自動車 家電関係の MEMS 圧力センサ加速度センサジャイロスコープ磁気センサマイクロフォン 2
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- よりとし さわい
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1 S. Tanaka Lab s Propriety mems tohoku 1 自動車 家電 ( 圧力センサ, 加速度センサ, シ ャイロ, 磁気センサ, マイクロフォン ) 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学 In cooperation with
2 自動車 家電関係の MEMS 圧力センサ加速度センサジャイロスコープ磁気センサマイクロフォン 2
3 mems tohoku 3 圧力センサ In cooperation with
4 Piezoresistive Silicon Pressure Sensor 4 I R 1 R 4 +ΔR ΔR ΔR +ΔR R 2 R 3 Diffused resistor Diaphragm Glue Ceramics ΔV Thermal oxidation Boron diffusion Metalization Backside etching Dicing Output from the bridge circuit R1R 3 R2R4 V = I R + R + R + R V 1 If R 1 = R2 = R3 = R4, and R 1 R 1 +ΔR, R 2 R 2 ΔR, R 3 R 3 +ΔR, R 4 R 4 ΔR = R I K K R 2 3 = KRεI K and R have temperature coefficient, α and β, respectively. V = R I = 0 0 (1 + αt ) R (1 + βt ) εi (1 + ( α + β )) εi α is minus and β is plus, and thus (α+β) can be zero, depending on dopant. 立石電機 ( オムロン ), 1982
5 Temperature Coefficient of Sensitivity Gauge factor Temperature coefficient of sensitivity ( 10 3 /K) Dopant concentration (atom/cm 3 ) Temperature ( ) 5 Temperature dependence of gauge factor at different dopant concentration The temperature coefficient of gauge factor (α) and that of resistivity (β) cancel at specific dopant concentrations. Boron concentration vs. Temperature coefficient of sensitivity (TCS) TCS is zero around dopant concentrations of atoms/cm 3 and atoms/cm 3
6 ゼロバイアスドリフトの抑制 M. Esashi, Sensors and Actuators, 4 (1983) ) 埋め込み歪抵抗素子 Si p type Si p type Si (for contact) n type Si n type Si Standard piezoresistor n type Si Buried piezoresistor 2) パッシベ ション (LPCVD による SiO 2 と SiN) 6 3) 特に変形部への拡散配線の利用
7 Integrated Capacitive Pressure Sensor Sander, Knutti and Meindl, IEEE Trans. Elect. Dev., ED-27 (1980) 3 mm Capacitive absolute pressure sensor Hermetic sealing by anodic bonding 7
8 Integrated Capacitive Pressure Sensor T. Kudoh et al. (Tohoku Univ.), Sens. Actuators A, 29 (1991) (Shield) 8 (Toyoda JTEKT 2006~)
9 Influence of Anodic Bonding to Circuits Shirai, Esashi (Tohoku Univ.), Tech. Report IEEJ, ST-92-7, (1992) 9-17 J. Micromech. Microeng. 12 (2002) 361 MOSFET is not affected by anodic bonding, because gates and electrodes are connected to a substrate through pn junctions, working as shields. MOS capacitors 400 ºC, 800 V, 10 min 9 A pn junction shielded by an Al electrode is not affected by anodic bonding. A shield in the glass cavity is effective for protection, but not essential.
10 Resonating Pressure Sensor (Yokogawa) K. Ikeda et al. (Yokogawa Electric), 7th Sensors Symposium (1988) 55 10
11 Indoor Navigation by MEMS Sensors Figure: ISID and Mecello 100 Pa 8 m 11 Figure: STMicroelectronics
12 Piezoresistive Pressure Sensor (Bosch) Lammel et al. (Bosch), Transducers In comparison with (a), (b) is Thinner Processed from one side Not using borosilicate glass Naturally equipped with overpressure protection
13 Piezoresistive Pressure Sensor (Bosch) Armbruster et al. (Bosch), Transducers 03 (b) 低電流密度で p+ 層を空孔率 45 % でポーラス化 高電流密度でバルク p-si を空孔率 70 % でポーラス化 (c) 水素中 900~1100 アニーリング ポーラス Si の還元 凝集, キャビティ形成 13
14 VENSENS Pressure Sensor (STMicroelectronics) Si substrate DRIE making hole array Si reflow by vacuum annealing 14
15 ピエゾ抵抗型圧力センサのパッケージング T. Spear, A. Leung, W. Ko, Packaging of interacranical pressure telemetering unit for chronic implantation, in Micromachining and Micropackaging of Transducers, Elsevier (1985) μm 厚の Au ダイヤフラムで圧力センサを支えてパッケージからの応力の影響を低減 15 台座からの応力を緩和
16 耐蝕 耐熱容量型サファイア圧力センサ ( 山武 ) 2006 マイクロマシン /MEMS 技術大全, 104 薄い 16
17 実装応力に強いモノリシック圧力センサ ( 上海 SIMIT) J. Wang, L.Yang, X. Li, Shanghai Institute of Microsystem and Information, IEEE MEMS 2013, 49-52, 3A-6 圧力センサを片持ち梁状に支持し, 実装時の応力に不感 モノリシック構造 小形 (0.8 mm 0.8 mm) Advanced Semiconductor Manufacturing Cooperation(ASMC) ダイヤフラムに圧縮ひずみ ( 少しバックリング ) PS 3 構造あり PS 3 構造なし 17 1 Pa = 約 8 cm の高低差の気圧変化 コバール基板 コバール基板
18 実装応力に強いモノリシック圧力センサ ( 上海 SIMIT) J. Wang, L.Yang, X. Li, Shanghai Institute of Microsystem and Information, IEEE MEMS 2013, 49-52, 3A-6 エッチホール 18 (111) Siウェハ上に作製 (a) ピエゾ抵抗形成 (b) SiN/SiO 2 LPCVD DRIE SiN/SiO 2 LPCVD (c) DRIE (d) 結晶異方性ウェットエッチング (e) ポリSi 成膜 ( エッチホール閉 ) (f) SiN/SiO2 LPCVD (g) (b)(c) と同様 (h) Al 配線形成 (PRスプレー塗布) ウェハ片面からの加工のみ ウェハ接合なし 低コスト
19 mems tohoku 19 加速度センサ In cooperation with
20 加速度センサーの原理 ω k m c ばね 加速度 おもり 固定電極 台車を一定加速度で押す 中のおもり (m) は, 台車に対してどうなるか? A sin ωt の加速度で揺するとどうなるか? k: ばね c: ダッシュポット ( 減衰器 ) 基板基板への固定部 ( その他の部分は基板から浮いている ) 基板と可動部との間の空気 ( 減圧 ) が, 減衰力を生み出す 20
21 加速度センサーのダンピング調整 南和幸他, 電気学会論文誌 E, 117-E, 2 (1997) pp 加速度センサにおける空洞内圧力と周波数特性 ギャップ内に在る空気のスクイーズフィルム効果によるダンピング
22 First MEMS Accelerometer L. M. Roylance et al. (Stanford Univ.), IEEE Trans. Electron Devices, ED-26 (1979) 1911 Sealing by anodic bonding Feedthrough using p ++ layer Current leakage A A PADDLE A-A cross section Small step due to faster oxidation speed of the doped area (Risk of air leakage) 22
23 静電サーボ式シリコン加速度センサ ( 日立製作所 ) S. Suzuki, M. Esashi et al., Sensors and Actuators A, (1990)
24 静電サーボ式シリコン加速度センサ ( 日立製作所 ) S. Suzuki, M. Esashi et al., Sens. Actuators A, (1990) 多段結晶異方性エッチングによって片持ち梁の隅を丸くして, 応力集中を防ぐ エッチングした凹凸面へのフォトリソグラフィは困難なので, ウエハが比較的平らな段階で厚みが 3 段階に異なる酸化膜のマスクを作成する 24
25 Low G Accelerometer (VTI 村田製作所 ) Anodic bonding using borosilicate glass buried in the Si wafer L. B. Wilner (Endevco), IEEE Trans. Instru. Meas., 37 (1988) 569 国見敬 ( 曙ブレーキ ), 自動車技術, 55, 10, (2001) 48 25
26 表面マイクロマシニングによる加速度センサ 自己診断機能による信頼性確保 26 Analog Devices 集積化 2 軸加速度センサ薄いポリシリコンを用いた集積化 MEMS 技術は今は用いられていない
27 SOI MEMS (UC Berkeley) Brosnihan, Bustillo, Pisano and Howe, Transducers 97, 2D2.04 Basic structure of Integrated SOI MEMS Monocrystalline Si structure with high aspect ratio CMOS-to-MEMS isolation by SiN/poly-Si backfilling Low temperature, thus CMOS-compatible, process for MEMS 27
28 SOI MEMS Proces (Analog Devices) T. D.Chen et al., Transducers 05, 1122 SiO 2 Si 3 N 4 Poly-Si Si Isolation trench 0.6 µm CMOS 28 XL40 加速度センサ
29 エヒ ホ リ Si を用いた慣性センサ (STMicroelectronics) ポリ Si(TPL) 熱酸化膜 Si SiO 2 犠牲層 エピポリ Si (EPL) 1 Nucleation on SiO 2 by LPCVD at 650 (125 nm t) 2 Thick columnar poly-si deposition in a LP epitaxial reactor at 1000, 3 MPa stress, High deposition rate of μm/min Fh.G ISIT, Uppsala Univ., Thin Solid Films, 259 (1995) DRIE トレンチ 29 犠牲層エッチ 直接ポリ Si にアンカ Giacomo Langfelder et al., IEEE Sensor Journal, 11, 4 (2011) pp ST C5L24A
30 SOI-MEMS vs. Epi-poly Si MEMS SOI-MEMS Epi-poly Si MEMS 30
31 3 層ポリシリコン MEMS(Robert Bosch) J. Classen et al. (Robert Bosch), IEEE MEMS 2017, pp ねじりばねと上部電極 ( 赤, 緑 ) が中央部でアンカ 1 点留め パッケージ歪に鈍感 樹脂モールド可能 左のマスは中空, 右のマスは中実 z 軸感度 完全二重差動静電容量読出し 温特向上, 感度向上 対称性の高いシーソー構造熱膨張や不均一チャージアップによるドリフトを抑制 31 自動車用新世代 2 軸加速度 1 軸ジャイロセンサ Bosch SMI700/710(2015~) 7 7 mm 2
32 3 層ポリシリコン MEMS(Robert Bosch) J. Classen et al. (Robert Bosch), IEEE MEMS 2017, pp 層構造 2 層構造 パッケージ応力によってオフセットにしにくい 樹脂モールド可能 Poly-Si #2 Poly-Si #1 酸化膜の すのこ構造 を形成することで, 大きな空洞があっても, その上に層を重ねるにあたって平坦化が不要 Poly-Si #3 32
33 キャビティ SOI を持引いた集積化慣性センサ Steven Nasiri and Martin Lim, InvenSense, Inc. CMOS Al (500 nm) x y Direct bonding Al-Ge 共晶接合 450 ºC, 300 N/wafer, 4 % H 2 in N 2 30 μm Ge (700 nm) ~70 μm 33
34 熱式加速度センサ A. M. Leung, MEMS 98, 627 MEMIC, 熱式加速度センサ 34
35 MEMS 重力計 R. P. Middlemiss et al. (University of Glasgow), Measurement of the Earth Tides with a MEMS Gravimeter, Nature, 531, pp μgal/ Hz の感度 負の変位依存性のあるばねによって, 重力に耐えつつ, 極微小な加速度に感度マスの変位を光学的に測定 共振周波数 4 Hz 以下 35 資源探索, 遺跡探索, 地下トンネル探索, 海抜計測などの用途 MEMS 重力計, あるいはそれで測った重力マップをビジネスとするスタートアップもあり
36 超高感度 MEMS 加速度センサ ( 火星探査用 ) Imperial Collage of London, Kinemetrics, University of Oxford, IEEE MEMS 2018, クローズドループ加速度センサ 大きなプルーフマスに金の重り ( 合計 800 mg), 共振周波数 6 Hz, ダンピングの低減 熱機械ノイズの低減 重力はばねで支え, 重力下での変形時に構造が対称になるように設計 ショックや過大加速度で壊れないための半田ボールストッパ 1200 g 10 ms ショック, および 30 grms 連続入力に対して破壊せず 静電容量検出電極のチャージ分布によるノイズ パッチ効果 の低減 電極分割
37 超高感度 MEMS 加速度センサ ( 火星探査用 ) Imperial Collage of London, Kinemetrics, University of Oxford, IEEE MEMS 2018, センサノイズ (m/s 2 / Hz) レファレンスとの比較による 0.2 ng/ Hz 地球の振動 Frequency Acceleration 海洋波浪等による常時地球自由振動 潮の満ち引き 37 周波数 (Hz) 共振周波数 金曜日のロンド青と水色は, それぞれ低周波, 高周波重視の測定ンの人間活動緑は, 既存の超高感度加速度センサ ( レファレンス ) の性能 マナウス海溝での地震とその後のレイリー波
38 mems tohoku 38 ジャイロスコープ In cooperation with
39 Performance of Gyroscopes S. Tanaka, Intl. Conf. "Global/Local Innovations for Next Generation Automobiles" 2015 Bias stability (deg./h) (deg./s) Type of gyroscope Vibratory gyroscope MEMS gyroscope ESG: Electrically-suspended gyroscope HRG: Hemispherical resonator gyroscope HRG Rotational gyroscope Dry tuned gyroscope ESG Optical gyroscope Fiber optical gyroscope Ring laser gyroscope Application 39 Camera Smart phone Car safety system Robot Airplane Ship Autonomous car Submarine DTG,FOG,RLG の図 : 多摩川精機 HRG の図 :Northrop Grumman
40 ジャイロの性能指標 バイアス安定性 (Bias stability) Angle random walk,angular rate random walk スケールファクターとその精度スケールファクター = 感度 帯域とダイナミックレンジどのくらい早い, あるいは遅い角速度変化と角度変化に対応できるか 温特 並進加速度に対する選択性 不感性 40
41 ジャイロの性能指標 Angular rate, ω 入力角速度 ω 一定 短い τ では, 角速度のふらつきは目立たず, τ でホワイトノイズが減る 左のような出力から回転角を得るとどうなるか? τ 1/2 の傾き Angular rate random walk (White noise accumulation ~ 1/f 2 PSD) Time アラン分散 :Allan variance (AVAR) log-log プロット τ -1/2 の傾き Angle random walk (Johnson noise = White noise) σ 2 (τ) 41 異なる時定数 τ に渡って角速度の変化を平均 Bias instability (Flicker noise = 1/f noise) 傾き 0 の AVAR τ
42 MEMS Vibratory Gyroscope Sense axis Drive axis Toyota Motor Angular rate 42 Colioris force F cy = 2mΩx 多摩川精機, ジャイロ活用技術入門, 工業調査会 (2002) Gyroscope for vehicle stability control (Toyota Motor, Tohoku Univ.)
43 MEMS Vibratory Gyroscope (Toyota Motor) Tuning fork Resonator 1 Resonator 2 Support beam (drive) Support beam (sense) Sensing electrode Sensing electrode Servo electrode Frequency tuning electrode Monitor electrode Drive electrode 43 野々村裕, 日経エレクトロニクス, 2004 年 9 月号, p. 75 Coupling beam
44 MEMS ジャイロの回路構成 ( パナソニック ) 藤井映志他, パナソニック 第 43 回市村産業賞貢献賞 紹介ウェブサイト (2011) ( 共振で位相が駆動信号がら 90 遅れるので )
45 モードミスマッチ 藤井映志他, パナソニック 第 43 回市村産業賞貢献賞 紹介ウェブサイト (2011) 45 共振点では, 振幅は静的変位の Q 値倍になる なぜ, 両モードの共振周波数に数百 Hz の違いをつけているのか?
46 周波数の調整 : モードミスマッチの必要性 ドライブ軸 (x 軸 ) とセンス軸 (y 軸 ) の共振周波数 (ω x,ω y ) が異なることを, モードミスマッチ という Δω = ω y ω x 0 モードミスマッチがある場合, センス軸に現れる振動は, コリオリ力による強制振動 ( その周波数はドライブ軸の共振周波数と同じ ) と自由振動の和 46 自由振動が減衰するには,2Q/ω の時間がかかる 応答が悪いという センス軸をドライブ軸の角振動数 ω x で復調して得られる信号は, 自由振動については, ω y ± ω x の信号 強制振動についてはと 2ω x の信号と DC 信号 コリオリ力, つまり Ω に比例 ( 有意 ) ω y ± ω x の信号をローパスフィルタで落とせば,DCの有意な信号が得られる この方法だと, Δω = ω y ω x 以上の帯域は得られない ある程度のモードミスマッチΔωが必要
47 集積化 3 軸ジャイロスコープ (InvenSense) J. Seeger, M. Lim, S. Nasiri, Solid-State Sensor, Actuator and Microsystems Workshop
48 3 軸ジャイロ (STMicroeletronics) L. Prandl, STMicroelectronics, ISSCC
49 3 軸ジャイロ (STMicroeletronics) L. Prandl, STMicroelectronics, ISSCC
50 高性能ジャイロスコープを必要とする機器 Autonomous car (Nissan Motor) 50 Asimo (Honda Motor) Autopilot indoor drone (DARPA)
51 ジャイロスコープの性能 S. Tanaka, Intl. Conf. "Global/Local Innovations for Next Generation Automobiles" (2015) Bias stability 自動運転に必要な性能 (deg./h) (deg./s) Type of gyroscope Vibratory gyroscope MEMS gyroscope ESG: Electrically-suspended gyroscope HRG: Hemispherical resonator gyroscope HRG Rotational gyroscope Dry tuned gyroscope ESG Optical gyroscope Fiber optical gyroscope Ring laser gyroscope Application 51 Camera Smart phone Car safety system Robot Airplane Ship Autonomous car Submarine DTG,FOG,RLG の図 : 多摩川精機 HRG の図 :Northrop Grumman
52 モードマッチング モードミスマッチでは, ジャイロの高性能化の要求には応えられない モードマッチ 強制加振の周波数 ω x ( ドライブ軸の周波数に等しい ) がセンス軸の共振周波数 ω y に一致すると (ω y =ω x ), 振幅は最大さらに,Q 値を高くする 高感度, 高 S/N しかし, オープンループだと, 過渡応答の影響が大きく, 収まるのに 2Q/ω y の時間がかかる ( 応答が悪い ) クローズドループ (force rebalance) で利用 y 軸の変位がゼロになるように制御フィードバックゲインによって帯域拡大 モードマッチングすると, ドライブ軸とセンス軸がカップリングしやすいので,quadrature error が起こりやすい 構造の高い対称性の上,quadrature キャンセルが必要 52 さらに,High Q であると, 僅かな周波数ずれで感度が大きく変化する スケールファクタ補償が必要
53 高性能 MEMS ジャイロの構造例 (UC Irvine) Andrei M. Shkel (UC Irvine), Transducers mm 角 53 x-y デカップル構造
54 モードマッチ Force Rebalance MEMS ジャイロ A.A. Trusov 1, 2, I.P. Prikhodko 1, D.M. Rozelle 2, A.D. Meyer 2, A.M. Shkel 1, 1 University of California, Irvine, 2 Northrop Grumman Electronic Systems, Transducers 2013, モードマッチ制御 モードマッチ制御 ドライブ センス Auto Gain Control(AGC) cos で駆動する x 軸 (sin で振動 ) を同期検波 得られた振幅と目標値を比較して cos で駆動 振幅一定制御 Phase Lock Loop(PLL) x 軸 (sin で振動 ) を直交検波して ( いわば FM 復調 ), 得られた信号で VCO を制御し,x 軸と位相が一致した sin と cos を生成 Quad Loop(Quadrature Null Loop) y 軸 (x 軸と同位相で振動 sin) を直交検波して得た振幅は Quadrature 信号 これをゼロにフィードバック 54 Rate Loop(Force Rebalance Loop) y 軸 (x 軸と同位相で振動 sin) を同期検波して得た振幅を, 大きなゲインでフィードバック ( 本日勉強したところ )
55 Scale Factor( 感度 ) の補正 cos モードマッチ制御 ドライブ センス軸 静電力 ( 角速度出力 ) 角速度入力 モードマッチ制御 実数倍 センス フィート ハ ックによってゼロ SF 補正用バーチャル角速度入力 ( 正弦波, 角速度入力 Ω z のバンド幅外,10 Hz?) 55 Ω r-mod 積分してa 0 倍 Ω r-mod cosωtはバーチャルなコリオリ力 Θ r-mod 想定値 a 0 Θ ノッチフィルタでΩ r-mod をカット Ω r-mod はフォースリバランスされない 2.2 khz,q 1,200,000,ARW 0.02 / h, バイアス安定性 0.2 /h, バンド幅 2 Hz SF 誤差 350ppm(27~37 ),1 分のアベレージングで SF 精度 30ppm, 同 30 分で 1ppm フォースリバランスされているので,Ω r-mod 以外の周波数成分はほぼゼロ High Q なので,τ より短い周期の角速度入力は振幅積分される 実際の c y は様々な誤差を含んでいる これを, バーチャル入力 Ω r-mod を数値的 (or 電気的 ) に積分し, 設定しているスケールファクタ a 0 をかけた値 a 0 Θ と比較する その差分に応じて, フォースリバランスループの信号 ( つまり, コリオリ力に比例した信号 ) の値を実数倍して調整する つまり, スケールファクタを補正している
56 高性能リング ジャイロ (Silicon Sensing Systems) SGH01 (2000) 資料 :Silicon Sensing Systems 提供 SGH02 (2008) SGH03 (2015) 100 º/h 56 磁石 アラン分散 10 º/h 1 º/h 0.1 º/h 電磁式のためインピーダンスが低く低ノイズ SHG03: モードマッチ force rebalance ジャイロ τ( 秒 )
57 モノリシックコンボセンサ ( モードマッチジャイロ搭載 ) Haoran Wen, Farrokh Ayazi (Georgia Institute of Technology), IEEE MEMS 2018, pp Mode match Q = 170k ARW 0.23 º / h BI 8.7 º/h z-axis BAW gyroscope (5.4 MHz) Mode match Q drive = 13k Q sense = 4.5k ARW 0.6 º / h BI 17.9 º/h 57 x, y-axis gyroscope (700 khz)
58 Whole Angle Mode ジャイロスコープ I.P. Prikhodko et al., Sensors and Actuators A, 17(2012) フランスの物理学者フーコー (1819 年 ~1868 年 ) は,1851 年にパリのパンテオン宮殿で長さ 67 m, 質量 27 kg の振り子を用いて, 地球の自転を実証
59 FM/ 全角モードジャイロスコープ c 1 k 1 k 2 c 2 k 1 c 2 k 2 Coriolis force Ω z y m x c 1 Assuming Δω = ω 1 ω 2 = 0 (Mode match) y Temperature sensitive y y λ 1 x λ 2 + = x Ω z x 59 Linear vibration
60 モード分離による FM/ 全角モードジャイロスコープ T. Tsukamoto, S. Tanaka, IEEE MEMS 2017, IEEE Inertial 2017, IEEE Inertial 2018 共振子の X 軸,Y 軸に PLL をかけるのではなく,CW モードと CCW モードに PLL をかける モードミスマッチと Q ミスマッチの補正も可能 60
61 モード分離による FM/ 全角モードジャイロスコープ T. Tsukamoto, S. Tanaka, IEEE MEMS 2017 原理については, チップ上にフーコー振子, 日経テクノロジーオンライン 新方式 MEMS ジャイロ : 角度誤差なし ( が真値 ) 既存の MEMS ジャイロ : 数十秒もすれば, 大きな角度誤差 ( 赤破線 ) 10 Angle (º) この中に フーコー振子 小さな振子が本当にぶら下がっているわけではありません Time (s)
62 モード分離による FM/ 全角モードジャイロスコープ T. Tsukamoto, S. Tanaka, Tohoku University, IEEE MEMS 2017, IEEE Inertial FM モード駆動スケールファクタ κ=0.724 スケールファクタの温度特性測定誤差 ±26 ppm
63 振動ジャイロの課題 63 1) 加工誤差 ~ 直交性や対称性の不完全性 同相バイアスアラー, クアドラチャエラー ( 例 ) 櫛歯アクチュエータのギャップが不均一 直交方向 ( センス軸方向 ) に力が働く : 櫛歯の重なりが一定とした分は駆動と同相 ( コリオリ力と同相のバイアスエラー ), 櫛歯の重なりが変化する分は逆相 ( クアドラチャエラー ) ドライブ軸とセンス軸が直交していない 駆動と同相の漏れ加振がセンス軸に加わる ( コリオリ力と同相のバイアス エラー ) ドライブ信号のセンス電極へのフィードスルー 共振時の変位はドライブ信号に対して 90º 位相回転 ( 速度と同相 ) コリオリ力と同相のバイアス エラー 2) 温度特性 ( 共振周波数や Q 値の温度特性 ) 3) Q 値 : 高 Q の実現法 ( 対称性, 支持構造, 真空パッケージングなど ) 感度 (Q) とバンド幅 (f/2q) とのトレードオフ ( オープンループ ) 高 Q ジャイロのスケールファクタ 不安定性 ( 特にモードマッチタイプ ) 4) 加速度入力 ( ショックや振動 ) への不感性 : 振動モード, 周波数 5) 大振幅での非線形性 6) 消費電力
64 mems tohoku 64 地磁気センサ In cooperation with
65 磁気センサの種類 GMR(Giant Magnetic Resistance) 方式 : ヤマハ AMR( 異方性磁気抵抗効果 ) 方式 :MEMSIC MI 方式 : 愛知製鋼 65 日経エレクトロニクス, 2006/7/31, 134 ホールセンサ方式 :AKM
66 Combo Sensors (2014) Combo sensor: 3-axis accelerometer 3-axis gyroscope 3-axis magnetometer (e-compass) System in Package (SIP) STMicroelectronics LSM9DS0 (4 4 mm 2 ) 5 dies - Accelerometer - Gyroscope - Magnetometer - 2 ASIC Bosch Sensortec BMX055 (3 4.5 mm 2 ) 5 dies - Accelerometer - Gyroscope - Magnetometer - 2 ASIC InvenSense MPU-9250 (3 3 mm 2 ) 2 dies - Integrated 6-axis inertia sensor - Magnetometer 66 Photographs: Romain Fraux (System Plus Consulting) (2014)
67 ローレンツ力磁気センサ ピエゾ抵抗式ローレンツ力磁気センサ 磁場中, 梁の共振周波数の電流 i で駆動 梁が共振し, 振幅は磁気強度に比例 ピエゾ抵抗素子で振動を検出 E. Donzier (Sextant), Sensors and Actuators A, (1991) 容量式ローレンツ力磁気センサ H. Emmerich (Bosch), IEEE Trans. Electron Devices, 47 (2000) B. Eyre, K. S. J. Pister (UCLA) et al., IEEE Electron Device Letters, 19 (1998)
68 Epi-Seal されたローレンツ力 3 軸磁気センサ Mo Li 1, Eldwin J. Ng 2, Vu A. Hong 2, Chae H. Ahn 2, Yushi Yang 2, Thomas W. Kenny 2, David A. Horsley 1, 1 University of California, 2 Stanford University, IEEE MEMS 2014, Epi-Seal されており, STMicroelectronics THELMA プロセスとコンパチブル 共振周波数と同じ周波数で電流を流し, ローレンツ力で構造体を共振させる その振幅で磁界を測定 振幅は静電容量で検出 3 軸の共振周波数が近く設計されており (47 khz), 共通の電流源が使用可能 68
69 ローレンツ力 3 軸磁気センサ ( 共振点外動作 ) Soner Sonmezoglu, David A. Horsley, UC Davis, IEEE MEMS 2016, Δf 小 感度高,SN 比高 バンド幅狭, スケールファクタ不安定 Δf 大 感度低,SN 比低 バンド幅広, スケールファクタ安定 ジャイロを代表にほとんどの共振型 MEMSセンサに共通の問題 Δf = 50 HzとΔf = 200 Hzを比較
70 ローレンツ力 3 軸磁気センサ ( 共振点外動作 ) Soner Sonmezoglu, David A. Horsley, UC Davis, IEEE MEMS 2016, Δf = 200 Hz Δf = 50 Hz センサー出力 (5 ma rms,750 μw) Δf = 200 Hz Δf = 50 Hz Δf = 50 Hz Δf = 200 Hz スケールファクタの温度特性 もう 1 つのデバイス ( 隣同士 ) をバイアス電流 0 で PLL 駆動し, 発振源に用いた場合 70 アラン分散 バンド幅
71 71 デュアル共振器ローレンツ力 3 軸磁気センサ Soner Sonmezoglu1, Ian B. Flader2, Yunhan Chen2, Dongsuk D. Shin2, Thomas W. Kenny2, David A. Horsley1 (1UC Davis, 2Stanford Univ.), Transducers 2017, pp 共振子を静電力 F e でPLL 駆動し, それを周波数基準としてローレンツ力 F L を生じさせるためのAC 電流 i ac を発生 常に共振点で動作 F e +F L の共振周波数での強制振動の変位は,(F e +F L )Q/k F e Q/kがオフセット分だが,F e >>F L なので, オフセットの温度特性が大きなバイアスエラーになる TCEとTCQによって影響を受ける (TCQ>>TCE) 同じダイの上に2つの同じ共振子を用意して, 電流の向きを逆にする 共振子 1 (F e +F L )Q/k (1) 共振子 2 (F e -F L )Q/k (2) 差動 (1)-(2) = 2F L Q/k オフセットを除去して感度 2 倍 ( ランダムウォーク1/ 2) ただし,2つの共振子のQ,kが同じ場合
72 デュアル共振器ローレンツ力 3 軸磁気センサ S. Sonmezoglu T. Kenny, D. Horsley, Transducers 2017, pp つの共振子の特性誤差 mm 2 2 EpiSeal 依然, スケールファクタ安定性とバンド幅の問題はある 4.2 の温度変化 ドリフトの大幅な低減 72
73 ローレンツ力 3 軸磁気センサ Giacomo Laghi 1, Alessandro Tocchio 2, Giacomo Langfelder 1, 1 Politecnico di Milano, 2 ST Microelectronics, Transducers 2015, アルミ配線 約 20 khz 加速度入力による振動はコモンモードでキャンセルされる 73 STMicroelectronis のエピ ポリ Si 技術で作製 (Si 22 μm 厚 ) 既存のジャイロ等と同じプロセス 9 軸コンボセンサを同一プロセスで製造することを目指していると思われる バンド幅とスケール ファクタ安定性のため,200 Hz off-resonance で駆動 感度低下は複数巻のコイルで補う 駆動電流 (100 μa RMS ) は 3 軸で一筆書き オンチップのレファレンス (tang) 共振子で周波数を規定
74 ローレンツ力 3 軸磁気センサ Giacomo Laghi 1, Alessandro Tocchio 2, Giacomo Langfelder 1, 1 Politecnico di Milano, 2 ST Microelectronics, Transducers 2015, バンド幅は同期検波のフィルタ (50 Hz) で決まっている 駆動電流 100 μa RMS バイアス安定性 <280 nt 74 感度各軸とも約 1.5 zf/(nt ma) 直線性 0.3% ダイナミックレンジ ±3 mt ( もっと大きいが, どこまでかは不明 ) ( 参考 ) 地磁気 : nt( 東京付近約 nt)
75 シングル共振子ローレンツ力 3 軸磁気センサ Cristiano R. Marra, Giacomo Langfelder (Politecnico di Milano, STMicroelectronics), IEEE MEMS 2018, pp Small footprint < 1 mm 2 75 A single resonator for sensing plus a reference clock resonator (50 khz) Fabrication by ST s ThELMA (Thick Epitaxial Layer for Micro-gyroscopes and Accelerometers) process 100 nt/ Hz noise density and 50 Hz bandwidth with 200 μa drive current and 300 Hz mode mismatch, Sensing range over 5 mt with <0.5% non-linearity
76 mems tohoku 76 マイクロフォン In cooperation with
77 MEMS マイクロフォン エレクトレット コンデンサー マイク 1 個 MEMS マイク 2 個 MEMS マイク 3 個 MEMS マイク 4 個 iphone Figure: Apple iphone3g iphone3gs iphone4 (2010) iphone4s iphone5 iphone5s db iphone6 iphone6s ノイズキャンセルされた音声信号 SN 比 59 db db 77 周囲の雑音 ノイズキャンセル回路 マイク マイク Figure: TDK-EPCOS 音声 複数のマイクロフォンを用いたノイズキャンセル
78 Electret Condenser Microphone (ECM) 260 Solder reflow process 78 Electret with stored charge (equivalent to 200~300 V) C0 η e = Vp d Structure of ECM (Hosiden)
79 MEMS マイク (Knowles) (1.5 µm 厚 ) φ560 µm 4 µm (1 µm 厚 poly Si) 図出典日経マイクロデバイス, η e = 0 C Vp d 79 MEMS ダイの大きさ mm P. V. Loeppert, Solid-State Sensors Actuators and Microsystems, Workshop, Hilton Head (2006)
80 MEMS マイクロフォン Zhe (Wily) Wang, Quanbo Zou, Qinglin Song, and Jifang Tao, GoerTek Inc., China, Transducers 2015, pp AAC オムロン Knowles 80 Epcos ADI Akustica (2012) チップ写真 ( 大きさの相対比較可 ) (System PLUS Consultingの資料から ) (a) Knowlesのフローティング ダイヤフラム (EP B1 特許 ) (b) Infineon, オムロン (STMicro),Akustica(Bosch) の弱引張りダイヤフラム (c) Analog Devicesのスプリング サポート ダイヤフラム (d) GoerTekのセンター サポート ダイヤフラム 企業名は不正確かもしれません
81 MEMS マイク (Infineon) Alfons Dehé, Martin Wurzer, Marc Füldner and Ulrich Krumbein, Design of a Poly Silicon MEMS Microphone for High Signal-to-Noise Ratio, Proc. ESSDERC 2013, pp パーフォレーション ホールとスティッキング防止バンプ
82 MEMS マイク (Infineon) A. Dehe, Sens. Actuators A, 113 (2007) 283 指向性なし レーザー加工 (Φ100 μm) 82 指向性あり ( バックボリュームに穴 )
83 MEMS マイク (Infineon) A. Dehe, Sens. Actuators A, 113 (2007) バックボリュームは大きさが重要 バックボリュームの穴の数と指向性との関係
84 集積化 MEMS マイク (Akustica) Gary. K. Fedder (CMU), Proc. IEEE, 96 (2008) 306 BEOL にスケルトン構造を作製し, その隙間に樹脂を気相堆積し, ダイヤフラムを形成 84
85 集積化 MEMS マイク (Akustica) M. Weinstein, 日経マイクロデバイス, 248, , mm AKU
86 MEMS マイクロフォンの性能と ASP 圧電, 櫛歯電極, 歪抵抗, その他 第 5 世代 (72-75 db SNR) 第 4 世代 (68-70 db SNR)? ASP 第 3 世代 (64-66 db SNR) 第 1 世代 (59 db SNR) 第 2 世代 (62-63 db SNR) 元グラフ :IHS MEMS & Sensors for Consumer and Mobile Devices Intelligent Service (2015) 86 音声認識用途にマイクロフォン高性能化の要求は強い 継続的な性能向上によって, これまで平均的な ASP はあまり下がっていなかった 一方, 出荷数は急激に増加 従来技術の延長では, これ以上の高性能化は難しい 性能向上が止まれば,ASP が下がるのみ
87 MEMS マイクロフォンの高性能化 Zhe (Wily) Wang, Quanbo Zou, Qinglin Song, and Jifang Tao, GoerTek Inc., China, Transducers 2015, 高性能化のための技術的選択肢例 音響ノイズは, バックプレートのパーフォレーション ホールでの流体抵抗, 静電ギャップでのスクイーズド フィルム ダンピング, およびベンチレーション ホールでの流体抵抗に起因する バックプレートなしの構造 : 圧電検出 ( 例 :Vesper MEMS), ピエゾ抵抗検出, ダイヤフラムの周囲に検出部など 寄生容量やワイヤボンディングからの電磁ノイズの排除 MEMSとASICのモノリシック集積化 ( 例 :Akustica) 差動検出 ( 両面バックプレート, ダブルダイヤフラム ) パッケージングの小形化 ( 一部, ウェハレベルパッケージング ) 87
88 バックプレートなしの MEMS マイクロフォン Sung-Cheng Lo1,... Chuanwei Wang2, Mingsian R. Bai1, Weileun Fang1, National Tsing Hua University, 2MotionsTek Inc., Transducers 2015, バックプレートがなく, 周囲の櫛歯電極で検出 ( 以前, 著者らが発表したものの改良版 ) 主に櫛歯は面外方向に動く
89 バックプレートなしの MEMS マイクロフォン Sung-Cheng Lo1,... Chuanwei Wang2, Mingsian R. Bai1, Weileun Fang1, National Tsing Hua University, 2MotionsTek Inc., Transducers 2015, 感度 ( 感度の定義は,1V/1Pa を基準にして, 何 V の出力が出るか ) SN 比は不明だが, 性能は低い ちなみに,ADI ADMP504 の感度は -38 dbv(100 Hz~20 khz),sn 比は 65 db 89 SOI 基板で作製ダイヤフラムの直径 600 μm, 静電ギャップは 1.6 μm
90 ピエゾ抵抗式 MEMS マイクロフォン Z. J. Zhou et al.( 香港科学技術大 ), Transducers 09,
91 ZnO 圧電 MEMS マイクロフォン R. P. Ried, R. S. Muller (U.C. Berkeley), J. Microelectromech. Syst., 2 (1993)
92 AlN 圧電 MEMS マイクロフォン Vesper Technologies CEO の Matthew Crowley は Sand 9 出身 CTO の Robert John Littrell の博士論文 (2010, ミシガン大 ) の技術に基づく (US A1) SNR ~68 db の圧電マイクロフォン 92 EE Times
93 デュアルバックプレート マイクロフォン (Infineon) Christian Lillelund (Infineon Technologies), EETimes (2016) おそらく, 差動化にともなって機械感度を下げ, その分, ノイズを低減 フィードバックも可能か? 93 ( 従来典型値 ) SNR 70 db 65 db AOP db 120 db 位相ばらつき ±2 感度ばらつき ±1 db mm Qに量産予定 Infineon プレスリリース
94 自動車 家電関係の MEMS 圧力センサ加速度センサジャイロスコープ磁気センサマイクロフォン 94
95 マイクロデバイスの研究開発, お手伝いします 基礎研究から製品開発まで小片ウェハから6インチウェハまで企業単独での開発より短時間 低コストで成果が得られるように支援します 本学で試作したデバイスの商用利用も可能です MEMSに関するコンサルティングも行っています 企業からのオーダーに応じてプライベートセミナーを開催します 田中 ( 秀 ) 研究室が一貫してお世話 研究室クリーンルーム 小片ウェハ マイクロ ナノセンター (MNC) 4 インチウェハ マイクロシステム融合研究開発センター 6 インチウェハ 95
96 S. Tanaka Laboratory Department of Robotics & Microsystem Integration Center Tohoku University Professor Shuji Tanaka Sr Res Fellow Michio Kadota Assoc. Prof. Hideki Hirano Assoc. Prof. Jörg Frömel Assoc. Prof. Masanori Muroyama Research menu in Sensor systems for human-friendly robots Frequency control devices (SAW and BAW devices) Advanced inertial sensors Acoustic sensors Integrated biosensors Piezoelectric thin films and devices Heterointegration and wafer-level packaging technology MEMS process tools (ALD, wafer bonder etc.) Assoc. Prof. Takashiro Tsukamoto Assoc. Prof. Shinya Yoshida In cooperation with
97 mems tohoku
スマート社会のための MEMS センサー 田中秀治東北大学工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター 1 mems tohoku
スマート社会のための MEMS センサー 田中秀治東北大学工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター 1 mems tohoku スマートフォンのシェイクを検知する MEMS 加速度センサー Bosch Sensortec LINE 教育コミュニケーションときどき http://r-lab.seesaa.net/article/308412686.html スマートフォンの中の
Microsoft Word - MEMS2014報告：次世代センサ24-1(2014).docx
国際会議報告 IEEE MEMS 2014 東北大学大学院工学研究科田中秀治 1. はじめに 次世代センサ での国際会議報告は,Vol. 22, No. 1 (2012),Vol. 23, No. 1 (2013) に続き, これで 3 回目となる また,Vol. 22, No. 2 (2012) では, 振動アクチュエータの基礎を復習する という拙稿も掲載頂いた この場を借りて, 執筆の機会を与えて下さった次世代センサ協議会の関係者に感謝する
Microsoft PowerPoint - machida0206
広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
セグメント 資料1-3_田中秀治先生資料_委員配布用
mems tohoku 1 MEMS センサ Smart Society 5.0 のための Enabling Technology 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学 In cooperation with MEMS センサの全体動向 広がる応用スマートフォン, スマートウォッチ, 対話型 AI インターフェース, テレビゲーム,VR,AR,5G, ワイヤレスイヤホン,ADAS,
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)
ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
OPA134/2134/4134('98.03)
OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In
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S. Tanaka Lab s Propriety mems tohoku 1 MEMS の新しい話題 田中秀治工学研究科ロボティクス専攻マイクロシステム融合研究開発センター東北大学 In cooperation with 本日の話題 MEMS センサのトレンド - 技術向上 ( 小形化 ) による低コスト化とアプリケーションの広がり動きの速い MEMS センサ業界 - モジュール化 システム化の進展ビジネス上の優位性を高める部品
Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt
9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
untitled
( ) ( ) 1 MEMS : MEMS ( +13% / ) 2 3 ISFET ph,co 2 (K.Shimada, M.Esashi, Med.& Biol.Eng.& Comp.,18 (1980) p.741) (M.Esashi T.Matsuo, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343) 4 5 (Y.Matsumoto, S.Shoji,
燃焼圧センサ
49 Combustion Pressure Sensor Kouji Tsukada, Masaharu Takeuchi, Sanae Tokumitsu, Yoshiteru Ohmura, Kazuyoshi Kawaguchi π 1000N 150 225N 1 F.S Abstract A new combustion pressure sensor capable of measuring
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ
7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40
Microsoft PowerPoint - 1 立命館 杉山先生.ppt
MEMS 技術を用いた 流体式 3 軸ジャイロセンサ 立命館大学立命館グローバル イノベーション研究機構教授杉山進 1 立命館大学 ナノマシンシステム技術研究センター における MEMS 研究の取り組み MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) のコンセプトナノマシンシステム技術研究センター Research Institute for Nanomachine
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
ANJ-0005: 加速度センサーとは？
アプリケーション ノート 加速度センサーとは? by Tomoaki Tsuzuki 加速度センサーとは? 加速度センサーとは加速度の測定を目的とした慣性センサーです 振動センサーと異なり 加速度センサーは直流 (DC) の加速度が検出可能である為 加速度センサーを使って重力を検出する事も可能です 加速度を測定し適切な信号処理を行う事によって 傾きや動き 振動や衝撃等様々な情報が得られます 加速度センサーには
インターリーブＡＤＣでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術
1 インターリーブADCでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術 浅見幸司 黒沢烈士 立岩武徳 宮島広行 小林春夫 ( 株 ) アドバンテスト 群馬大学 2 目次 1. 研究背景 目的 2. インターリーブADCの原理 3. チャネル間ミスマッチの影響 3.1. オフセットミスマッチの影響 3.2. ゲインミスマッチの影響 3.3. タイミングスキューの影響 4. 提案手法 4.1. インターリーブタイミングミスマッチ補正フィルタ
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
untitled
213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
<4D F736F F F696E74202D AC89CA95F18D9089EF975C8D658F F43945A A CC8A4A94AD298F4390B394C5205B8CDD8AB B83685D>
小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは
untitled
1. 2. ( ) 3. ( ) 4. ( ) 5. ( ) 6. MEMS 20mm 400 (40 )100 A-A A 2. ( ) MEMS A (L.M.Roylance et.al., IEEE Trans. on Electron Devices, ED-26 (1979) p.1911) ( (In-Vivo Oximetry)) (J.M.Schmitt,F.G.Mihm and
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
日置技報-AC/DCカレントセンサ CT6904/CT
依田元 * 要 旨 は,5 A と 8 A 定格の大電流測定に対応し, MHz (±3 db) の広い測定周波数帯域を実現した高精度電流センサである. スイッチング周波数の高周波化に伴うノイズ環境下での電流測定を考慮し, 新規開発した巻線構造とシールド構造により, 広帯域, かつ, 高い耐ノイズ性を実現できた. ここに製品の概要, 特長, 構成, および特性データについて解説する.. はじめに 自動車,
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
日立評論2008年1月号 : 基盤技術製品
Infrastructure Technology / Products HIGHLIGHTS 2008 HDD 2.5 HDD3.5 HDD 1 Deskstar 7K1000 HDD Hard Disk Drive 2006 5 PC 2.5 HDD HDD 3.5 HDD1 1 2007 3Deskstar 7K1000 3.5 HDD 1149 Deskstar 7K500 2 GMR Giant
JIS Z803: (substitution method) 3 LCR LCR GPIB
LCR NMIJ 003 Agilent 8A 500 ppm JIS Z803:000 50 (substitution method) 3 LCR LCR GPIB Taylor 5 LCR LCR meter (Agilent 8A: Basic accuracy 500 ppm) V D z o I V DUT Z 3 V 3 I A Z V = I V = 0 3 6 V, A LCR meter
スライド 1
センサー工学 2012 年 11 月 28 日 ( 水 ) 第 8 回 知能情報工学科横田孝義 1 センサー工学 10/03 10/10 10/17 10/24 11/7 11/14 11/21 11/28 12/05 12/12 12/19 1/09 1/16 1/23 1/30 2 前々回から振動センサーを学習しています 今回が最終回の予定 3 振動の測定教科書 計測工学 の 194 ページ 二つのケースがある
音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16)
Guide for Electret Condenser Microphones A microphone as an audio-electric converting device, whose audio pickup section has a structure of a condenser consisting of a diaphragm and a back plate opposite
LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)
Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz
Introduction to Microfabrication
2005 Introduction to Microfabrication 1 1.1 Microfabrication disciplines Microfabrication technologies IC industry and related industries MEMS, solar cells, flat-panel displays, optelectronics In-plane
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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
RLC 共振回路 概要 RLC 回路は, ラジオや通信工学, 発信器などに広く使われる. この回路の目的は, 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである. 使い方には, 周波数を設定し外へ発する, 外部からの周波数に合わせて同調する, がある. このように, 周波数を扱うことから, 交流を考える
共振回路 概要 回路は ラジオや通信工学 などに広く使われる この回路の目的は 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである 使い方には 周波数を設定し外へ発する 外部からの周波数に合わせて同調する がある このように 周波数を扱うことから 交流を考える 特に ( キャパシタ ) と ( インダクタ ) のそれぞれが 周波数によってインピーダンス *) が変わることが回路解釈の鍵になることに注目する
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
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一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約
#表紙ドキュメントPDF書き出し用.indd
MAGNETIC ENCODER MH-10 MR-13 MR-16 磁気式エンコダ モタと一体化設計とすること で 超小型ながら３ 高分解能 ラインドライバ出力を 実現した磁気式エンコダです MR-13,MR-16 As designed in one unit with a motor, these magnetic encoders are very small, but are equipped
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
untitled
Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~
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第 5 章周波数特性 回路が扱える信号の周波数範囲の解析 1 5.1 周波数特性の解析方法 2 周波数特性解析の必要性 利得の周波数特性 増幅回路 ( アナログ回路 ) は 信号の周波数が高くなるほど増幅率が下がり 最後には 増幅しなくなる ディジタル回路は 高い周波数 ( クロック周波数 ) では論理振幅が小さくなり 最後には 不定値しか出力できなくなる 回路がどの周波数まで動作するかによって 回路のスループット
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受信機 1. 直線受信機 2. スーパヘテロダイン受信機 受信機 1.AM 受信機 DSB 受信機 SSB 受信機 2.FM 受信機 高周波増幅器 アンテナで受信した希望周波数 f s を増幅する 周波数変換回路 混合器と局部発振器からなり 高周波増幅された信号を中間周波数に変換する 局部発振器 スーパヘテロダイン受信機の局部発信周波数は受信周波数より中間周波数だけ高く ( 低く ) 設定する 混合器
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右
3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり
<8AEE B43979D985F F196DA C8E323893FA>
基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )
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第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.
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プロセス制御工学 6.PID 制御 京都大学 加納学 Division of Process Control & Process Systems Engineering Department of Chemical Engineering, Kyoto University manabu@cheme.kyoto-u.ac.jp http://www-pse.cheme.kyoto-u.ac.jp/~kano/
( )
MEMS 4 : ( ) ( ) Pt ITO Si (2 m) Si (0.2 m) (T.Ono et.al., J.Micromech.Microeng.,10 (2000) 445-451) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator) (XY ) DEMA (Distributed Electrostatic MicroActuator)
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
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, 2012 10 SCOPE, 2012 10 2 CDMA OFDMA OFDM SCOPE, 2012 10 OFDM 0-20 Relative Optical Power [db] -40-60 10 Gbps NRZ BPSK-SSB 36dB -80-20 -10 0 10 20 Relative Frequency [GHz] SSB SSB OFDM SSB SSB OFDM OFDM
Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
ディエンベディングとは冶具やケーブルによる観測信号の劣化を S パラメータデータを利用して計算により補正する TX 冶具ケーブル 被測定物の出力 De-Embedding 冶具 ケーブル等の影響を受けた波形 冶具 ケーブル等の S パラメータデータ TX 被測定物の出力 冶具 ケーブル等の影響のない
Keysight Technologies を使用した De-Embedding 2016.4.27 キーサイト テクノロジー計測お客様窓口 ディエンベディングとは冶具やケーブルによる観測信号の劣化を S パラメータデータを利用して計算により補正する TX 冶具ケーブル 被測定物の出力 De-Embedding 冶具 ケーブル等の影響を受けた波形 冶具 ケーブル等の S パラメータデータ TX 被測定物の出力
SICE東北支部研究集会資料(2012年)
273 (212.6.29) 273-5 Motion measurement of nordic walking using inertial sensor, Takuya Tateyama, Koichi Sagawa * *Graduate School of Science and Technology Hirosaki University : (inertial sensor), (motion
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折戸の物理 スペシャル補習 http://orito-buturi.com/ NO.3 今日の目的 : 1 微分方程式をもう一度 三角関数の近似について学ぶ 3 微分の意味を考える 5. 起電力 の電池, 抵抗値 の抵抗, 自己インダクタンス のコイルとスイッチを用いて右図のような回路をつくった 始めスイッチは 開かれている 時刻 t = でスイッチを閉じた 以下の問に答えよ ただし, 電流はコイルに
Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF
ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト
2 Hermite-Gaussian モード 2-1 Hermite-Gaussian モード 自由空間を伝搬するレーザ光は次のような Hermite-gaussian Modes を持つ光波として扱う ことができる ここで U lm (x, y, z) U l (x, z)u m (y, z) e
Wavefront Sensor 法による三角共振器のミスアラインメント検出 齊藤高大 新潟大学大学院自然科学研究科電気情報工学専攻博士後期課程 2 年 214 年 8 月 6 日 1 はじめに Input Mode Cleaner(IMC) は Fig.1 に示すような三角共振器である 懸架鏡の共振などにより IMC を構成する各ミラーが角度変化を起こすと 入射光軸と共振器軸との間にずれが生じる
20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au
Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します
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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor
株式会社xx御中
SAW 共振子による低位相雑音発振器 と次世代携帯電話への応用 電子情報通信学会春季総合大会於名城大学 アール エフ アーキテクチャ株式会社 森榮真一 2017 年 3 月 26 日 サマリー : 次世代携帯電話向けローカル発振器の提案と検証 次世代携帯電話通信においては 更なる高速 大容量化が期待されている 今後 携帯電回線高速化の実現のために 利用電波帯域は数十 GHz 帯への移行が予測される
NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい
低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲
高速度スイッチングダイオード
は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します
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第 8 章 : フィードバック制御系の設計法 第 8 章 : フィードバック制御系の設計法 8. 設計手順と性能評価 キーワード : 設計手順, 性能評価 8. 補償による制御系設計 キーワード : ( 比例 ),( 積分 ),( 微分 ) 学習目標 : 一般的な制御系設計における手順と制御系の性能評価について学ぶ. 学習目標 : 補償の有効性について理解し, その設計手順を習得する. 第 8 章
fj111_109
15 1 111 Super Low-Loss / Super High-Density Multi-fiber Optical Connector * * * *2 Katsuki Suematsu Masao Shinoda Takashi Shigenaga Jun Yamakawa *2 *3 *3 Masayoshi Tsukamoto Yoshimi Ono Takayuki Ando
空気の屈折率変調を光学的に検出する超指向性マイクロホン
23 2 1M36268 2 2 4 5 6 7 8 13 15 2 21 2 23 2 2 3 32 34 38 38 54 57 62 63 1-1 ( 1) ( 2) 1-1 a ( sinθ ) 2J D ( θ ) = 1 (1-1) kaka sinθ ( 3) 1-2 1 Back face hole Amplifier Diaphragm Equiphase wave surface
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db log db db db log log log db log log log4 y log4 log y log log y log4 log log log y log 4 log log log y log log log log y log log y log log y log y 5V.5 m db db log db db.893 - +..5.779-3 +3.43 db(.)
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/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
![C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni](/thumbs/89/99121913.jpg "C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni")
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
AN41250A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード HQFP048-P-0707A 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 端子説明... 5 絶対最大定格..... 7 動作電圧範囲. 7 次 2 光 Disk 用 7-ch Motor r 用 IC 概要 は Spindle Motor 駆動部に低雑音の Direct
モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサ
モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサンルーフなどのボディー系 電動パワーステアリングやそのアシスト機能など 高度な制御 大電流の制御などが要求されています
0810_UIT250_soto
UIT UNIMETER SERIES 250 201 Accumulated UV Meter Digital UV Intensity Meter Research & Development CD Medical Biotech Sterilization Exposure Bonding Manufacturing Curing Production Electronic Components
スライド 1
CMOS : swk(at)ic.is.tohoku.ac.jp [ 2003] [Wong1999] 2 : CCD CMOS 3 : CCD Q Q V 4 : CMOS V C 5 6 CMOS light input photon shot noise α quantum efficiency dark current dark current shot noise dt time integration
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ETL NEWS 1999.9 ETL NEWS 1999.11 Establishment of an Evaluation Technique for Laser Pulse Timing Fluctuations Optoelectronics Division Hidemi Tsuchida e-mail:tsuchida@etl.go.jp A new technique has been
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PID 制御の基礎 ON/OFF 制御 PID 制御 P 制御 過渡特性を改善しよう PD 制御と P-D 制御 定常特性を改善しよう PI-D 制御 4.2 節 I-PD 制御 角度制御実験装置 0 [deg] 30 [deg] 角度制御実験装置 目標値 コントローラ ( マイコン ) アクチュエータ (DC モータ ) 制御対象 ( アーム ) 角度 センサ ( ロータリエンコーダ ) ON/OFF
エラー動作 スピンドル動作 スピンドルエラーの計測は 通常 複数の軸にあるセンサーによって行われる これらの計測の仕組みを理解するために これらのセンサーの 1つを検討する シングル非接触式センサーは 回転する対象物がセンサー方向またはセンサー反対方向に移動する1 軸上の対象物の変位を測定する 計測
LION PRECISION TechNote LT03-0033 2012 年 8 月 スピンドルの計測 : 回転数および帯域幅 該当機器 : スピンドル回転を測定する静電容量センサーシステム 適用 : 高速回転対象物の回転を計測 概要 : 回転スピンドルは 様々な周波数でエラー動作が発生する これらの周波数は 回転スピード ベアリング構成部品の形状のエラー 外部影響およびその他の要因によって決定される
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
第1回情報ネットワーク科学研究会
アナログ電子回路系における 確率共鳴とカオス共鳴 北海道大学大学院情報科学研究科 浅井哲也 生体ゆらぎに学ぶ知的人工物と情報システム 平成 8- 年度文部科学省科学技術振興調整費 先端融合領域イノベーション創出拠点の形成 プログラム大阪大学 ( オムロン 日本電子 NTT ニプロ 松下電器 三菱重工 AT NIT 国立循環器病センター ) http://www.uragi.osaka-u.ac.jp/
ADC082S021 2 Channel, 50 ksps to 200 ksps, 8-Bit A/D Converter (jp)
2 Channel, 50 ksps to 200 ksps, 8-Bit A/D Converter Literature Number: JAJSAA2 2 200KSPS 8 A/D 2 8 CMOS A/D 50kSPS 200kSPS / IN1 IN2 1 2 SPI QSPI MICROWIRE DSP 2.7V 5.25V 3V 1.6mW 5V 5.8mW 3V 0.12 W 5V
75 unit: mm Fig. Structure of model three-phase stacked transformer cores (a) Alternate-lap joint (b) Step-lap joint 3 4)
3 * 35 (3), 7 Analysis of Local Magnetic Properties and Acoustic Noise in Three-Phase Stacked Transformer Core Model Masayoshi Ishida Kenichi Sadahiro Seiji Okabe 3.7 T 5 Hz..4 3 Synopsis: Methods of local
LM358
LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001
untitled
CMOS 376-851511 0277 (30) 1788 0277 (30)1707 e-mail: k_haruo@el.gunma-u.ac.jp AD AD AD [] AD AD AD [] ISSCC 2007 TSMC ISSCC2007 ISSCC2007 /DAC (regulation) (AGC) ADC/DAC AD AD AD [] AD CMOS SAR ADC Gr),,
Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt
特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
オペアンプの容量負荷による発振について
Alicatin Nte オペアンプシリーズ オペアンプの容量負荷による発振について 目次 :. オペアンプの周波数特性について 2. 位相遅れと発振について 3. オペアンプの位相遅れの原因 4. 安定性の確認方法 ( 増幅回路 ) 5. 安定性の確認方法 ( 全帰還回路 / ボルテージフォロア ) 6. 安定性の確認方法まとめ 7. 容量負荷による発振の対策方法 ( 出力分離抵抗 ) 8. 容量負荷による発振の対策方法
アクティブフィルタ テスト容易化設計
発振を利用したアナログフィルタの テスト 調整 群馬大学工学部電気電子工学科高橋洋介林海軍小林春夫小室貴紀高井伸和 発表内容. 研究背景と目的. 提案回路 3. 題材に利用したアクティブフィルタ 4. 提案する発振によるテスト方法 AG( 自動利得制御 ) バンドパス出力の帰還による発振 3ローパス出力の帰還による発振 4ハイパス出力の帰還による発振. 結果 6. まとめ 発表内容. 研究背景と目的.
Microsoft PowerPoint - 基礎電気理論 07回目 11月30日
基礎電気理論 7 回目 月 30 日 ( 月 ) 時限 次回授業 時間 : 月 30 日 ( 月 )( 本日 )4 時限 場所 : B-3 L,, インピーダンス教科書 58 ページから 64 ページ http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 授業評価アンケート ( 中間期評価 ) NS の授業のコミュニティに以下の項目について記入してください
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
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マイクロメカトロニクス サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/077331 このサンプルページの内容は, 初版 1 刷発行当時のものです. 1984.10 1986.7 1995 60 1991 Piezoelectric Actuators and Ultrasonic Motors
LM3886
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe TM (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4
( ) : 1997
( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................
降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント
スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法