Microsoft PowerPoint 電子J6MEMS応用4アクチュエネルギ多品種少量.ppt
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- よしじろう めいこ
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1 6.MEMS の応用その 4 : マイクロアクチュエータ ( 静電 圧電 熱 電磁 流体圧 ) マイクロエネルギ源 静電 電歪 圧電アクチュエータ 1
2 可変電極間隔 可変電極面積 ( コムドライブ ステッピング ) 静電アクチュエータの原理 静電アクチュエータのプルイン 2
![静電力のスケーリング ( 寸法 S 倍 ) 間隔 Dの対向電極 ( 面積 A) に電圧 Vが印加された時に電極が引き合う力 Fe = ε 0 AV 2 /2D 2 V 2 [a] 間隔が広い時 : 絶縁破壊電圧 S Fe S 2 [b] 間隔が中程度の時 : 絶縁破壊電圧 S 0 Fe S 0 [c] 間隔が狭い時 : 絶縁破壊電圧 S -1 Fe S -2 (W.S.N.](/docs-images/83/88385365/images/3-3.jpg "Trimmer, Sensors & Actuators, 19 (1989) p.")
3 静電力のスケーリング ( 寸法 S 倍 ) 間隔 Dの対向電極 ( 面積 A) に電圧 Vが印加された時に電極が引き合う力 Fe = ε 0 AV 2 /2D 2 V 2 [a] 間隔が広い時 : 絶縁破壊電圧 S Fe S 2 [b] 間隔が中程度の時 : 絶縁破壊電圧 S 0 Fe S 0 [c] 間隔が狭い時 : 絶縁破壊電圧 S -1 Fe S -2 (W.S.N.Trimmer, Sensors & Actuators, 19 (1989) p.267) 発生可能な力の量的な比較 パッシェン曲線 ( 絶縁破壊電圧 - 間隔 圧力 ) 電磁力 ( 単位面積 ): Fm =B 2 /2μ 0 磁性材料の飽和磁束密度 (Bmax) を 2 tesla とすると 10 7 dyne/cm 2 静電力 ( 単位面積 ): Fe= ε 0 V 2 /2D2 絶縁破壊しない電圧 300V を間隔 (D)0.3μm で印加すると 10 7 dyne/cm 2 絶縁破壊部分 Pt ITO Si ダイアフラム (2μm) Si インク ガラス電極狭ギャップ (0.2μm) 静電インクジェットプリンタにおける絶縁破壊 ( 放電 ) の例 3
4 狭いキ ャッフ を持つ静電マイクロアクチュエータにおける放電電圧の電極材料依存性 (T.Ono et.al., J.Micromech.Microeng.,10 (2000) ) 狭電極間隔分布型静電マイクロアクチュエータ (Y.Kawai, Proc. of the 20th Sensor Symposium, 2003 p.61) 4
5 分布型静電マイクロアクチュエータにおけるフィードバック回路利得の違いによる硬さ制御 (M.Yamaguchi et.al.,j. of Micromechanics and Microengineering, 3 (1993), 90-95) 特徴 : 比較的変位が大きい コムドライブ静電アクチュエータの原理 可動部を支えるばねは細く長くすると横方向にたわんでしまう 5
6 Current source Si Voltage meter V SiO2 Electrostatic Actuators Nano Wire Sample 独立駆動可変 4 プローブ (Y.Ahn et.al.,apcot MNT 2004, (2004) p.912) 100μm Microelectromechanical Step Gear System System Fraunhofer IZM ( ドイツ ) 6
7 2mm 並列分布型コムドライブ静電マイクロアクチュエータ (Ⅰ) ( 阿部宗光他, 第 16 回 センサ マイクロマシンと応用システム シンポジウム 和文速報 6 月川崎 (1998),77) 屋根なし屋根なし屋根あり コムサポート 可動櫛歯 接触!! シャッター 屋根 屋根 可動櫛歯 梁 光 コムサポート バネ固定櫛歯 固定子 接触 ( 屋根なし ) 梁 固定櫛歯 バネ ストッパー たわみ (100 V) 6.8 μm 0.3 μm 屋根ありコムドライブ静電アクチュエータ ( 渡辺他 The 20 th Sensor Symposium (2003 July) 25-28) 7
8 可動櫛歯及び屋根 シャッター 全体 SEM 写真 固定櫛歯 シャッター付近拡大 屋根ありコムドライブ静電アクチュエータ ( 写真 ) 屋根ありコムドライブ静電アクチュエータの動作電圧 ;110; V 駆動距離 ;50; μm 8
9 ステッピング静電マイクロアクチュエータの原理 ( 位置を検出して駆動する電極を決定する制御が必要 ) ステッピング静電マイクロアクチュエータ (T.Matsubara et.al., Transducers 93, 50-53) 9
10 2000 rpm 静電浮上マイクロモータによる回転ジャイロ (Murakoshi (Tokimec Inc.) et.al., Transducers 99) 10
11 静電マイクロバルブ ( 接触モード静電アクチュエータ ) 静電マイクロハ ルフ で観測される異常ヒステリシス ( 帯電の影響 ) 11
12 接触モード静電アクチュエータにおける帯電 ( チャージアップ ) 問題とその対策 エレクトレット静電発電気 / モータ ( 原理 エレクトレット付シュラウド型タービン 電荷保持特性 ) (T.Genda et.al., IEEE MEMS2004, p.470) 12
13 モノリシック ( 一体型 ) XYZ (θφψ)6 軸ステージ 圧電セラミックス (PZT) 基板に製作したモノリシック XYZ (θφψ)6 軸ステージ (D.-Y.Zhang et.al., Digest of Technical Papers, Transducers 03, Boston (2003) ) (H.Xu, Proceedings of the 21th Sensor Symposium, Kyoto, (2004-Oct ), 13-18) Displacement (um) Elongation vs. Applied Voltage of bimorph PZT actuator Applied Voltage (V) ΔL ΔZ Displacement (um) Bending vs. Applied Voltage of bimorph PZT actuator Applied Voltage (V)
14 圧電薄膜型 MEMS 角速度センサ ( 野村幸治 ( 松下電子部品 ) 8th SEMI Microsystem/MEMS Seminar, (2004) p.25) PZT の組成と電気機械結合係数 PZT 圧電薄膜の特性 ( 野村幸治 ( 松下電子部品 ) 8th SEMI Microsystem/MEMS Seminar, (2004) p.25) 14
15 PZT 圧電薄膜の間欠堆積 ( スパッタ ) 法 ( 野村幸治 ( 松下電子部品 ) 8th SEMI Microsystem/MEMS Seminar, (2004) p.25) 他の参考文献 : 溝渕一郎 高橋幸郎 スパッタ法による PZT 薄膜形成 電気研究会資料 MSS (2004) p.41 フロースパッタによる PZT 厚膜 (H.Jacobsen et.al. MEMS 2006, p.214) 15
16 パラフィンの融解による熱膨張を用いたアクチュエータ 特長 : 圧力大 (1MPa) 流量 74 nl/min パラフィンの融解時の体積変化を用いたマイクロポンプ (R.Boden( スウェーデンウプサラ大 ), Transducers 05, 201) 16
17 パラフィンマイクロポンプの製作方法 SMA SEA (Shape Memory Alloy) (Super Elastic Aloy) Ti-Ni 合金実用組成範囲 (49.5~50.5%) 組成 0.1% ずれると変態温度は10K 変化 形状記憶合金と超弾性合金 17
18 SMA( 形状記憶合金 ) アクチュエータと保持機構を用いた視覚障害者用触覚ディスプレイ 学部 1 年生の研究発表 ( 創造工学研修 ) ( 河北新報 2000 年 5 月 12 日 ) 2 次元触覚ディスプレイ 18
19 保持機構を内蔵した電磁リレー 電磁駆動 2 軸光スキャナ (N.Asada et.al., IEEE Trans. on Magnetics 30 (1994)) 19
20 保持機構付き2 方向電磁駆動光スイッチ (Baba et.al. 19 th Sensor Symposium, (May 2002) ) 1. アクチュエータによる体積変化を用いたポンプ ( 一方向弁有無 ) 圧電アクチュエータ静電アクチュエータサーマルアクチュエータ電磁アクチュエータ空気圧アクチュエータ他 2. 界面張力を利用したポンプ熱毛管 電気毛管 3. たわみ振動の進行波を利用したポンプ 4. イオンドラッグポンプ (Electro Hydro Dynamic pump) 5. 電気浸透流ポンプ (Electro Osmotic Pump) 各種のマイクロポンプ 20
21 一方向弁を用いたマイクロポンプ マイクロポンプに用いられるアクチュエータ 21
22 エレクトロウェッティング方式ペーパーライクディスプレイ ( フィリップス研究所 ) ( 日経マイクロデバイス 2004/1 p.43) たわみ振動の進行波 (Lamb wave) を利用したマイクロポンプ イオンドラッグマイクロポンプ (Electro hydro dynamic micro pump) ( 土田他, 電気学会論文誌 C,111 (1992) p.595) 22
23 Electrophoresis Electroosmosis 固液界面動電現象 直接メタノール型燃料電池での CO 2 排出機構 (G.Litters et.al.(imtek Freiburg( 独 ), MEMS 2006, p.102) 23
24 人工衛星姿勢制御のためのディジタルマイクロスラスタ ( 固体ロケットアレイ ) R.Hosokawa, S.Tanaka, S.Tokudome, K.Horie, H.Saito and 18th Sensor Symposium, (2001-May) 電気粘性流体をバルブに用いたアクチュエータ ( 近藤悟他 第 15 回 センサの基礎と応用 シンポジウム講演概要集 ( 和文速報 ) (1997),68) 24
25 MIT で製作されたシリコンマイクロエアタービン (130 万 rpm) マイクロエネルギ源 25
26 Nuclear battery ( ラジオアイソトープ利用の振動発電器 ) (A.Lal & J.Blanchard ( 米コーネル大 ウィスコンシン大 ),IEEE Spectrum, Sept.2004 p.22 R.Duggirala ( 米コーネル大 ), Solid-State Sensors, Actuator and Microsystems Workshop, Hilton Head island (2004) 137), (S.-H.Kan & A.Lai, Transducers 2004, p.817) CH 3 OH + H 2 O KJ/mol CO 2 + 3H 2 水蒸気改質 ( 吸熱反応 ) MEMS 燃料改質器 (S.Tanaka, Chemical Eng. Journal, 101 (2004) ) 26
27 CH 3 OH + H 2 O KJ/mol CO 2 + 3H 2 水蒸気改質 ( 吸熱反応 ) 燃料改質器 (Yoshida et al., PowerMEMS 2005) 燃料制御用圧力バランスバルブ (K.Yoshida ( 松下電工 ) MEMS2006, p.722) 27
28 可搬型燃料改質器付燃料電池 ( 松下電工 ) IHI エアロスペース ( 旧日産宇宙航空事業部 ) 出力 :2.6 kw(50/60 Hz 共用 ) 大きさ : mm 3 重量 :65 kg 効率 :8~10 % 低騒音 (55 db), 高電気品質, 灯油 軽油使用可 28
29 小形大容量高出力電源の必要性 Energy (Wh/unit) Cellular phones Toy robots Digital cameras Laptop PC Electric cars Powered wheel Hybrid cars chairs Robots Power assisted bicycles Powered tools Radiocontrolled machines Power (W/unit) Applicable range of small GT generators 小形 (MEMS) ガスタービンの応用分野 停車中のエアコン用電源他 29
30 1st layer Compressed air Compressor Turbine drive air Turbine Bearing air Thrust Bearing Silicon 2nd + 3rd layers Pylex Glass Silicon Pylex Glass Si Si Silicon 4th layer Bearing air 5th layer In-plane configuration 6th layer Impeller Diffuser Vaneless Diffuser Labyrinth Seal Rotor Nozzle MEMS ターボチャージャ (P.Kang, J. of Micromech. Microeng., 15 (2005) 1076) MEMS ターボチャージャ 測定システム 30
31 圧縮機翼車 タービン翼車 ( ガスタービン発電機の基礎実験 ) 軸方向軸受 軸方向軸受 φ10 mm マイクロターボチャージャ 87 万 rpm 圧縮比 2 (K.Isomura (IHI エアロスペース, Power MEMS 2002, p.32) 4 mm 機械加工による窒化シリコン ( Si 3 N 4 ) 製タービンブレード (S.Sugimoto et.al. Transducers 01 (2001)) 31
32 微細加工したシリコンを鋳型にして焼結する炭化珪素 (SiC) タービンブレードの製作法 ( 反応焼結条件 : 1700 C, 100MPa) (S.Sugimoto et.al., MEMS 2000) 微細加工したシリコンを鋳型にして焼結した炭化珪素 (SiC) タービンブレード 32
33 7.MEMS ビジネスモデルと多品種少量生産 ( トランジスタの発明 30 年 マイクロプロセッサの出現 30 年 現在 ) 集積化 MEMS ( 光電気集積化 センサ 通信付 LSI 電源集積化) More than Moore 少数のCMOSファウンダリを中心に多数のCustom design houseや Packaging 会社 CMOSファウンダリは保守的に フィルム状 大面積化 三次元 並列化 低電力化 チップ内でロジックの占める割合が少なく メモリ部が多くなる クロック速度は飽和 デバイス構造 材料 (High k, Low k,gan, Ge, Strained Si, CNT) 新アルゴリズムやアーキテクチャ 物理限界 : 電子波長 (10nm) トンネリング(1nm) Si 原子サイズ (1nm) 配線抵抗 30 年後のLSI (What devices will dominate in 2035 after CMOS scaling reaches its limit?) (WOFE 2004 : Advanced Workshop on Frontiers in Electronics Aruba (2004/12)) 33
34 LSI チップ上にスイッチやフィルタなどの部品も一体化 ワイヤレス機器のトレンド ( 日経エレクトロニクス ) 9 半導体産業から見た MEMS の応用市場の可能性とビジネスモデルの調査研究 客員研究員 古川昇 調査協力イノベーション インスティテュート新藤哲雄 半導体産業研究所 2004 年 6 月 1990 年 34
35 半導体産業から見た MEMS の応用市場の可能性とビジネスモデルの調査研究 客員研究員古川昇 2004 年 6 月 日経マイクロデバイス 2001 年 9 月号 35
36 SOC (System On Chip) MEMS : 回路上に一体形成した MEMS ビデオプロジェクタ用 DMD (Digital Micromirror Device) ( テキサスインスツルメンツ社 ) 集積化加速度センサ ( アナログデバイス社 ) 集積化 RF 音響フィルター ( インフィニオン社 ) (2004 IEEE MTT-S p.395) SIP (System In Package) MEMS: 回路チップと MEMS チップを接続 集積化インクジェットプリンタヘッド ( 富士ゼロックス ) マルチプローブ強誘電体記録 ( パイオニア, 東北大学 ( 長, 江刺 )) Pre CMOS ( 基板内 ) SOCMEMS ( モノリシック集積型 ) Post CMOS ( バルク ) ( 表面 ) SIPMEMS ( ハイブリッド組立型 ) MEMS を製作し封止したウェハ SOI ウェハなどに回路を形成 回路を形成したウェハ (Al 配線まで終了 ) ( 外部機関 ) MEMS を製作 ( 貫通配線付ガラス上のアレイ MEMS 等 ) 回路を形成 バルクマイクロマシニングにより MEMS を製作 犠牲層や構造体層による表面マイクロマシニングで MEMS を製作 フリップチップボンディングなどで組み立て ウェハレベルパッケージングによる封止 ダイシング 装着 テスト 36
37 集積化 MEMS アレイ構造 ( 列プリンタヘッドなど ) ( 面ディスプレイ イメージャなど ) 容量型センサ ( 容量型加速度センサなど ) 寄生容量の低減 高性能 MEMS / 長チャネル (3μm)CMOS 次世代ワイヤレスチップ ( リレーやフィルタなどを RF 回路チップ上に搭載 ) 寄生インダクタンスの低減 高性能 MEMS / 高性能 ( 微細 )CMOS ばねとして優れた材料の MEMS を低温プロセスで形成することが必要 ポリシリコンの応力制御に h の熱処理 imems( アナログデバイス ): 3μm BiCMOS interleaved with 2-4μm poly Si (M.W.Judy: Tech.Digest solid-state Sensor, Actuator and Microsystems Workshop, Hilton Head (2004) 27-32) 犠牲層 : PSG エッチング : HF 低温 (400 程 ) 熱処理で可 犠牲層 : Ge エッチング : H 2 O 2 polysi-ge によるポスト Al 表面マイクロマシニング (A.E.Franke, J.M.Heck, T.-J.King and R.T.Howe: J.of Microelectromechanical Systems, 12 (2003) ) 37
38 多結晶 SiGe 振動子のアニール ( 時間 1 分 ) による Q 値の変化 (S.A.Bhave ( 米 U.C.Berkeley), Solid State Sensor, Actuator and Microsystems Workshop (2002) p.34) 樹脂封止のための厚いカバー 高性能 CMOS 回路上に高性能なばね構造を 低温プロセス (< 400 ) で形成 高性能 CMOS 回路上に形成した Poly-SiGe MEMS 振動ジャイロ (W.A.Mehta(imec),ISSC 2005, p.88) 38
39 東北大江刺研究室分室 ( 一般公開利用 ) MEMS コア 泉工場 社長 : 本間孝治 ( ケミトロニクス会長 ) 役割 : ニーズに応え試作品や少量生産品を供給 ファンダリへ発注する前のエンジニアリングサンプルの試作 MEMS コア 4 インチ製造ライン 39
40 MEMS コア 犠牲層ドライエッチング装置 (XeF 2 による Si エッチング HF+CH 3 OH による SiO 2 エッチング 撥水性ドライコーティング ) ( 開発 : フォード自動車からの研究員 製品化 : 豊田中央研究所 製造 : MEMS コア ) 40
41 シリコンサイクル 41
42 MEMS 市場の下方修正を繰り返す市場調査会社 ( 和賀三和子, 日本の MEMS 研究には何がかけているか, 日経マイクロデバイス, 2006 Sept.) 手作りによる 20mm ウェハプロセス用の安上がりな半導体設備 危険なガスは使わない 壊れる部分が少ない単純な装置 利用者 232 名 (25 研究室 ) 42
![自動車 家電 15 社ダイムラークライスラー [1] フォード自動車 [1] トヨタ自動車 [2] デンソー [1] 日立製作所日立研究所 [1] 自動車機器 [1] 本田技研工業 [1] ゼクセル [1] 日立製作所中央研究所 [1] 曙ブレーキ工業 [1] 北陸電気工業 [2] 神戸製鋼 [2] 松下電器産業 [1] 豊田中央研究所 [1] 日産自動車 [1] 情報 通信 33](/docs-images/83/88385365/images/43-0.jpg "社ボールセミコンダクター [2] 三星電子 [1] 三星総合研究院 [4] 村田製作所 [2] 日立製作所機械研究所 [1] 日本電波工業 [2] 大宏電機 [2] アルプス電気 [1] 富士写真フィルム [1] スタンレー電気 [1] 日本アレフ [1] リコー [2] 松下通信工業 [1] 国際電気 [1] ペンタックス [2] 日本信号 [2] 立山科学工業 [1] 矢崎総業 [1]")
![住友金属工業 [1] 日立電線 [1] 日立超 LSIシステムズ [1] サムコン [1] 秋田妙徳 [1] パイオニア [1] ジャパンハイテックス [1] シャープ [1] スター精密 [1] 松下電工 [1] 宮城沖電気 [1] モリテックス [1] MEMSコア [1] 北日本電線 [2] ソニー [1] 製造 検査 宇宙 計測 29 社ダイムラーベンツ [1] icurie](/docs-images/83/88385365/images/43-1.jpg "lab[1]( 韓国 ) ハネウェル [1] エステック [1] 日本たばこ産業 [1] 島津製作所 [1] 北川鉄工所 [1] 豊田工機 [3] 長野計器製作所 [2] セイコー電子工業 [2] 堀場製作所 [1] 旭化成工業 [1] 石川島播磨重工業 [2] オプトエレクトロニクス [1] 日本真空技術 [1] アネルバ [2] アドバンテスト研究所 [1] アドバンテスト [3]")
43 自動車 家電 15 社ダイムラークライスラー [1] フォード自動車 [1] トヨタ自動車 [2] デンソー [1] 日立製作所日立研究所 [1] 自動車機器 [1] 本田技研工業 [1] ゼクセル [1] 日立製作所中央研究所 [1] 曙ブレーキ工業 [1] 北陸電気工業 [2] 神戸製鋼 [2] 松下電器産業 [1] 豊田中央研究所 [1] 日産自動車 [1] 情報 通信 33 社ボールセミコンダクター [2] 三星電子 [1] 三星総合研究院 [4] 村田製作所 [2] 日立製作所機械研究所 [1] 日本電波工業 [2] 大宏電機 [2] アルプス電気 [1] 富士写真フィルム [1] スタンレー電気 [1] 日本アレフ [1] リコー [2] 松下通信工業 [1] 国際電気 [1] ペンタックス [2] 日本信号 [2] 立山科学工業 [1] 矢崎総業 [1] 住友金属工業 [1] 日立電線 [1] 日立超 LSIシステムズ [1] サムコン [1] 秋田妙徳 [1] パイオニア [1] ジャパンハイテックス [1] シャープ [1] スター精密 [1] 松下電工 [1] 宮城沖電気 [1] モリテックス [1] MEMSコア [1] 北日本電線 [2] ソニー [1] 製造 検査 宇宙 計測 29 社ダイムラーベンツ [1] icurie lab[1]( 韓国 ) ハネウェル [1] エステック [1] 日本たばこ産業 [1] 島津製作所 [1] 北川鉄工所 [1] 豊田工機 [3] 長野計器製作所 [2] セイコー電子工業 [2] 堀場製作所 [1] 旭化成工業 [1] 石川島播磨重工業 [2] オプトエレクトロニクス [1] 日本真空技術 [1] アネルバ [2] アドバンテスト研究所 [1] アドバンテスト [3] トキメック [2] キャノン [2] 東京エレクトロン [1] 第一放射線研究所 [2] 日本化薬 [1] 三菱重工業 [2] モリテックス [1] リケン [1] サンギ [1] NECトーキン [1] しらかば農園 [1] 医療 バイオ 6 社 オリンパス光学工業 [2] 日本光電工業 [1] テルモ [3] シスメックス [1] 三菱電線工業 [2] 井上アタッチメント [1] 公立研究機関 10 社 韓国電子通信研究院 [1] 韓国科学技術研究院 (KIST)[1] 台湾工業技術研究院 (ITRI)[2] 山形県工業技術センタ [3] 工業技術院計量研究所 [1] 広島県西部工業技術センタ [1] 日本放送協会 [1] 富山県工業技術センタ [3] 宮城県産業技術センタ [1] 産業技術総合研究所 [1] 付 22 研究員を常駐で派遣した企業他 ( ) [ 人数 ] 93 箇所 [128 名 ]( 国外青色 11 箇所 ) 43
44 M.Nagao et.al.,sae World Congress, Detroit, (2004) Si deep RIE システム (M.Takinami, 11th Sensor Symposium, (1992) p.15) Deep RIE で加工した電磁駆動容量検出シリコン振動ジャイロ 44
45 国内 MEMS 企業 9 社の連携プロセスによる SEMI マイクロシステム /MEMS セミナー 10 周年記念品の製作 2006/12/6 付 24 今後の方向 : 研究開発の効率化 低コスト化 ( オープンコラボレーション ) 大学からの豊富な知識サービスの提供 (MEMSハ ークコンソーシアム MEMS セミナー ( 東京 ) 8/23-25 参加者 280 名参加費 資料 ( 印刷物 CD) 代無料 参加申込不要 ハイテク多品種少量生産 産業競争力大, ハイテクベンチャ 設備の共用 有効活用 ( スピンイン ) ハイテク多品種少量生産 委託生産 雇用創出 45
46 現状 : ICビジネスの延長で作り手の都合で作ろうとして 難攻している ICの場合と異なるビジネスモデルが必要 (MEMSは標準化しにくく 幅広い知識が要る) 新しい方向 : ニーズに応えたMEMSビジネス ( 付加価値の高い 集積化 MEMS 多品種少量) 研究開発の効率化 低コスト化 ( オープンコラボレーション ) 大学からのより良いサービスの情報提供 役に立つ新技術の発信 新分野の開拓と同時に 知識情報を蓄積整理し利用してもらう 情報提供重視 ( インターネット授業 CD で大量な情報提供 ) MEMS パークコンソーシアムによる情報提供 設備の共用 有効活用 ( スピンイン ) 試作開発を通し 設計から製作までを経験 全体を見通せるリーダを育てる スリムで維持が容易な 自由度が大きい試作設備 多くのユーザ ( 研究室 ) で利用 ( 有効利用 維持ロード分散 ) 大学設備の有料利用 ( 事後精算が今後課題 ) 1. 企業が中心だがネタ切れ ( オープンコラボレーションが必要 ) 自社製品の差別化部品としての MEMS は比較的成功 横河電機 ( 振動式圧力センサ ) トヨタ自動車 ( ジャイロ ) エプソンやキャノン ( インクジェットプリンタヘッド ) オリンパス ( レーザ顕微鏡用光スキャナ ) など 競争力を失った半導体からの MEMS 複数の企業が同じ MEMS 製品で過当競争 国の支援 活力のある中小企業でも情報不足 設備の制約 2. 大学は論文のためのMEMSになりがち ( 設備の制約 専門分化 ) 3. 公的研究機関は欧州や台湾などに比べ弱体 ( 非効率 縦割 ) 4. 国家プロジェクトが成果に結びつかない ( 非効率 縦割 ) 5. 特長を活かした有効な MEMS( 集積化 RF) に参入していない 日本の MEMS 46
47 米国 : 1960 年頃から始まり 1970 年代にスタンフォード大学で進展 DARPA( 防衛局 ) の予算 NSF の予算などのもと 現在は U.C. バークレーとミシガン大学など 主に大学がリードしている テキサス インスツルメンツのディスプレイ (DMD) アナログデバイスの加速度センサなどが成功している 激しい競争でやっており SiTime や Knowels を始めとするベンチャなどが出ている 欧州 : 公的な研究所 ( スイス ベルギー フィンランドなど ) が機能して成果をあげている その結果スイスなどで企業が生まれている 商品化では苦戦しているため 日本企業へのアプローチも盛ん 大企業ではドイツのボッシュ ( 自動車電装品 ) が成功している アジア : 公的な研究所 ( 台湾 シンガポール ) で研究や産業支援 その結果 台湾では Chip sense, APM などの MEMS 契約生産会社ができている 韓国では早くから MEMS に投資したわりに成果に結びついていないとの評価 中国ではまだ量産に向いた技術が中心 諸外国と比較した日本の MEMS ( 私見 ) 47
( )
MEMS 4 : ( ) ( ) Pt ITO Si (2 m) Si (0.2 m) (T.Ono et.al., J.Micromech.Microeng.,10 (2000) 445-451) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator) (XY ) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator)
untitled
1. 2. ( ) 3. ( ) 4. ( ) 5. ( ) 6. MEMS 20mm 400 (40 )100 A-A A 2. ( ) MEMS A (L.M.Roylance et.al., IEEE Trans. on Electron Devices, ED-26 (1979) p.1911) ( (In-Vivo Oximetry)) (J.M.Schmitt,F.G.Mihm and
untitled
( ) ( ) 1 MEMS : MEMS ( +13% / ) 2 3 ISFET ph,co 2 (K.Shimada, M.Esashi, Med.& Biol.Eng.& Comp.,18 (1980) p.741) (M.Esashi T.Matsuo, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343) 4 5 (Y.Matsumoto, S.Shoji,
Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF
ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト
2 ( ) PVD (Physical Vapor Deposition)
2 ( ) PVD (Physical Vapor Deposition) G.Lim et.al., Robotica, 14 (1996) pp.499-506 ( ) ( Ionics, 20, 9 (1994) p.147) MEMS CVD (Chemical Vapor Deposition) CVD MacDonald et.al. MEMS 90 CVD 160-220ºC 1,1,1,5,5,5,5-
) ( ) ( 34,3 (1995))
4. MEMS 2 : MEMS ( ) DMD (Digital Micro mirror Device) FED (Field Emission Display) ( ) ( ) RF ( ) ( ) IC RF ( ) ) ( ) ( 34,3 (1995)) (M.Murata et.al.: IEICE Trans. Electron., E84-c (2001) p.1792) ( )
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
DMシリーズセンダスト (Fe-Si-Al) コイルの許容両端電圧 :V D はんだ処理部最大外径 :D( 縦方向 ),( 横方向 ) 最大幅 : リード全長 :=± はんだ処理境界 :=.MAX コイル品番 HDM24AQDVE 定格電流インダクタンス (khz ) 最大直流抵抗巻線仕様外形寸法
DM シリーズ 主な用途 スイッチング電源出力平滑用チョーク DC-DC コンバータ用チョーク ノイズ対策用ノーマルモードチョーク 力率改善回路用チョーク 特長 周波数特性 温度特性に優れています フェライトに比べて 飽和磁束密度が高いため 直流重畳特性が良く 小形化できます コアの電流重畳特性 () 9 8 コアの電流重畳特性 (2) 9 8 Percent permebility [%] 7 6
技術調査レポート(セット版)0318
1 MEMS MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) MEMS MEMS 1990 MEMS MEMS 2 MEMS MEMS MEMS mm ( ) MEMS MST 1mm 1m Ball Semiconductor Inc. IC [2] IC [2] Si 3 MEMS 2.1 MEMS DNA MEMS 80 MEMS ABS 2.0mm 15mm 4
報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の
報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので
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別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする
00_testo350カタログ貼込.indd
Committing to the future testo 350 C O NO NO HS HC ダストフィルターは簡単に交換 ワンタッチでコントロールユニットの装着 排ガス測定ボックス背面には開口部が ありメンテナンスが容易 蓋を外した状態 コントロールユニットは裏返しでも装着 可能 輸送時の衝撃から保護 ドレンタンクがついているので 長時間 測定でも安心 コントロールユニットの接続部分 現場でのさまざまな使用環境に対応
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LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化
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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au
Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.
ANJ-0005: 加速度センサーとは？
アプリケーション ノート 加速度センサーとは? by Tomoaki Tsuzuki 加速度センサーとは? 加速度センサーとは加速度の測定を目的とした慣性センサーです 振動センサーと異なり 加速度センサーは直流 (DC) の加速度が検出可能である為 加速度センサーを使って重力を検出する事も可能です 加速度を測定し適切な信号処理を行う事によって 傾きや動き 振動や衝撃等様々な情報が得られます 加速度センサーには
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広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
PEA_24回実装学会a.ppt
85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: yuimichi@5lab.co.jp 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由
<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D>
小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは
降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント
スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります
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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
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インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量
平成 30 年 1 月 5 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 低温で利用可能な弾性熱量効果を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子 としての応用が期待 発表のポイント 従来材料では 210K が最低温度であった超弾性注 1 に付随する冷却効果 ( 弾性熱量効果注 2
平成 30 年 1 月 5 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 低温で利用可能な弾性熱量効果を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子 としての応用が期待 発表のポイント 従来材料では 210K が最低温度であった超弾性注 1 に付随する冷却効果 ( 弾性熱量効果注 2 ) が Cu-Al-Mn 系超弾性合金において 22K まで得られること を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子として
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P
円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図
<4D F736F F F696E74202D D828CF897A64D454D53975A8D8790BB91A28CF68A4A94C22E B8CDD8AB B83685D>
高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化
インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ )
インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ ) 目次 活動目的と課題 ノイズの種類と影響 クロストークノイズのトレンド ダイナミック電源ノイズのトレンド まとめ 今後の課題
富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19
[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト
高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは
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1925 大和ハウス工業 S38.3~S60.9 5605 自動車鋳物 5804 大日電線 第 47 期 S35.12 - S36.5 第 48 期 S36.6 - S36.11 第 84 期 S35.4 - S35.9 第 85 期 S35.10 - S36.3 第 86 期 S36.4 - S36.9 有価証券届出書 ( 監査報告書 S35.12.24) S38.1 上場 5808 日立電線 第
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
Layout 1
Industrial communication センサーのデータにアクセスする ifm の IO-Link Digital connection technology for sensors とは? 今日のセンサーはシンプルな ON/OFF のセンサーから 大量のデータを処理するマイクロプロセッサーを搭載した高性能なデバイスまで進化してきました センサー内のデータにアクセスする IO-Link は以下の特徴があるインターフェースです
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支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介
2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画
LBV301 LBV321-XXHGDRAMX02000, オンラインデータシート
オンラインデータシート BV321-XXHGDRAMX02000 BV301 A B C D E F H I J K M N O P Q R S T 注文情報 タイプ 製品番号 BV321-XXHGDRAMX02000 6063991 その他の装置仕様 アクセサリ www.sick.com/bv301 図は実際と異なる場合があります 技術仕様詳細特徴 媒体 バルク材 測定法 ポイントレベル プローブ長さ
就職ブランド調査（1965年卒～2002年卒）
就職ブランド調査 時系列推移 (1965 年卒 ~ 2002 年卒 ) 注意点 1965 年卒から 1997 年卒までは 男子学生のみのランキングで 全体 はありません ( 文科系 理科系 のみ ) 1998 年卒以降については 女子学生を含めた 男女計 に変更になりました 2003 年卒以降については 文科系 理科系 に分けての公表はしておりません ( 修正 :2003 年 3 月 20 日 )
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( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続
名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
13. サーボモータ 第 13 章サーボモータ ロック付きサーボモータ 概要 ロック付きサーボモータの特性 油水対策 ケーブル サーボモータ定格回転速度 コネクタ取付
第 13 章サーボモータ...2 13.1 ロック付きサーボモータ...2 13.1.1 概要...2 13.1.2 ロック付きサーボモータの特性...4 13.2 油水対策...5 13.3 ケーブル...5 13.4 サーボモータ定格回転速度...5 13.5 コネクタ取付け...6 13-1 電磁ブレーキスイッチ 電磁ブレーキスイッチ 第 13 章サーボモータ 13.1 ロック付きサーボモータ
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt
MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト
EOS: 材料データシート(アルミニウム)
EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job
電力線重畳型機器認証技術
1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理
M シリーズモータポンプ 特長 V シリーズピストンポンプと電動機を一体にしたモータポンプです 形式記号説明 プレッシャコンペンセータ制御 M A E コンビネーション制御 ( 自圧式 ) M C H X E
M シリーズモータポンプ 特長 V シリーズピストンポンプと電動機を一体にしたモータポンプです 形式説明 プレッシャコンペンセータ制御 M A E 1 2 3 4 5 15 17 12 16 18 19 20 コンビネーション制御 ( 自圧式 ) M C H X E 1 2 3 4 7 8 13 15 17 12 16 18 19 20 コンビネーション制御 ( 電磁操作弁式 ) M C J X E
Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用]
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ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型
series Installed by
series Installed by 精密加工技術の 世界最高峰へ MB series 精密加工の頂点を追い求めた MBシリーズ より正確に より精密に より効率良く 山頂を目指すかの如く着実に一歩ずつ 日々 世界最高技術への探求を続けています 全機種に新開発NC装置 Smart NC を搭載 M35B MM35B MB MMB MB MMB UltraMMB 3シリーズ7機種 UltraMMB
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt
チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造
hetero
ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf
89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!
New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this
New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this way, it can be applied to various machines and devices.
新技術説明会 様式例
1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf
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振動分析計 VA-12 を用いた精密診断事例 リオン株式会社 振動分析計 VA-12 を用いた精密診断事例を紹介します 振動分析計 VA-12 は 振動計と高機能 FFT アナライザが一体となったハンディタイプの測定器です 振動計として使用する場合は加速度 速度 変位の同時計測 FFT アナライザとして使用する場合は 3200 ライン分解能 20kHz の連続リアルタイム分析が可能です また カラー液晶に日本語表示がされます
10 IDM NEC
No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3
インターリーブＡＤＣでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術
1 インターリーブADCでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術 浅見幸司 黒沢烈士 立岩武徳 宮島広行 小林春夫 ( 株 ) アドバンテスト 群馬大学 2 目次 1. 研究背景 目的 2. インターリーブADCの原理 3. チャネル間ミスマッチの影響 3.1. オフセットミスマッチの影響 3.2. ゲインミスマッチの影響 3.3. タイミングスキューの影響 4. 提案手法 4.1. インターリーブタイミングミスマッチ補正フィルタ
新技術説明会 様式例
フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
形式 :PDU 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力
計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 密着取付可能 アプリケーション例 容積式流量計のパルス信号を単位パルスに変換 機械の回転による無接点信号を単位パルスに変換
Micro Fans & Blowers Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 千葉県市原市辰巳台西
www.pelonistechnologies.com Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 290-0004 千葉県市原市辰巳台西 4-13-1-9-1 104-0041 東京都中央区新富 1-5-5-406 Tel:0436-98-2341 Fax:0436-98-2336 Tel:03-3206-6832 Fax:03-3206-6829
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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム
記者発表開催について
2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7
電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic
) ( ) ( 34,3 (1995))
4. MEMS 2 : MEMS ( ) DMD (Digital Micro mirror Device) FED (Field Emission Display) ( ) ( ) RF ( ) ( ) IC RF ( ) ) ( ) ( 34,3 (1995)) (M.Murata et.al.: IEICE Trans. Electron., E84-c (2001) p.1792) ( )
ComputerArchitecture.ppt
1 人間とコンピュータの違い コンピュータ 複雑な科学計算や膨大な量のデータの処理, さまざまな装置の制御, 通信などを定められた手順に従って間違いなく高速に実行する 人間 誰かに命令されなくても自発的に処理したり, 条件が変化しても臨機応変に対処できる 多くの問題解決を経験することで, より高度な問題解決法を考え出す 数値では表しにくい情報の処理ができる 2 コンピュータの構成要素 構成要素 ハードウェア
Microsoft Word - 80c08d3be78df73e f4a4e8a8940ab000fdaa2e doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック DC モータ用シーケンシャルデュアルブリッジドライバ ( 正 逆 切り替えドライバ ) は 正 逆転切り替え用として最適なブリッジドライバで正転 逆転 ストップ ブレーキの 4 モードがコントロールできます 出力電流は 1.0A (AVE.) および 2.0A (PEAK) 取り出せます 特に VTR のフロントローディング テープローディング用として最適な回路構成であり出力側と制御側の二系統電源端子を有しており
Acrobat Distiller, Job 2
2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX
EVにおけるパワーコントロールユニットの放熱・冷却技術の市場展望
< 新刊レポートのご案内 > EV におけるパワーコントロールユニット の放熱 冷却技術の市場展望 * 発刊日 :2019 年 3 月 22 日 * 納品形態 : ハードコピー 1 部 ( 約 241 頁 ), CD1 枚 * 価格 : 530,000-( 税別 ) 103-0004 東京都中央区東日本橋 3-10-14 サンライズ橘ビル株式会社ジャパンマーケティングサーベイ Tel:03-5641-2871
スライド 1
( 第 16 回 ) MEMS 集中講義 in 豊田工大プログラム 8 月 2 日 ( 木 ) 10:00-10:30 1. MEMS マイクロマシニングの概論 [ 江刺 ] 10:30-12:00 2. 豊田工大と その施設および MEMS 研究の紹介 [ 豊田工大佐々木 ] 12:00-13:30 昼食 (30 分 ) 研究室見学 (15 分 ) CR 見学 (25 分 )(3 グループ分割で順序入替により混雑回避
推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)
精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単
⑧差替え2_新技術説明会_神戸大_川南
固体冷媒を いた 次世代磁気ヒートポンプの研究開発 神 学 学院 学研究科機械 学専攻 准教授川南剛 発表概要 p 研究開発の動機および研究の意義 p 新技術の特徴 従来技術との 較 p これまでの研究成果 p 技術の問題点 p 企業への期待 p まとめ 1 研究開発の動機と意義 国内の排出削減 吸収量の確保により 2030年度に2013 年度 ｰ26.0% 2005 年度比 ｰ25.4% の水準
技術ロードマップから見る2030年の社会
日本機械学会年次大会ワークショップ 技術ロードマップから見る 2030 年の社会 W26200 イノベーションセンター技術ロードマップ委員会企画 9 月 13 日 ( 火 ) 9:30-12:00 企画 : 平澤茂樹 渡邉政嘉司会 : 大富浩一 1 議事次第 9:30 9:50 10:05 10:20 (25) 10:45 11:00 11:15 11:30 (30) 12:00 (1) 技術ロードマップから見た2030
elm73xxxxxxa_jp.indd
概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき
P116-P119 _ SMPi_1-4P_02
主な特長 フィールドバス (IO リンク *) に対応しているため外部信号によるパラメーター設定やステータス確認が可能 極性 (NPN PNP) 設定変更機能 強力な吸い込み 真空破壊 利点 離れた場所でのシステム管理および素早い対処が可能 急なシステム変更にも柔軟に対応 サイクルタイムの短縮 生産性の向上 ディスプレイ付き設定パネル エアセービング機能を搭載した ( 型式 :RD ) もラインアップ
Microsoft PowerPoint - kasuga-workshop2017料(201７) - コピー.pptx
ESD 対策技術ワークショップ 静電気管理に必要な静電気測定方法 (2017) 春日電機 ( 株 ) 営業技術部鈴木輝夫 1 ESDC のための静電気管理に必要な帯電電位と電荷量測定管理方法 1. 電子産業分野での静電気測定の特徴 測定対象物 絶縁物と導体が混在している部品 製品 誘導帯電現象 小さい部品 測定エリアが小さい測定器 低い電圧 数ボルトの電圧を正確に測定できる測定器 小さな電荷量 測定個所が膨大
TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 15 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の
TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 5 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の中から選択可能です TITAN プローブのもつ優れたインピーダンス整合 電気特性 チップの視認性 長寿命をすべて兼ね備えています
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -
CCD イメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用 は 当社製 CCDイメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて とPCを接続することにより PCからの制御でセンサのアナログビデオ信号をデジタル出力に変換し PCに取り込むことができます は センサを駆動するセンサ基板 センサ基板の駆動と
ジャイロスコープの実験
振動実験 2018 年版 目的 : 機械及び電気工学実験における 機械振動の測定 では 1 自由度振動系に関して自由振動より固有振動数および減衰比を 強制振動より振幅倍率と位相差の周波数変化を求めた 本実験では
<4D F736F F F696E74202D E9E91E382D682CC88B38F6B8BF38B438EA993AE8ED C28E528A E58A D190E690B6816A2E7
新時代への圧縮空気自動車 青山学院大学理工学部機械創造工学科教授林光一湘南工科大学機械デザイン工学科講師佐藤博之 Aerospace System Laboratory, Aoyama Gakuin University 1 統計 Oil Conversion(Million ton) 8000 6000 4000 2000 UN BP Statistics WW I WW II Nuclear hydraulics
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M
MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また
PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Cir
PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Circuit Serial Programmming 原則論を解説 PIC の種類によって多少異なる 1
<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>
量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 シリーズ 波長板 シリーズ 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター
偏光板 波長板 円偏光板総合カタログ 偏光板 波長板 自社製高機能フィルムをガラスで挟み接着した光学フィルター 光について ルケオの光学フィルター でんじは 光とは 電磁波の一種です 波のような性質があります 電磁波とは 電界と磁界が互いに影響し合いながら空間を伝わっていく波のことを言います 電磁波は 波長により次のように分類されます 人の目で認識できる光を可視光線と言います 創業時から 50 年以上かけて培ってきた光学フィルム製造技術や接着技術があります