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Lithography WG 活動報告 ITRS 2015 に見る リソグラフィ技術の最新動向 STRJ WS 2016 年 3 月 4 日品川 : コクヨホール WG5 主査 : 上澤史且 ( ソニー ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 - JEITA

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微細化は終わり? ー リソグラフィ技術の最新動向 ー WG5 ( リソグラフィ Working Group) 富士通セミコンダクター ( 株 ) 千々松達夫 - 内容 - WG5 の活動体制 デバイスメーカー微細化の状況 リソ微細化技術の状況 まとめ 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 -JEITA 半導体部会 / 関連会社 - 千々松達夫 / リーダー ( 富士通セミコンタ クター )

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リソグラフィの最新状況 WG5 ( リソグラフィ WG) ルネサスエレクトロニクス ( 株 ) 内山貴之 - 内容 - WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 ITRS 2011 リソグラフィの概要 リソグラフィの最新状況 まとめ 1 略語 NA Numerical Aperture CD Critical Dimension CDU CD Uniformity DOF Depth of Focus

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EUV は間に合うか それともトリプルパターンニングか? ーリソグラフィ技術の最新動向ー WG5 ( リソグラフィ Working Group) 富士通セミコンダクター ( 株 ) 千々松達夫 - 内容 - WG5 の活動体制 EUV か トリプルパターニングか その他のトピックス まとめ STRJ WS: March 8, 2013, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制

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2016 年度活動報告 リソグラフィー専門委員会 2017.05.09 高橋和弘リソグラフィー専門委員会委員長 リソグラフィ専門委員会 委員長 キヤノン ( 株 ) 高橋和弘 副委員長 ( 株 ) ニコン 奥村正彦 委員 ( 株 ) アドバンテスト 黒川正樹 ウシオ電機 ( 株 ) 笠間邦彦 ギガフォトン ( 株 ) 黒須明彦 信越石英 ( 株 ) 西村裕幸 東京エレクトロン ( 株 ) 中島英男

2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

1 2003 2 CD 15 ITWG International technology working group[ ] ESH Environment, Safety, and Health[ ] TWG RET resolution enhancement techniques OAI off-axis illumination PSM phase shifting masks OPC optical

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

WG5: ArF NGL STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 2 WG5 27 STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 3 Outline 1. ITRS Lithography Roadmap 2. ArF (193nm), ArF F 2 (157nm),EUVL PEL (Leepl), EPL, ML2 Imprint,

45nm以降に向けたリソグラフィ技術 －ArF液浸への期待とその後の展開－

1 45nm ArF WG5 WG5 2 3 2004 Update Potential Solutions ArF EUV (ML2) 4 2004 Update Potential Solutions - Potential Solutions CD (total CD control) 4nm(3s) CD "Red" 2005 Changes to coloring, footnotes,

13 EUVA EUV EUVLL (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA EUV W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC EUVA NEDO

13 EUVA EUV EUVLL 2002 6 (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA 2002 2005 EUV 2007 2 2005 1050W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC 1 2008 2010 EUVA NEDO EUVA EUV 2006 Selete EUVA 1. EUVA 436nm 365nm 1/17 KrF

Linda

1 2005 ArF(193 nm) CoO(Cost of Owership) CD(Critical Dimension) (Difficult Challenges) (Potential Solutions) 15 ITWG International technology working group[ ] FEP(Front End Processing) ESH Environment,

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ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005

Main-Title

平成 19 年 5 月 30 日 記者説明会 次世代半導体微細加工技術が実現可能に ~ 国内 EUV リソグラフィ技術開発本格化へ解像度 26nm を達成 ~ 技術説明 第三研究部 森一朗 1 EUVL 技術開発フェーズへの認識 基礎研究 φ1 Feasibility study ASET, MIRAI1/2, EUVA, Leading PJ 基礎研究要素開発 量産を目指した基盤技術開発 MIRAI3

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/ Lithography Conventional DRC+Lithographic DRC (Metrology: SEM OPE ) CD-SEM IP CD-SEM Hot Spot 1 DRC: Design Rule Check CD-SEM: Critical Dimension-Scanning Electron Microscope Hot spot: Systematic defect:

第7章 WG5 リソグラフィ

第 6 章 WG5 リソグラフィ 6-1 はじめに 2008 年度 WG5( リソグラフィ WG) では ITRS2008update 版の作成に向けて 技術世代に対応した解決策候補 (Potential Solutions) の技術調査 各種テーブルの見直し クロスカット活動などを行うとともに 2009 版の作成指針を絞り込んだ Lithography itwg は SEMATECH から出ているリーダーの下

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技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

設計現場からの課題抽出と提言 なぜ開発は遅れるか？その解決策は？

Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 1 WG1: NEC STARC STARC Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 2 WG1 ITRS Design System Drivers SoC EDA Work in Progress

2001 Format for ITRS

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2013 年版 リソグラフィ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

フォトポリマー懇話会

半導体向け EUV リソグラフィの現状と展望 株式会社東芝セミコンダクター & ストレージ社半導体研究開発センターリソグラフィプロセス技術開発部内山貴之 2015 Toshiba Corporation 内容 1. はじめに デバイスのスケーリングとリソグラフィ技術 次世代リソグラフィ技術の現状と課題 2. EUV リソグラフィの概要 EUV リソグラフィの課題 高 NA-EUV リソグラフィ 3.

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モデリング & シミュレーションの 現状と経済的効果 モデリング / シミュレーション WG (WG10) 佐藤成生青木伸俊 國清辰也 木村光紀 泉直希 麻多進 海本博之 林洋一 藤原秀二 西尾修 中村光利 小方誠司 和田哲典 佐野伸行 三浦道子 大野隆央 谷口研二 小谷教彦 STRJ WS: March 6, 2009, WG10 1 構成メンバー 氏名組織役割主担当領域 佐藤成生 富士通マイクロエレクトロニクス主査

2001 Format for ITRS

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2011 年版 リソグラフィ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

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LER/LWR WG4 /WG5 /WG6(PIDS)/WG11 65nm WG11 1 LER/LWR 2004 UPDATE LER/LWR 2 1. LER/LWR 2. * * 3. 4. * Lithography/PIDS/Interconnect 5. 3 1. LER/LWR Line-Edge Roughness (LER) L y Line-Width Roughness (LWR)

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第 2 編リソグラフィ WG 第 1 章はじめに 1-1 背景 ITRS ならびに STRJ のロードマップには デバイスメーカ主体の観点で今後のデバイスの将来像が描かれている これはその将来のデバイスの実現のために それぞれの技術研究開発を集約し市場にデバイスが供給可能な体制をいつまでに整える必要があるかを明示している 図 2-1-1 デバイス量産立ち上がりカーブ Figure 2-1-1 Production

JJTRC 2005

Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 1 Jisso 2006310 STRJ WG-7 () Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 2 ( JEITA Chairman: () Chairman: () :

JAIST Reposi Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: Issu

JAIST Reposi https://dspace.j Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: 661-666 Issue Date 2009-10-24 Type Conference Paper Text version

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

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1 Litho 計測の現状と課題 ( 計測 WG) & 故障解析 SWG 活動状況報告 2 Litho 計測の現状と課題 ( 計測 WG) メンバー 河村栄一 ( 富士通マイクロエレクトロニクス ) 山崎裕一郎 ( 東芝 ) 上澤史且 (SONY) 清水澄人 ( パナソニック ) 横田和樹 (NECEL) 市川昌和 ( 東京大学 ) 水野文夫 ( 明星大学 ) 小島勇夫 ( 産総研 ) 池野昌彦 (

DiovNT

トピックス X 線露光技術の現状 田口孝雄, 松井安次 技術研究組合 超先端電子技術開発機構 Advances in Proximity X-ray Lithography Takao TAGUCHI and Yasuji MATSUI Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET) This article reviews

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

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1-1 1.CMOS 技術の最前線 国際半導体技術ロードマップから見た CMOS 技術動向 Trends in CMOS Technology Based on ITRS 2011 Edition 石内秀美 ITRS( 国際半導体技術ロードマップ ) は, 世界 5 極 ( 欧州, 日本, 韓国, 台湾, 米国 ) の半導体工業会 (ESIA,JEI- TA,KSIA,TSIA,SIA) がスポンサーとなって,

先端ナノパターニング材料 プロセス国際ワークショップ参加申込書 氏名所属住所 TEL 懇親会参加します 参加しません ( いずれかを消して下さい )

先端ナノパターニング材料 プロセス 国際ワークショップ 大阪大学産業科学研究所田川精一 早稲田大学理工学術院 総合研究所鷲尾方一 謹啓 半導体デバイスの微細化は進展を続けており 本年は MPU DRAM デバイスでは 32nm NAND フラッシュデバイスでは 22nm 以下のそれぞれ最小ハーフピッチパターンが求められています 2015 年にはそれぞれ 22nm 16nm 2018 年にはそれぞれ

<4D F736F F F696E74202D B9E93738D EF2891E590BC90E690B68E9197BF292E707074>

平成 28 年 4 月 28 日 ( 木 ) シンビオ社会研究会講演会京都大学, 百周年時計台記念館 LSI の開発競争と EUV 光源の研究 大西正視 Out Line of Talk 1) Background of the research What is EUV? Why is EUV? 2) Semi conductor Lithography 3) Microwave Discharge

VLSI はすべての IT の要 ほぼすべての IT 機器 システムのの性能は VLSI が決めている Town VLSI は今も進歩を続けている 今後 年は間違いなくシリコンが主役 CMOS は必ずしも最速ではない集積度 信頼度を含めた総合力 将来の高度 IT の要求に応えるにはさらな

1 2005 年 5 月 11 日電子 情報技術ロードマップ成果報告会 平本俊郎東京大学生産技術研究所 1. はじめに : 半導体分野を取りまく状況 2. 半導体分野の特徴 3. 本半導体ロードマップの特徴 4. ロードマップの 2 つの柱 4.1. 低消費電力電力 システム LSI 基盤技術 4.2. SoC 開発 / 製造工程のエンジニアリング 5. まとめ VLSI はすべての IT の要 ほぼすべての

Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc.

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 Copyright Gigaphoton Inc. ギガフォトンの事業概要 2 半導体露光 光源ビジネス 液晶アニール 光源ビジネス 本体販売先 部品販売先 ASML, Nikon, Canon Intel, Toshiba, Samsung, TSMC など半導体メーカ

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

H1-H4_cs5.indd

No.001 CO 2 CO 2 LASER OPTICS For CO Laser 2 Processing 01 住友電工はCO2レーザ加工機の発振器系から伝送系 集光系まですべての光学部品をご提供します Sumitomo Electric provides all optical components including resonator optics, beam delivery optics

表紙_偏光・位相差デバイスのコピー

2 Table of Contents 2 Note: Polarizers are available from less than 5mm square to 200 mm and greater diameter Polarizers Retarders 3 Polarizers Retarders Fig. 1-2 4 Polarizers Retarders polarizer. Polarized

報告書

(University College Dublin) 22 2 15 22 4 10 宇都宮大学オプティクス教育研究センター はじめに アイルランドのダブリンにあるアイランド国立大学ダブリン校 (University College Dublin) において 約 2 ヶ月間の短期研究留学を行った O Sullivan 教授と Dunne 准教授の研究室に滞 在し 極端紫外光 (XUV) に関する研究に従事させて頂き

研究成果報告書(基金分)

25 6 7 (EUV) 2 34 nm L/S Rate constants for the reaction of the electrons with triphenylsulfonium triflate (TPS-Tf) and pinanediol monosulfonates, which consist of tosylate (PiTs) or 4-trifluoromethylbenzenesulfonate

メニュー0827 ＋ジャムセッション

M E N U Publish Bar since 1971? 850 850 900 1000 850 850 A 1000 1000 600 400 900 A & 1400 1400 1450 1550 1550 1150 1450 B & 1150 & & & & & & 1150 1200 1300 1300 900 1200 C & 1150 & & & & & & & 1150 1200

14 2 1 1 2 2 1 2 2 2 2 3 2 3 6 2 4 7 2 5 8 3 3 1 10 3 2 12 4 4 1 14 4 17 4 19 4 3 1 22 4 3 2 28 4 3 3 31 5 34 6 36 37 38 1. Ti:Sapphire 2. (1) (2) 2. 2. (3)(4) (5) 2 2 1 (6) 2. 3. 4 3.. 5 4 3. 6 2 5. 1

DiovNT

EUV 露光技術の開発と放射光の役割 岡崎信次技術研究組合超先端電子技術開発機構 135 8073 東京都江東区青海 2 45 タイム24ビル10F 要旨光リソグラフィの解像限界を突破する技術として,EUV (Extreme Ultra-Violet) 光を用いた露光技術が注目されている 本技術によれば, ナノメータ領域の量産加工技術も見えてくるが, 開発課題も多い EUV 露光の光源として, 放射光を用いることは無いが,

藤村氏(論文1).indd

Nano-pattern profile control technology using reactive ion etching Megumi Fujimura, Yasuo Hosoda, Masahiro Katsumura, Masaki Kobayashi, Hiroaki Kitahara Kazunobu Hashimoto, Osamu Kasono, Tetsuya Iida,

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High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

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WG6(PIDS 及び RF&AMS) 活動報告 ITRS2.0~ デバイス微細化の終焉と 3D Functional Scaling STRJ WS 2015 2016 年 3 月 4 日品川 : コクヨホール WG6 主査 : 福崎勇三 ( ソニー ) WG6 副主査 : 井上裕文 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4,

<4D F736F F D2082B182EA837A CC8DC E9197BF332D322D A955D89BF816988C4816A8A DCF F4390B38DCF CEA8F4390B DCF817A2E6

第 20 回研究評価委員会 資料 3-2-3 極端紫外線 (EUV) 露光システム開発プロジェクト 事後評価報告書 ( 案 ) 概要 目 次 ( 頁 ) 分科会委員名簿 1 プロジェクト概要 2 評価概要 ( 案 ) 6 評点結果 12 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会 極端紫外線(EUV) 露光システム開発プロジェクト ( 事後評価 ) 分科会委員名簿 氏名 所属 (

Linda

1 METROLOGY ITRS IC IC 1/10 FIN IC 2 3 SOI ITRS 2003 10 32nm FINFET High-k Low-k FEP SOI 22nm Cu ( ) CIM computer integrated manufacturing APC advanced process control CoO(Cost Of Ownership) 3 2005 CD

<4D F736F F D20362E312090B691CC8DD796458ACF8E4082CC82BD82DF82CC92B48D8290B F578CF590FC837E B82CC8DEC90BB82C68D645890FC D95AA8CF B F CC8A4A94AD2E646F63>

6.7 極端紫外光源の開発 () 研究の背景と目的半導体デバイスの微細化進展に伴って LSI 製造プロセス中のリソグラフィ用光源は 可視光領域から水銀ランプの g 線 ( 波長 :λ=436nm) I 線 (λ=365nm) を経て KrF エキシマレーザ (λ=48nm) ArF レーザ (λ=93nm) と より短い波長へ推移してきた ITRS (International technology

ArF, KrF,, CO 2 ) X MFE ITER IFE ns, MJ/ ns, MJ/ ms, MJ/ ELM JT60-SA, ITER, DEMO [µm] W 65kV 2.3A [ ] Simple estimation of the threshold thermal load on divertor surface with ELM For Carbon Divertor Case

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2003 年 3 月 3 日 STRJ ワークショップ 0 過去 40 年の

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SoC -SWG ATE -SWG 2004 2005 1 SEAJ 2 VLSI 3 How can we improve manageability of the divergence between validation and manufacturing equipment? What is the cost and capability optimal SOC test approach?

Potential Solutions

ITRS 2004 Update ITRS 2004 12 1 2004 ITRS Update,, - P. Gargini - - W. Arden - - H. Sohn - P. Gargini - 2004 ITRS Update 2004 Update Technology Node DRAM M1 2003 ITRS (hpxx ) 2004 Update Technology Node

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活動報告 WG15 MEMS STRJ WS2015 WG15(MEMS) 活動報告 ~ITRSでのMEMS 動向紹介と出口アプリとしてのヘルスケア向けモバイル機器動向 ~ 2015 年 3 月 6 日 ( 金 ) WG15 主査 : 古賀章浩 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 6, 2015,WG15(MEMS) 1 構成メンバー

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UP 2008/2/16 20080216 UP 1. 28% SFA 2. 3. 2008/02/16 (C)2008 2 1 UP 2008/2/16 20081 () ABC 20078 MR MR 2008/02/16 (C)2008 3 2008/02/16 (C)2008 4 2 UP 2008/2/16 1. 2. 3. 4. 5. 6. 2008 2008/02/16 (C)2008

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1959 TOC 2007 TOC CCPM) TOC OPT 1970 s 1980 s 1990 s 2000 s The New Economics NTT Input Output TOC (Theory Of Constraint) Focus =Not to do The Focusing Steps IDENTIFY the system s constraint(s). Decide

158 A (3) X X (X-raystressmeasurement) X X 10μm (4) X X (neutron stress measurement) X (5) (magnetostriction) (magnetostriction stress measurem

A 1) A.1 (point-by-point measurement) (full-field measurement) A.1 A.2 A.1.1 (1) (electric resistance strain meter) 0.2ο120mm 1 10 6 (2) 2 2 (extensometer) 157 158 A (3) X X (X-raystressmeasurement) X

「EUV」中間評価報告書（案）.PDF

EUV 1 2 3 4 7 8 1-1 2-1 2-2 1-1 1 2 EUV 3 4 5 6 7 研究評価委員会委員名簿 委員長曽我直弘滋賀県立大学学長 委員伊東弘一大阪府立大学大学院工学研究科教授 稲葉陽二 日本大学法学部教授 大西優 株式会社カネカ顧問 尾形仁士 三菱電機株式会社上席常務執行役開発本部長 黒川淳一 横浜国立大学大学院工学研究院教授 小柳光正 東北大学大学院工学研究科教授 佐久間一郎

ここまで進化した! 外観検査システムの今 表 2 2 焦点ラインスキャンカメラ製品仕様 項目 仕 様 ラインセンサ 4K ラインセンサ 2 光学系 ビームスプリッター (F2.8) ピクセルサイズ 7μm 7μm, 4096 pixels 波長帯域 400nm ~ 900nm 感度 可視光 : 量子

2 焦点ラインスキャンカメラ 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムによる分光を用いた特殊カメラ 専用レンズの製造販売を行っている 本稿では プルズム分光技術を使用し 可視領域で異なる 2 面に焦点を結ぶようにラインセンサを配置した 2 焦点ラインスキャンカメラ ( 写真 1) および専用レンズについて紹介する 1 開発の経緯と技術的特長 透明物体の表面と裏面の画像を同時に取得する また 凹凸のある製品

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小型 低コストパッケージとして実用化が始まる FO-WLP 2016 年 3 月 4 日 WG7 リーダ : 杉崎吉昭 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG7Assembly&Packaging 1 WG7 の活動概要 ファンアウト型パッケージ (FO-WLP) の動向 FO-WLP の概要と課題 各社製造プロセスの動向

03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf

89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!

06-渡辺広明.indd

1 12 2 5 2 DVD 1995 QV1 3 268 4 17 42212 5 6 2 8 CIPA 12 7 1 2 2 1 23 4 25 6 1 27 18 1 2 9 121 1 2 2 2 43 23 2.8 1 2 1 4 1 5 5 CIPA 211 9 12 18 1 6 13 1 7 7 29 25 1 6 1 1 2 21 1 117 2 16 3 SDIC1 4 5 67

先端テクノロジにおけるDFM取り組み事例 ～ファブレスとEDAベンダ及び外部ファブとの関係～

先端テクノロジにおける DFM 取り組み事例 ~ ファブレスと EDA ベンダ及び外部ファブとの関係 ~ 2014 年 7 月 18 日富士通セミコンダクター ( 株 ) 共通テクノロジ開発センター第三設計技術部花蜜宏晃 Copyright 2014 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 目次 富士通セミコンダクターのご紹介 DFMの位置付け 事例 1: ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化

<4D F736F F D A955D89BF95F18D908F C4816A81418F9C82AD ED28EC08E7B8ED28E9197BF E955D89BF8F91CCABB0CFAFC493C696408DC C55F FC92F95F E A A819A2E646F6

極端紫外線 (EUV) 露光システム開発プロジェクト 事後評価報告書 平成 21 年 2 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会 平成 年 月 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構研究評価委員会委員長 NEDO 技術委員 技術委員会等規程第 3 条の規定に基づき 別添のとおり評価結果について報告します 目次 はじめに

[Opening Session]

PMJ2016 学会報告 1. はじめに PMJ2016 論文委員長大日本印刷株式会社吉岡信行 2016 年 4 月 6 日から 8 日にかけてパシフィコ横浜で PMJ2016 学会が開催された 以下に PMJ2016 学会についての報告を行う 2. 投稿論文数と傾向 PMJ2016 では全体で 63 件の発表が行われた そのうち Oral 発表が 27 件 Poster 発表が 26 件 招待講演が

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

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カールツァイス社 ZEISS Lenses for Line Scan and Large Image Format General Features 高精度マニュアルフォーカス& アイリス調整 堅牢なフルメタル構造 忠実な色表現 マシンビジョン 43mm ラインスキャンカメラ対応 マシンビジョン 24x36mm エリアスキャンカメラ対応 Index Introduction 4 Interlock

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................

Description

Metal Hybrid Inductor Description Metal Hybrid Inductor Magnetically shielded Suitable for Large Current Size: 4.3 x 4.3 x H2.1 mm Max. Product weight:.18g (Ref.) Halogen Free available Operating temperature

Microsoft Word - 0-1_Ishiuchi.doc

第 13 章 WG11 メトロロジ ( 計測 ) 13-1 はじめに 2006 年は WG11の活動が YE(Yield Enhancement) Metrology WECC(Wafer Environmental Contamination Control) と3の分野の領域分け鮮明になってきたが リソース的制限の中で metrologyの2006 年の報告として 1ITRS2006のUpdateの説明と

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

幅広い業種や業務に適応可能なRFIDソリューション

RFID RFID Solution Applicable to Various Types of Business 吉 田 正 橋 本 繁 落 合 孝 直 あらまし UHF RFID Radio Frequency IDentification UHF RFID RFID UHF RFID Abstract UHF-band Radio Frequency IDentification (RFID)

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1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of

PC LC8 TLSXB92JC (%) 5 15 25 3 35 (h) : D-SUB : RS-232C WORLD-WIDE OPERATION 142 227 311 142 227 311 (%) 9 7 5 3 1 : LC8 : A14-5-11 5 mm1 m 1 3 5 (%) 142 227 311 142 227 311 TLSXB143JB 7 9 mm TLSXB144JB

Microsoft Word - 題名.doc

1964 1966 RII 1 1 2 17 X 1 1 2 3.5.7 2 3 X. X 13 4 X X 20 5 X 28 X 29 6 X 31 7 X MTF 34 1 1 2 2 9 8 13 X X 18 3 X 23 1 1 2 X X 2 3 11 4 X 15 1 1 2 O.T.F. X X Film 6 8 10 3 X 11 14 1 1 1 1 1 2 3 4 T.V.

資源と素材

(Shigen to Sozai) Vol.116 p. 285 290 (2000) 共存硫酸塩を含む強酸性 MnSO 4 溶液中のオゾン酸化によって生成した沈殿の X 線回折および放電特性 * 西村忠久 1 梅津良昭 2 X-ray Diffraction and Discharge Behavior of Precipitates Produced by Ozone Oxidation in

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1 4 4 6 8 10 30 13 14 16 16 17 18 19 19 96 21 23 24 3 27 27 4 27 128 24 4 1 50 by ( 30 30 200 30 30 24 4 TOP 10 2012 8 22 3 1 7 1,000 100 30 26 3 140 21 60 98 88,000 96 3 5 29 300 21 21 11 21

IHIMU Energy-Saving Principle of the IHIMU Semicircular Duct and Its Application to the Flow Field Around Full Scale Ships IHI GHG IHIMU CFD PIV IHI M

IHIMU Energy-Saving Principle of the IHIMU Semicircular Duct and Its Application to the Flow Field Around Full Scale Ships IHI GHG IHIMU PIV IHI Marine United Inc. ( IHIMU ) has already developed several

Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF

ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を

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2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

Manufacturing Processes Machining Casting Process Welding, Bonding and Cutting Plastic Working Cutting Process Abrasive Machining

I Academic English I Lesson 11 Manufacturing Processes Machining Casting Process Welding, Bonding and Cutting Plastic Working Cutting Process Abrasive Machining Machining 1 primary forming process secondary

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

PMJ2018 学会報告 PMJ2018 論文委員長 レーザーテック株式会社武久究 1. はじめにフォトマスクに関する国内唯一の国際学会である PMJ の今年の学会 (PMJ2018) は 2018 年 4 月 18 日から 20 日の3 日間 パシフィコ横浜において開催された 今年の PMJ は

PMJ2018 学会報告 PMJ2018 論文委員長 レーザーテック株式会社武久究 1. はじめにフォトマスクに関する国内唯一の国際学会である PMJ の今年の学会 (PMJ2018) は 2018 年 4 月 18 日から 20 日の3 日間 パシフィコ横浜において開催された 今年の PMJ は 25 回目ということで 記念大会として特別セッションを設け バンケットは例年より長めに設定した 以下

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

INTERNATIONAL

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2009 年版 メトロロジ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

(Blackbody Radiation) (Stefan-Boltzmann s Law) (Wien s Displacement Law)

( ) ( ) 2002.11 1 1 1.1 (Blackbody Radiation).............................. 1 1.2 (Stefan-Boltzmann s Law)................ 1 1.3 (Wien s Displacement Law)....................... 2 1.4 (Kirchhoff s Law)...........................

SEM 式 PEM 式 TDI センサ TDI sensor 電子銃 Electron gun 検出器 Detector 電子銃 Electron gun EUV マスク EUV mask 点照射 Point exposure 面照射 Areal exposure EUV マスク EUV mask

論文 EUV マスク欠陥検査に用いる新写像投影 (PEM) 式電子光学系の製作 * 畠山雅規 村上武司 狩俣努 * 渡辺賢治 寺尾健二 * Development of Novel Optical System based on Projection Electron Microscopy (PEM) for EUV Mask Inspection by Masahiro HATAKEYAMA, Takeshi

4_Laser.dvi

1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

土木学会構造工学論文集(2009.3)

Vol. A (9 3 Slip resistance and fatigue strength of friction type of high strength bolted connections with laser cutting holes Eiji Iwasaki, Tatsuya Yamano, Takeshi Mori ( 94-2188 163-1 ( 649-111 137-1

日本電子News Vol.41, 2009

CD X Axis [mm] Y Axis [mm] - - Magnification: 150k (0, -30mm) 26 nm 24 nm 1 26 nm 26 nm (30mm, 0) Center (0, -30mm) 48 nm (0, 30mm) 48 nm 48 nm 48 nm 48 nm E-beam resist Resist image Silicon mold Dose

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

スライド 1

パワーデバイスの故障解析 あらゆるサイズ 形状のダイオード MOS FET IGBT 等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面 IR-OBIRCH 解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします 解析の前処理 - 裏面研磨 - 平面研磨 各種サンプル形態に対応します Si チップサイズ :200um~15mm 角 ヒートシンク チップ封止樹脂パッケージ状態の裏面研磨 開封済みチップの裏面研磨

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

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