 : N 濃度の増加に伴う固定電荷による散乱 High-k: 界面付近の固定電荷による散乱か 薄膜化で移動度劣化 T eff(inv) <2nm で SiON と High k の差はなくなる劣化原因の究明と対策が課題
26 99 01 どの High-k 材料が本命か Year of Production DRAM HP(nm) Oxide Modest k : 5-10 Modest k : 5-10 Medium k : Medium k : High k >20 High k >20 現状の要求基準比誘電率 >~10 障壁高さ > 1.0 ev 耐熱性 > 1000 DRAM HP(nm) Oxide Modest k : 5-10 Modest k : 5-10 Medium k : Medium k : High k >20 High k >20 SiO2 Nitride/Oxide Oxy-Nitride Al2O3 Others Ta2O5 TiO2 ZrO2 HfO2 Y2O3 La2O3 Gd2O3 Sc2O Zr- Hf- La- Ti-silicate LaAlO3 ZrTiO4 ZrTiO4 SrZrO4 LaAl3O4 BaZrO3 Y2O3 La2O3 Ta 2 O 5, TiO 2 等が抜け落ちる HfO 2 およびそれらのアルミネート シリケート 窒素ドープ膜に候補が絞られてきた Research Development Qualification/Pre-production SiO2 Nitride/Oxide Oxy-Nitride Al2O3 Others ZrO2 HfO2 Y2O3 La2O3 Gd2O3 Sc2O3 Zr- Hf- La- Ti-silicate LaAlO3 YAlO3 LaAl3O4 BaZrO3 Y2O3 La2O3
27 ゲート電極材料 High-k 進展の遅れをカバーするため ゲート空乏化を抑制することにより EOT 削減と等価の意味を持たせる ポリ Si 中ドーパントの高濃度化シミュレーションで検討中熱抜け抑制が課題 ポリ SiGe しきい値制御が課題 メタルゲート絶縁膜との反応 dual gate 化が課題 First Year of IC Production DRAM ½ Pitch (nm) Gate Electrode Poly- Gate Silicides on poly CoSi Interface Layer for Gate Dielectric 2, NiSi on Poly Active poly doping for % dep. (E20 cm -3 ) Silicides on poly SiGe CoSi 2, NiSi on Poly Si-Ge; other germanides Dual metal gate Metal 1 for NMOS (E f ~E c ) Ta, TaN, Zr,, Hf, MN MSi x, MN x, MSi x N y Metal 2 for PMOS (E f ~E v ) Pt, Ru, RuO 2, Ir, Ni, Co, WN, MSi x, MN x, MSi x N y
28 まとめ FEP への新材料導入 : ロードマップを進展させる上で 要求度が高い 課題も多いがチャレンジが続いている 基板関係 Ge 利用の Strained-Si は高移動度が実現でき 魅力的 コストも含め いかに CMOS プロセスに組み込むかが課題 技術的には 90nm ノードからでも導入できるレベルにある Gate Stack High-k はゲートリーク解決の解 LSTP Tr には必須 材料としては Hf 系が有望だが 導入のためには 特に移動度低下の原因究明と対策が課題 ゲート電極の空乏化抑制も有力なアプローチである
スライド 1
High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various
スライド 1
Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,
03J_sources.key
Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度
IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A
IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2
H1-H4
42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg
36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1
36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic
RAA-05(201604)MRA対応製品ver6
M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構
2_R_新技術説明会（佐々木）
% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)
元素分析
: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P
RN201602_cs5_0122.indd
ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113
MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)
CPT2L1Z1J154.indd
要点学習化学変化と原子分子 1 1 30 分分解, 物質のしくみ CPT2L1-Z1J1-01 要点 要点を読んで重要なポイントを確認しましょう 分解 1 分解 物質そのものが 性質が異なる別の物質に変わる変化を() といいます 1 種類の物質が2 種類以上の別の物質に分かれる化学変化をといいます 加熱により起こる分解をとくにといい 電流を流すことにより起こる分解をとくに といいます 2 炭酸水素ナトリウムを熱分解する実験
PowerPoint プレゼンテーション
2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,
hv (%) (nm) 2
HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)
希少金属資源 -新たな段階に入った資源問題-
H 耐用 TMR 占有増大 Li 94.5 4CL 0 Na 56 0 K 800 6CA 99 Rb 0. Cs 0.0 Fr Be.5 86US 4 Mg 5500 0.07 8CN 5 Ca 0.09 7 Sr 0.5 48ES Ba 0.5 47 Ra Sc. Y 6.7 7 (Ln) 800-97CN 6 (An) Center for Strategic Material NIMS,Japan
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494
K 吸収端 XAFS 用標準試料 Ti Ti-foil 金属箔 縦 1.3 cm 横 1.3 cm 厚さ 3 µm TiO2 anatase ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 TiO2 rutile ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 2017.
あいち SR BL5S1 硬 X 線 XAFS ビームライン Ⅰ 標準試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の標準試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga
2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO
1 [1]. Zn + 2 H + Zn 2+,. K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb H Cu Hg Ag Pt Au H (H + ),,. [2] ( ) ( ) CO 2, S, SO 2, NH 3 () + () () + () FeS Fe S ( ) + ( ) ( ) + ( ) 2 NH 4 Cl + Ca(OH) 2 Ca O + 2 NH 3,.,,.,,.,.
リサイクルデータブック2016
AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 213 Appendix 1 EU 2 EU 3 215 i CONTENTS i 1 213 1 213 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 213 7 4 5 9 6 213 9 5 7 1 8 213 1 9 11 1 213 11 11 213 11 6 6.1 12 213 14 6.2 13
01-表紙.ai
B 0 5 0-5 双極子核 I=1/ 2 四極子核 I 1 e Li Be B C N F Ne Na Mg 黒字はNMR 観測不可 Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFe Co Ni Cu ZnGaGe As Se Br Kr RbSr Y Zr NbMoTc RuRhPdAgCd In Sn SbTe I Xe Cs Ba La f Ta W Res Ir Pt
リサイクルデータブック2017
AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 214 Appendix 1 EU 2 EU EU( EU EU EU EU 3 217 i CONTENTS i 1 214 1 214 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 214 7 4 5 9 6 214 9 5 7 1 8 214 1 9 11 1 214 11 11 214 11 6 6.1
untitled
NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10
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STRJ ITRS 2003 LSI 2004.3.4. MIRAI 100nmCMOS - Si SOI CMOS SOI MOSFET CMOS 100nmCMOS trade-off Sub 100 nm CMOS trade-off x j (ext. conc.) Nsub Vdd Vth design EOT S or Si Nsub EOT something S/D EOT SiGe
2 6 8 10 12 14 18 20 22 24 26 29 32 34 36 1 40 42 44 39 47 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 70 72 74 76 78 80 67 83 84 86 88 90 92 94 96 97 98 100 102 103 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130
スライド 1
1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この
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第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則
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化学結合と分 の形 なぜ原 と原 はつながるのかなぜ分 はきまった形をしているのか化学結合の本質を理解しよう 分子の形と電子状態には強い相関がある! 原子 分子 基礎化学 ( 化学結合論 構造化学 量子化学 ) 電子配置分子の形強い相関関係 ( 電子状態 ) ( 立体構造 ) 分子の性質 ( 反応性 物性 ) 先端化学 ( 分子設計 機能化学 ) 機能 分子の形と電子配置の基礎的理解 基礎 ( 簡単
理工学部無機化学ノート
2 周期表と元素の性質の周期性 電子配置 通常の長周期型周期表 非金属元素と金属元素 e Cs Ba f Ta W Re Os Ir Pt Au g Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Rf Db Sg Bh s Mt Ds Rg Cn Fl Lv 元素の大半は金属元素である 14 族や 15 族は 周期が下がるにつれ 性質が大幅に変化することが分かる La Ce Pr Nd Pm Sm
SIｻｲｴﾝｽ株式会社 stable isotope metal
12 マグネシウム Magnesium 24 Mg 酸化物 78.99 99.7 12 マグネシウム Magnesium 25 Mg 酸化物 10.0 97.0 12 マグネシウム Magnesium 26 Mg 酸化物 11.01 97.0 12 マグネシウム Potassium 39 K 塩化物 93.11 99.97 12 マグネシウム Potassium 40 K 塩化物 0.011 2.10
コロイド化学と界面化学
x 25 1 kg 1 kg = 1 l mmol dm -3 ----- 1000 mg CO 2 -------------------------------------250 mg Li + --------------------------------1 mg Sr 2+ -------------------- 10
Basic Welding 1. welding processes and equipments
オーステナイト FCC: 面心立方格子 Face Centered Cubic = 最密 (closed pack)! α,δ- フェライト BCC : 体心立方格子 Body Centered Cubic A1 変態温度 (A1 変態線 ) A3 変態温度 (A3 変態線 ) 変形 = 転位の動き 最大せん断応力方向 刃状転位 変形 = 転位の動き 最大せん断応力方向 刃状転位 粒界 鉄鋼材料の熱処理
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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO
半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術
半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2003 年 3 月 3 日 STRJ ワークショップ 0 過去 40 年の
CRA3689A
AVIC-DRZ90 AVIC-DRZ80 2 3 4 5 66 7 88 9 10 10 10 11 12 13 14 15 1 1 0 OPEN ANGLE REMOTE WIDE SET UP AVIC-DRZ90 SOURCE OFF AV CONTROL MIC 2 16 17 1 2 0 0 1 AVIC-DRZ90 2 3 4 OPEN ANGLE REMOTE SOURCE OFF
新規な金属抽出剤
新規な金属イオン抽出剤 (MIDA) 貴金属の簡便な回収法に利用 日本原子力研究開発機構 基礎工学研究センター 佐々木祐二 原子力機構では使用済み燃料中の有用金属の回収を目的として 様々な分離技術の開発を行っています 発電前発電後 (An, 含む ) せん断 溶解分離 U, Pu 精製 U 精製 再処理工場へ ウラン燃料 Pu 精製 核変換 高レベル廃液 燃料再処理 (PUREX) 中間貯蔵 U,
JAJP
Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12
あいち SR 硬 X 線 XAFS ビームライン参照試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の参照試料リストに飛びます H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S
あいち SR 硬 X 線 XAFS ビームライン参照試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の参照試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se
Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity
perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface
物理化学I-第12回(13).ppt
I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)
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2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B
42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =
![42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =](/thumbs/73/68712188.jpg "42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =")
3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u
名称未設定-2
Contents 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 2 21 22 i 23 24 25 26 27 28 29 3 31 32 33 34 35 36 37 38 39 4 41 42 43 44 45 46 47 48 49 5 51 52 53 54 55 56 57 ii 58 59 6 61 62 63 64 65 66 67 68
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INTEL プロセッサの 技術ロードマップ 2014 年 7 月 目次 Pentium から Ivy Bridge までの Intel の製品ライン 100 nm ノード超 (Gate-First) サブ 100 nm ノード : 90 nm および 65 nm (Gate-First) 45 nm 32nm および 22nm (Gate-Last 高誘電 メタルゲート ) 技術ノード 関連パラメータコンタクテッドゲートピッチ
Microsoft Word - Jmol リソースの使い方－２.doc
Moodle での Jmol リソースの 使 い 方 1. 表 示 例 分 子 構 造 データファイルを 指 定 して 分 子 の 3 次 元 構 造 と 分 子 軌 道 などを 表 示 することができます 1.1. DNA PDB 形 式 データファイル 1.2. タンパク 質 の 表 示 GFP の 一 種 1 1.3. 波 動 関 数 の 表 示 -アセトアルデヒド 2. リソースの 追 加
リサイクルデータブック2015
EUEconomy-wide Material Flow AccountsEW-MFA Domestic Extraction UsedDEU Direct Material InputDMI Domestic Material ConsumptionDMC A resource-effi cient Europe Flagship initiative under the Europe 22 Strategy
untitled
i ii iii iv v 43 43 vi 43 vii T+1 T+2 1 viii 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 a) ( ) b) ( ) 51
2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 I II III 11 IV 12 V 13 VI VII 14 VIII. 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 _ 33 _ 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 VII 51 52 53 54 55 56 57 58 59
PIDS 委員 杉井寿博 ( リータ ー 富士通 ) 井上靖朗 ( サフ リータ ー 三菱 ) 井田次郎 ( 幹事 沖 ) 長島直樹 ( ソニー ) 只木芳隆 ( 日立 ) 麻殖生健二 ( 日立 ) 笠井直記 (Selete) 平本俊郎 ( 東京大学 ) 芝原健太郎 ( 広島大学 ) 澤田静雄 (
ロードマップの課題と今後のスケーリングについて [ 内容 ] 1. ロードマップ関連の課題 2. 今後のスケーリングについての調査 3. 新探求デバイスについて PIDS (Process Integration & Device Structures) WG 杉井 ( 富士通 ) 平本 ( 東京大学 ) PIDS 委員 杉井寿博 ( リータ ー 富士通 ) 井上靖朗 ( サフ リータ ー 三菱 )
Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK
Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK Na P K Ca Co Cu Sr Cd Ce Cs Tl 11 [1]18 [2] (FAO) (WTO) (Codex) Pb Cd As Sn Pb 0.3 mg/kg Cd 0.4 mg/kg 0.2 mg/kg
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![Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]](/thumbs/94/122068205.jpg "Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]")
1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E
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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~
2003
第 4 章 WG3 FEP( フロントエンドプロセス ) 4-1 はじめに 2008 年までは WG3 のカバーする技術領域は Starting Materials Surface Preparation Thermal/Thin Film Doping Front End Etch というトランジスタ形成の要素プロセスと DRAM Flash Memory PCM(Phase Change Memory)
23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4
23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
![C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni](/thumbs/89/99121913.jpg "C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni")
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
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WG3 Front-End Processes(FEP) 新材料 新構造の導入を支える FEP 技術 水島一郎 ( 東芝 ) 内容 STRJ FEP のメンバー スコープ 今年度の活動 新材料 新構造の導入と FEP 技術 Si ウェーハ 450mm 化状況 まとめ 略号 FeRAM: Ferroelectric Random Access Memory HP: High Performance /
apple ｦ0 09 apple ｦ apple0309apple076 56ｦ fl 0603apple6ｦ
1305ｨｬ00010204ｨｦ00ｨｦ07ｨ ｨｹ ｨ 0500090502ｨｦ00ｨｦ07ｨ ｨｹ, 2009, 6ｧ8 6, 06. 1ｨC18 ｨｬ0501 551.23/21;558.42 07ｨ 05ｨｺｨｦ0700ｨｦ07ｨ 02ｨ ｨｹ ｨｪ00ｨｺ020200ｨｲ040107 ｨ 05ｨｪｨｦｨｮ04ｨ 01ｨｦ05 05ｨｬ0001020402 02ｨｬｨｪ04ｨｦ050501ｨ
電子配置と価電子 P H 2He 第 4 回化学概論 3Li 4Be 5B 6C 7N 8O 9F 10Ne 周期表と元素イオン 11Na 12Mg 13Al 14Si 15P 16S 17Cl 18Ar 価電子数 陽
電子配置と価電子 P11 1 2 13 14 15 16 17 18 1H 2He 第 4 回化学概論 3Li 4Be 5B 6C 7N 8O 9F 10Ne 周期表と元素イオン 11Na 12Mg 13Al 14Si 15P 16S 17Cl 18Ar 1 2 3 4 5 6 7 0 陽性元素陰性元素安定電子を失いやすい電子を受け取りやすい 原子番号と価電子の数 P16 元素の周期表 P17 最外殻の電子配置と周期表
電子回路I_4.ppt
電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ
C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B
I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld
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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開
untitled
213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
1 平成 27 年度環境研究総合推進費研究成果発表会 平成 27 年 10 月 23 日 廃自動車の行方を考える - 資源と環境の視点から見た使用済み自動車 - 京都大学環境科学センター酒井伸一
1 平成 27 年度環境研究総合推進費研究成果発表会 平成 27 年 10 月 23 日 廃自動車の行方を考える - 資源と環境の視点から見た使用済み自動車 - 京都大学環境科学センター酒井伸一 平成 24~26 年度環境研究総合推進費研究 使用済み自動車 (ELV) の資源ポテンシャルと環境負荷に関するシステム分析 研究代表者酒井伸一 ( 京都大学 ) 研究分担者滝上英孝 梶原夏子 ( 国立環境研究所
2008/02/18 08:40-10:10, 12:50-14:20 14:30-16:00, 16:10-17:40,
008/0/18 08:40-10:10, 1:50-14:0 14:30-16:00, 16:10-17:40, 1pt A 1911 Leiden Heike Kammelingh-Onnes H.Kammelingh Onnes 1907 He 1 4. K H H c T c T H c Hg:40 mt, Pb:80 mt, Sn:30 mt 100 mt I c H c H c H
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--- = ---- 16 Z 8 0 8 8 0 Big Bang 8 8 s-process 50 r-process 8 50 N r-process s-process Hydrogen 71% Helium 8% Others 1.9% Heay 4-4% lements(>ni p-process (γ process? r-process s-process Big Bang H,He
<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D208376838C835B83938365815B835683878393312E707074205B8CDD8AB78382815B83685D>
i i vi ii iii iv v vi vii viii ix 2 3 4 5 6 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60
SC-85X2取説
I II III IV V VI .................. VII VIII IX X 1-1 1-2 1-3 1-4 ( ) 1-5 1-6 2-1 2-2 3-1 3-2 3-3 8 3-4 3-5 3-6 3-7 ) ) - - 3-8 3-9 4-1 4-2 4-3 4-4 4-5 4-6 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 5-6 5-7 5-8 5-9 5-10 5-11
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
入門ガイド
ii iii iv NEC Corporation 1998 v P A R 1 P A R 2 P A R 3 T T T vi P A R T 4 P A R T 5 P A R T 6 P A R T 7 vii 1P A R T 1 2 2 1 3 1 4 1 1 5 2 3 6 4 1 7 1 2 3 8 1 1 2 3 9 1 2 10 1 1 2 11 3 12 1 2 1 3 4 13
i ii iii iv v vi vii ( ー ー ) ( ) ( ) ( ) ( ) ー ( ) ( ) ー ー ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 13 202 24122783 3622316 (1) (2) (3) (4) 2483 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) 11 11 2483 13
untitled
I...1 II...2...2 III...3...3...7 IV...15...15...20 V...23...23...24...25 VI...31...31...32...33...40...47 VII...62...62...67 VIII...70 1 2 3 4 m 3 m 3 m 3 m 3 m 3 m 3 5 6 () 17 18 7 () 17 () 17 8 9 ()
スライド 1
WG6(PIDS 及び RF&AMS) 活動報告 ロジックおよびメモリデバイスの スケーリングトレンド ~FinFET で大きく変わるロジックトレンド STRJ WS 2013 2014 年 3 月 7 日品川 : コクヨホール WG6 6 主査 : 尾田秀一 ( ルネサスエレクトロニクス ) 1 用語集 PIDS (Process Integration, Devices, and Structures)
Title
SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする
活用ガイド （ソフトウェア編）
(Windows 95 ) ii iii iv NEC Corporation 1999 v P A R T 1 vi P A R T 2 vii P A R T 3 P A R T 4 viii P A R T 5 ix x P A R T 1 2 3 1 1 2 4 1 2 3 4 5 1 1 2 3 4 6 5 6 7 7 1 1 2 8 1 9 1 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt
チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
困ったときのQ&A
ii iii iv NEC Corporation 1997 v P A R T 1 vi vii P A R T 2 viii P A R T 3 ix x xi 1P A R T 2 1 3 4 1 5 6 1 7 8 1 9 1 2 3 4 10 1 11 12 1 13 14 1 1 2 15 16 1 2 1 1 2 3 4 5 17 18 1 2 3 1 19 20 1 21 22 1
4_Laser.dvi
1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation
金属元素製錬・精製における環境負荷基礎データ
15 3 13 14 14 6 CO 2 LCA CO 2 LCA 15 3 ...1...1...1...1...4...6...14...16...17...18...20...28...32...36...40...44...48...52...56...60...64...68...72...76...84...88...92...96...100...104...108... 112...
スライド 1
BCC 金属中の水素と空孔濃度の熱力学計算 九大応力研 富山大学水素研 A JAEA B 大澤一人 波多野雄治 A 山口正剛 B 2012 年 7 月 25 日九大応力研 核融合材料として重要なタングステン空孔に捕獲される水素の個数を第一原理で計算した T=0K タングステン以外の BCC 金属も同じような計算をすることで全体像が却って分かるようになった 鉄 ( 純鉄 ) についても計算した 有限温度
000..\..
Bull. Nagoya Univ. Museum No. 20, 79 91, 2004 Quantitative chemical analysis of rocks with X-ray fluorescence analyzer XRF-1800 NAKAZAKI Mineko TSUBOI Motohiro KANAGAWA Kazuyo KATO Takenori SUZUKI Kazuhiro
現場での微量分析に最適 シリーズ Spectroquant 試薬キットシリーズ 専用装置シリーズ 主な測定項目 下水 / 廃水 アンモニア 亜硝酸 硝酸 リン酸 TNP COD Cr 重金属 揮発性有機酸 陰イオン / 陽イオン界面活性剤 等 上水 / 簡易水道 残留塩素 アンモニア 鉄 マンガン
現場での微量分析に最適 シリーズ Spectroquant 試薬キットシリーズ 専用装置シリーズ 主な測定項目 下水 / 廃水 アンモニア 亜硝酸 硝酸 リン酸 TNP COD Cr 重金属 揮発性有機酸 陰イオン / 陽イオン界面活性剤 等 上水 / 簡易水道 残留塩素 アンモニア 鉄 マンガン カドミウム 鉛 六価クロム シアン化物等 飲料 用水管理 残留塩素 鉄 マンガン 等 ボイラー シリカ
研究成果報告書
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs
支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc
10 IDM NEC
No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3
活用ガイド （ソフトウェア編）
(Windows 98 ) ii iii iv v NEC Corporation 1999 vi P A R T 1 P A R T 2 vii P A R T 3 viii P A R T 4 ix P A R T 5 x P A R T 1 2 3 1 1 2 4 1 2 3 4 5 1 1 2 3 4 5 6 6 7 7 1 1 2 8 1 9 1 1 2 3 4 5 6 1 2 3 10
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i 1 1 2 2 3 3 4 4 4 5 7 8 8 9 9 10 11 13 14 15 16 17 19 ii CONTENTS 2 21 21 22 25 26 32 37 38 39 39 41 41 43 43 43 44 45 46 47 47 49 52 54 56 56 iii 57 59 62 64 64 66 67 68 71 72 72 73 74 74 77 79 81 84
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