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1 分析測定標準料金表 ( 平成 20 年 1 月 ) 菱電化成株式会社

2 料金について 1. 掲載しました価格は 原則として 1 試料当たりの標準を示します なお消費税は含まれておりません 2. 次のような場合には料金を割引致します 1 試料数が多い場合 2 長期間契約に基づく場合 3. 次のような場合には ご相談の上 割増料金を申し受けることがあります 1 妨害物質等により規定の方法で分析できない場合 2 分析結果に対する詳細な考察を必要とする場合 3 特に急を要する場合 4 試料を引き取りに伺う場合 備考 1. 分析をご依頼の節は分析申込書にご記入の上 FAX 等にてご連絡下さい 2. 試料は原則として ご持参あるいはご送付いただきます 3. ご報告納期は 標準的な機器分析の場合 試料受け取り後 2 週間以内です

3 目 次 Ⅰ. 元素分析 1. プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 1 2. マイクロ波誘導質量分析 (MIP-MS) 2 3. プラズマ質量分析 (ICP-MS) 2 4. 原子吸光分析 (AAS) 2 5. 蛍光 X 線分析 (XRF) 3 6. 有機元素分析 3 7. 重量分析 容量分析 3 Ⅱ. クロマトグラフ分析 6. イオンクロマトグラフ分析 (IC) 4 7. ガスクロマトグラフ分析 (GC) 5 8. ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC) 5 Ⅲ. 化合物構造解析 10. 赤外分光分析 (IR,FT-IR) 紫外 可視分光分析 (UV VIS) ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 気中有機物分析 (TCT-GC/MS) 7 14.X 線回折 (XD) 昇温脱離ガス分析 (TDS) 8 Ⅳ. 表面分析 局所分析 16. 電子線マイクロアナリシス (EPMA) オージェ電子分光分析 (SAM) 二次イオン質量分析 (SIMS) X 線光電子分光分析 (XPS) 13 Ⅴ. 形態観察 20. 走査電子顕微鏡 (SEM) 透過電子顕微鏡 (TEM) 集束イオンビーム加工 (FIB) 光学顕微鏡 (OM) 写真撮影 17-0-

4 Ⅰ. 元素分析 プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 試料前処理 酸溶解 ( 可溶性試料 ) 酸溶解 ( 難溶性試料 ) ろ過 洗浄 アルカリ融解 振とう抽出 灰化 切断 粉砕 加圧酸分解 有機物湿式分解 マイクロ波溶解 テフロン密封容器酸抽出 濃度調製 定性分析 水溶液 1ppm 以上指定成分 1 試料 /20 元素まで 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 半定量分析 1 試料 /20 元素まで 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 定量分析 ( 特殊溶媒測定 ) ( 有機溶媒測定 ふっ酸溶媒測定 ) 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 定量分析 ( 窒素パージ測定 :S P) 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 7, ,000 7,000 4,000 7,000 4,000-1-

5 Ⅰ. 元素分析 ( つづき ) プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 水素化物法 (As,Se,Ge,Sb) 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素 1 マイクロ波誘導質量分析 (MIP-MS) 試料前処理 クリーンルーム環境分析ガス捕集器具準備 2 箇所目より 薬液中不純物分析濃縮 ウェハ表面微量金属分析 (8 インチ ) 酸溶解 (Si ウエハ HF 溶解 ) ウェハ表面微量金属分析 (12 インチ ) ウェハ表面微量金属分析 ( 不定形基板 ) 定性分析 半定量分析 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 4 プラズマ質量分析 (ICP-MS) 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに その他特殊元素 原子吸光分析 (AAS) フレーム法 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素ごとに 2~10 試料目まで 11 試料目より フレームレス法 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素 還元気化法 (Hg) 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素

6 Ⅰ. 元素分析 ( つづき ) 分析測定項目 単価 ( 単位 : 円 ) 備考 蛍光 X 線分析 (XRF- 波長分散型 ) (XRF- エネルギー分散型 ) 有機元素分析 試料前処理 錠剤法 切断 粉砕 定性分析 ( 原子番号 9 以上の元素 ) 指定成分 1 元素 /1 試料 追加指定成分 1 元素 / 同一試料ごとに 未知試料 半定量分析 (FP 法 ) *1 1 試料 定量分析 1 元素 /1 試料 スクリーニング分析 (RoHS 指令 *2 物質 ) (Cd,Pb,Cr,Hg,Br) C,H,N の定量分析 50,000 3 成分 /1 試料 (n=2) * 3 重量分析 容量分析 強熱残渣 乾燥減量 蒸発残留物 その他 中和滴定 その他 4,000 *1 FP 法 :Fundamental Parameter Method *2 RoHS:Restriction of Hazardous Substances *3 (n=2):2 点測定を標準とする -3-

7 Ⅱ. クロマトグラフ分析 イオンクロマトグラフ分析 (IC) 試料前処理 溶液濃度調製 ( 希釈 ) 水抽出 ( 超音波抽出 ) 振とう抽出 テフロン密封容器抽出 遠心分離 ろ過 試料燃焼処理 酸素フラスコ燃焼 その他 ( 発生ガス捕集など ) 標準無機陰イオン (F -,Cl -,NO 2-,Br -,NO 3-,PO 4 3-,SO 4 2- ) 1 試料 7 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準無機陰イオン ( 濃縮法 ) (F -,Cl -,NO 2 -,Br -,NO 3 -,PO 4 3-,SO 4 2- ) 1 試料 7 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準無機陽イオン (1 価 :Li +,Na +,K +,NH 4 + ) 1 試料 4 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに (2 価 :Ca 2+,Mg 2+ ) 1 価陽イオンと同一試料追加 2 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準有機酸イオン (HCOO -,CH 3 COO -,C 2 H 5 COO - ) 1 試料 3 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに その他特殊イオン

8 Ⅱ. クロマトグラフ分析 ( つづき ) ガスクロマトグラフ分析 (GC) サンプリング ( ガス捕集 ) 試料前処理 濃縮( ロータリーエバポレータ ) 振とう抽出 ソックスレー抽出 1 定性分析 ( 無機ガスのみ ) 指定 1 成分 /1 試料 追加 1 試料 / 同一条件 定量分析 (TCD,FID) *1 指定 1 成分 /1 試料まで 追加 1 成分 / 同一試料ごとに 追加 1 試料ごとに 熱分解ガスクロマトグラフ分析 ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC) 試料前処理 溶液濃度調製( 希釈 ) 溶解(THF) *2 振とう抽出 濾過 測定 ( 成分数 ホ リスチレン基準の相対分子量 ) 1 試料 /1 条件 (THF) 追加 1 試料ごとに *1 TCD:Thermal Conductivity Detector FID:Flame Ionization Detector *2 THF:Tetrahydrofuran -5-

9 Ⅲ. 化合物構造解析 赤外分光分析 (IR,FT-IR) 紫外 可視分光分析 (UV VIS) 試料前処理 KBr 錠剤法フィルム法 KRS 板塗布法振とう抽出ソックスレー抽出 2 試料目より乾留 ( 試験管 ) 濃縮 ( ヒーターなどによる ) 濃縮 ( ロータリーエバポレータ ) カラムクロマト分離 ( シリカケ ルによる ) 粉砕削り取り切断 測定 1( フーリェ変換型装置 ) 透過法 反射法 ATR 法 * 高感度反射法 測定 2( 顕微 FT-IR 法 ) マイクロサンプリング 20μmφ 以上 ( 顕微鏡写真を含む ) 顕微高感度反射法 特別データ処理 差スペクトル, チャート拡大 データ解析 ( 定量 図表作成 ) 同定 解析 通常のもの 検討を要するもの 透過率測定 スペクトル測定 (200~900nm) 積分球反射率測定 スペクトル測定 (240~800nm) 2 試料目より その他 * ATR 法 :Attenuated Total Reflection

10 Ⅲ. 化合物構造解析 ( つづき ) ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 前処理ケース搬送 測定 1 試料目 2 試料目 半定量 30 成分まで / 試料 50 成分まで / 試料 追加 25 成分ごと 定量 50 成分まで / 試料 指定 1 成分定量 / 試料 定性 10 成分まで / 試料 50 成分まで / 試料 追加 1 成分ごとに 化合物分類 50 成分まで / 試料 1,000 60, ,000 TIC ピーク面積測定法 気中有機物分析 (TCT-GC/MS) 前処理 吸着管エージング サンプリング 測定 1 試料目 2 試料目から 半定量 10 成分まで / 試料 30 成分まで / 試料 定性 10 成分まで / 試料 30 成分まで / 試料 化合物分類 30 成分まで / 試料

11 Ⅲ. 化合物構造解析 ( つづき ) X 線回折 (XD) 試料前処理 粉砕 回折図形のみ 回折図形 + 解析 既知物質の結晶性 配向性 結晶子径評価 複雑な未知物質の同定 その他 昇温脱離ガス分析 (TDS) 指定質量数分析 (n=2) マスフラク メント測定 (n =2) ハ イロスキャンモート 測定 (n=2) (1~200amu の指定質量数 :8 個まで, ステージ温度 :80 ~ 1000 ) 標準測定条件 ( 昇温レート 1 /sec) 1~2 試料目 3 試料目 n 数追加ごとに 追加元素 1~7 まで 1 以外での測定 は 定性分析 (n=2) 出力指定質量数 =5 個 出力質量数追加 ( 質量数 5 個ごと ) 定量 (H2 のみ ) 解析 -8-

12 Ⅳ. 表面分析 局所分析 電子線マイクロアナリシス (EPMA) ( 波長分散型 ) 試料前処理 試料調製( 特殊切断等 ) 包埋研磨 包埋または研磨各々単独 蒸着 微細パターン断面研磨 1 定性分析 1( スペクトル表示 ) 1 測定 (n=2) 同一視野追加 1 測定点 定性分析 2( 半定量分析 ;B,C,N,O を除く ) 1 3 試料目より 20% 引定量分析のみ 2 試料目より 定性分析 3( 精密測定 ) 1 元素 /1 測定点 表面形状像 ( 二次電子像 ) 組成像 ( 反射電子像 ) 7,000 面分析 ( 特性 X 線像 ) 1 元素 /1 測定 同一視野追加 1 元素 定量分析 ( *1 ZAF 法 ) 5 元素まで /1 測定 (n=5) 2 測定目より 1 測定につき 追加 1 元素 / 同一測定点 32,000-9-

13 Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) 電子線マイクロアナリシス (EPMA) 線分析 1( ステージスキャン ) 5 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 1 6,000 ( 波長分散型 ) 線分析 2( ビームスキャン ) 5 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 面分析 ( カラーマッピング ) 5 元素 /1 測定,X 軸 /Y 軸 =250 点 /250 点 追加 1 元素 / 同一測定 5 元素 /1 測定, X 軸 /Y 軸 =400 点 /400 点 追加 1 元素 / 同一測定 特殊な表示条件設定 60, ,000 3 試料目より 20% 引 定量分析のみ P&B 測定 *2 5 元素 /1 測定点 (n = 5) 追加 1 元素 / 同一測定点 *1 ZAF:Z( 原子番号 ),Absorption ( 吸収 ),Fluorescence ( 蛍光 ) の各補正係数を求めて定量を実施 *2 P&B:Peak & Background -10-

14 Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) オージェ電子分光分析 (SAM) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 表面形状像 定性分析 同一視野追加 1 測定点 同一試料イオンエッチング後 1 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 30 分まで 追加 1 元素 60 分まで 追加 1 元素 15 分以下 60 分以上 60,000 1 線分析 (4 元素まで ) 追加 1 元素 面分析 (3 元素まで ) 追加 1 元素 バルク定量分析 -11-

15 Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) 二次イオン質量分析 (SIMS) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 質量スペクトル測定 ( 定性分析 ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 高質量分解能スペクトル 70,000 + 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 15 分まで (Si 換算 2000A :O + 2 ) 追加 1 元素 30 分まで追加 1 元素 30 分以上 高質量分解能測定(1 元素当たり ) 70,000 7, ,000 + 線分析 同時測定可能な 4 元素 長さ 1mm までの 1 測定 80,000 バルク定量分析 画像処理解析 RAE 分析 二次イオン像 デプスプロファイル 断面プロファイル 絶縁物分析

16 Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) X 線光電子分光分析 (XPS) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 定性分析 ワイドスキャン 精密測定 ( ナロースキャン ) ワイドスキャン測定後 1 元素 イオンエッチング後 1 元素 試料傾斜測定 化学結合状態分析 ピーク分離 深さ方向分析 (Si 換算 1000A まで ) (4 元素 /1 試料 ) 4 元素 4 水準まで 追加 1 元素 /4 水準まで 追加 1 水準 70,

17 Ⅴ. 形態観察 走査電子顕微鏡 (SEM) 試料前処理 1( 通常測定 ) 試料調製 包埋 研磨 蒸着 2 試料目より フラットイオンミリング 微細パターン断面研磨 試料前処理 2( 高分解能観察 ) 試料調製 切断 蒸着 包埋 研磨 測定 1( 通常 ) 倍率 まで 倍率 ~ 視野増すごとに 測定 2( 高分解能観察 ) 倍率 まで 倍率 以上 1 視野増すごとに 測定 3( 絶縁物 極表面観察 ) 倍率 まで 倍率 ~ 視野増すごとに 組成像 ( 反射電子像 ) 定性分析 (EDX) * 同一視野追加 1 測定点 線分析 (EDX) 2 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 面分析 ( 特性 X 線像 (EDX)) 1 元素 /1 測定 同一視野追加 1 元素 7, ,000 7,000 7,500 3 試料目より 20% 引 * EDX:Energy Dispersive X-ray Spectrometer -14-

18 Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 透過電子顕微鏡 (TEM) 試料前処理 分散法 標準 検討を要するもの レプリカ法 イオンエッチング法 バルク試料 薄膜平面試料 100,000 1 薄膜断面試料 単層膜 標準 検討を要するもの 100,000 多層膜 半導体 セラミックス系 金属層を含むもの 検討を要するもの 150, ,000 デバイス構造 半導体デバイス 金属層を含むもの 検討を要するもの 180,000 2 化学研磨法 研磨条件が確立されているもの 検討を要するもの 50,000 電解研磨法 研磨条件が確立されているもの 検討を要するもの 超薄切片法 50,

19 Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 透過電子顕微鏡 ( つづき ) (TEM) 撮影 明視野法 標準 追加 1 視野につき 3 暗視野法 標準 特殊観察 ( 弱ビーム法等 ) 追加 1 視野につき 3 60,000 電子線回折 反射法 2 透過法 制限視野回折 極微電子線回折 追加 1 視野につき 極微電子線回折 ( 特定微小領域 ) 追加 1 視野につき 4 3 格子像観察 2 波格子像 多波格子像 追加 1 視野につき 写真焼増 80, ,000 分析 点分析 ( 定性分析 ) 追加 1 測定点 線分析 (4 元素まで ) 追加 1 元素 面分析 (3 元素まで ) 追加 1 元素 1-16-

20 Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 集束イオンビーム加工 (FIB) イオンビーム加工 断面観察用試料作製 (3hr 以内 ) 3hr 以上 透過電子顕微鏡用試料作製 透過電子顕微鏡用試料作製 ( ダイシング用前処理含 ) 透過電子顕微鏡用試料作製 ( 再加工可能ピックアップ用 ) 60, , ,000 ダイシング ピックアップ 光学顕微鏡 (OM) 観察 (SIM 像 ) 1 視野 追加 1 視野 試料前処理 切断 包埋 研磨 エッチング ( 化学的 ) エッチング ( 電解 ) 写真撮影 観察 1 視野 (400 倍まで ) 追加 1 視野 (400 倍まで ) 接写 1 視野 追加 1 視野増すごとに -17-

21 様式 3 菱電化成 ( 株 ) 分析センター宛 尼崎市塚口本町 三菱電機 ( 株 ) 先端技術総合研究所内 TEL: 分析申込書 貴社名所属御名前所在地 T E L F A X FAX: 題目申込日年月日御希望納期年月日試料数個試料返却要 不要添付資料有 無 1. 分析目的 内容 ( 明らかにしたい項目 問題となっている項目等 ) 2. 分析項目 ( 元素 分離分析 組成 構造解析 表面 局所分析 形態観察 その他 ) 3. その他 ( 御要望事項 ): 4. 試料内容 ( 名称 主成分等 ) 5. 前処理条件 6. 試料取り扱い上の留意点 : 安全性 毒性 保管方法 その他 -18-

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