謝辞 本研究は SPring B 期戦略活用課題および 2007A 期重点産業利用課題で実施されました この研究の一部は NEDO の委託を受けて実施されました また 本研究は以下の皆さまのご協力を得ています ここに感謝します XMCD-PEEM 観察 : JASRI/SPring-8

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする

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( ) ENTRAN ENTRAN / DRAM 2 3 () 4 (off chip) MOS Tr 5 6 / SSD / Ⅲ. 研究開発成果 3.3 研究開発項目毎の成果 2 不揮発アーキテクチャの研究開発 不揮発アーキテクチャの研究開発 実施者 : 中央大学, エルピーダメモリ (20 年度のみ ) 目的 研究開発項目 で得られたメモリを用い 現行のアーキテクチャの消費電力に対し実質上 /

< 研究の背景と経緯 > ここ数十年に渡る半導体素子 回路 ソフトウェア技術の目覚ましい進展により 様々なモノがセンサー 情報処理端末を介してインターネットに接続される IoT(Internet of Things) 社会が到来しています 今後その適用先は一層増加し 私たちの日常生活においてより多く

- 1 - 平成 2 8 年 6 月 1 5 日 東北大学電気通信研究所 Tel: 022-217-5420( 総務係 ) 東北大学省エネルキ ー スヒ ントロニクス集積化システムセンター (CSIS) Tel: 022-217-6116( 支援室 ) 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター (CIES) Tel: 022-796-3410( 支援室 ) 東北大学原子分子材料科学高等研究機構

報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の

報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので

報道発表資料 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - ポイント 室温でスピン流と電流の間の可逆的な相互変換( スピンホール効果 ) の実現に成功 電流

60 秒でわかるプレスリリース 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - 携帯電話やインターネットが普及した情報化社会は さらに 大容量で高速に情報を処理する素子開発を求めています そのため エレクトロニクス分野では さらに便利な技術革新の必要性が日増しに高まっています

概要 東北大学金属材料研究所の周偉男博士研究員 関剛斎准教授および高梨弘毅教授のグループは 産業技術総合研究所スピントロニクス研究センターの荒井礼子博士研究員および今村裕志研究チーム長との共同研究により 外部磁場により容易に磁化スイッチングするソフト磁性材料の Ni-Fe( パーマロイ ) 合金と

報道機関各位 平成 28 年 12 月 08 日 東北大学金属材料研究所産業技術総合研究所 磁気モーメントの渦の運動が可能にする省エネルギー情報記録 - ハードディスクの超高密度化と超低消費電力動作の両立に新たな道 - 発表のポイント 磁石の向きが変化しやすい Ni-Fe 合金層と 磁石の向きが変化しにくい FePt 規則合金層を組み合わせたナノ磁石を作製し 磁気記憶デバイスの情報記録のしくみである

図は ( 上 ) ローレンツ像の模式図と ( 下 ) パーマロイ磁性細線の実際のローレンツ像

60 秒でわかるプレスリリース 2007 年 12 月 26 日 独立行政法人理化学研究所 電子の流れで磁性体のスピンの向きを反転させる - スピン流を用いたメモリーなどの次世代電子素子が大きく前進 - キロ (10 3 ) メガ (10 6 ) ギガ (10 9 ) と 私たちが気軽に扱うことができる情報量は 巨大化しています これに伴って メモリーカード スティックメモリー 光ディスク ハードディスクなどの情報を記録する媒体は

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]

半導体メモリが新応用を開拓した例 集積デバイス工学半導体メモリ 2010 年 5 月 14 日東京大学大学院工学系研究科電気系工学竹内健 E-mail : takeuchi@lsi.t.u-tokyo.ac.jp http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp p y jp アップル社の ipod nano 2005 年 9 月発売 フラッシュメモリの記憶容量によって価格の異なるラインアップ

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは

平成１８年２月２４日

解禁時間 ( テレヒ ラシ オ WEB) : 平成 19 年 9 月 21 日 ( 金 ) 午前 3 時 ( 新聞 ) : 平成 19 年 9 月 21 日 ( 金 ) 付朝刊 平成 1 9 年 9 月 1 9 日 科学技術振興機構 (JST) 電話 (03)5214-8404( 広報 ホ ータル部広報課 ) 国立大学法人 東北大学 電話 (022)217-5422( 電気通信研究所総務課研究協力係

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテ

交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテクサイエンス 日東光器 ( 株 ) 秋田県産業技術センター 1 従来技術 ( 磁気力顕微鏡 ) とその問題点

(Microsoft PowerPoint - SPring-8_WS_kondo_\224z\225z\227p [\214\335\212\267\203\202\201[\203h])

SPring-8 利用推進協議会先端磁性材料研究会第 3 回研究会 パターン媒体の先端技術開発とナノ磁気イメージングからのアプローチ 2010 年 3 月 16 日 顕微 XMCD 法によるパターン媒体の磁気特性評価 近藤祐治, 千葉隆, 田口香, 有明順 本多直樹 鈴木基寛, 河村直己, 高垣昌史 秋田県産業技術総合研究センター 東北工業大学 高輝度光科学研究センター /SPring-8 B. M.

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

スライド 1

文部科学省 量子ビーム基盤技術開発プログラム シンポジウム 2012 年 12 月 3 日東京秋葉原 UDX ギャラリー NEXT 軟 X 線の高速偏光制御による機能性材料の探究と創製 高エネルギー加速器研究機構雨宮健太 1. プロジェクトの概要 2. これまでの成果 (1) 高速偏光スイッチングの開発 (2) スピントロニクス材料の解析と探索 (3) 表面化学反応のリアルタイム追跡 3. まとめと今後の展開

非磁性体を用いた強磁性体細線中の磁壁移動の検出 Detection of magnetic domain wall motion by using non-magnetic material 1. 序論近年の情報入力端末の市場は情報転送技術の向上により i-phone, i-pad に代表されるよう

1. 序論近年の情報入力端末の市場は情報転送技術の向上により i-phone, i-pad に代表されるような軽量かつ安価なポータブルデバイスへとその主力が移行してきている このようなポータブルデバイスにおいては大型 低速なハードディスク (HDD) より小型 軽量で高速 守谷頼 (Rai MORIYA, Ph. D.) 東京大学生産技術研究所助教 (Assistant professor, Institute

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PF 研究会 磁性薄膜 多層膜を究める 2011 年 10 月 14 日 スピントロニクス研究の進展と 放射光への期待 京都大学化学研究所小野輝男 1 Institute for Chemical Research Division of Materials Chemistry Nanospintronics Lab. 2 Activities in our Lab. (1) Nanomagnetism

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InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

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量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

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薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂

コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂夫 ( 東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所教授 ) 2. 発表のポイント : 薄膜のコバルト層とパラジウム層の界面にて

詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗

平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生

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スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

2019. 7.18 Ibaraki Univ. Dept of Electrical & Electronic Eng. Keiichi MIYAJIMA 今後の予定 7 月 18 日メモリアーキテクチャ1 7 月 22 日メモリアーキテクチャ2 7 月 29 日まとめと 期末テストについて 8 月 5 日期末試験 メモリアーキテクチャ - メモリ装置とメモリアーキテクチャ - メモリアーキテクチャメモリ装置とは?

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ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

スピントランジスタの基本技術を開発 　 ―　高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体　―

スピン MOS トランジスタの基本技術を開発 高速 低消費電力 不揮発の次世代半導体 本資料は 本年米国ボルチモアで開催の IEDM(International Electron Devices Meeting 2009) における当社講演 Read/Write Operation of Spin-Based MOSFET Using Highly Spin-Polarized Ferromagnet/MgO

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

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3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25 日 東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 (JST) スピン流スイッチの動作原理を発見

スライド 1

東北大学工学部機械知能 航空工学科 2016 年度 5 セメスター クラス C3 D1 D2 D3 計算機工学 13. メモリシステム ( 教科書 8 章 ) 大学院情報科学研究科 鏡慎吾 http://www.ic.is.tohoku.ac.jp/~swk/lecture/ レジスタ選択( 復習 ) MIPS の構造 PC 命令デコーダ 次 PC 計算 mux 32x32 ビットレジスタファイル

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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

Microsoft PowerPoint - 物構研シンポ

結晶 MgO トンネル障壁の 巨大トンネル磁気抵抗効果 湯浅新治 片山利一 共同研究者およびスポンサー 産総研 福島章雄長浜太郎久保田均 A. A. Tulapurkar 片山利一薬師寺啓安藤功兒 キヤノンアネルバ D. Djayaprawira 恒川孝二前原大樹長嶺佳紀長井基将山形伸二渡辺直樹 大阪大基礎工 鈴木義茂松本利映 A. Deac 東芝 與田グループの方々 新エネルギー 産業技術総合開発機構

互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (

スピン自由度を用いた次世代半導体デバイス実現へ大きな進展 ~ 強磁性半導体において大きなスピン分裂をもつ電子のエネルギー状態を初めて観測 ~ 1. 発表者 : レデゥックアイン ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 附属総合研究機構助教 ) ファムナムハイ ( 東京工業大学工学院電気電子系准教授 ) 田中雅明 ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授 スピントロニクス学術連携研究教育センターセンター長

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平成 26 年 2 月 26 日 東京工業大学広報センター長 大谷 清 半導体中を秒速 8 万 m で動きまわる電子を撮影 - 見える化 により多様な半導体材料の評価に威力 - 要点 半導体材料中の 20 nm スケールの領域に流れる電子を 200 フェムト秒間隔で測定 電子が半導体中を秒速約 8 万 m で動きまわる様子の動画撮影に成功 半導体の新しいナノ構造の開拓や未来の新材料開発に貢献 概要

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広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ

EOS: 材料データシート(アルミニウム)

EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job

報告されている (8) (11). このことは,L1 0 FePt のサイズを制御することにより,H c を決定している磁化過程を制御できることを意味している. しかしながら, 薄膜成長形態を利用したこれまでの研究では微粒子の形状やサイズの制御が困難であった. 本研究では, 微細加工法を用いることで

高保磁力 FePt 合金の磁化制御 関剛斎. はじめに今日の我々の生活は電子情報機器の高性能化および多機能化の恩恵を大いに受けており, それらの機器は利便性を追求しながら発展してきた. しかしながら, 近年のエネルギー問題や資源枯渇の危惧から, 電子情報産業においても省エネルギー, 環境調和, あるいは低炭素排出といった観点が重要視されるようになってきている. 中でも, 電子情報機器の根幹を成す記憶素子の低消費電力化を進めることが,

様式 C-19 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 25 年 5 月 4 日現在 機関番号 :32641 研究種目 : 基盤研究 (C) 研究期間 :2010~2012 課題番号 :22560302 研究課題名 ( 和文 ) 磁気力顕微鏡による記録媒体磁化状態変化の高分解能観察およびデータ解析に関する研究研究課題名 ( 英文 ) Research on high-resolution

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

H22低炭素助成報告書-関先生-最終_p45

高保磁力 FePt ナノ構造体における磁気特性の電界制御 磁性材料学研究部門 関剛斎 概要 磁気記憶デバイスの低消費電力化は 低炭素化社会を実現するための重要な課題の一つである 本研究事業では 情報書込み手法の低エネルギー化を目指し 外部磁場や電流を用いるのではなく 電界を磁性体に印加することによる磁化方向制御を試みた 具体的には 磁化の高い熱安定性を示す L1 0 型 FePt 規則合金を材料として選択し

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平成 5 年度大学院共通授業 トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 44 スピントロニクスの基礎とその応用 本日の講義内容 スピントロニクスとは? スピンの発見 ( 世紀前半 磁性の歴史 ( 世紀前半 世紀後半 電荷 S -ee N スピン 北海道大学電子科学研究所海住英生 4 スピントロニクスの誕生とその基礎と応用 巨大磁気抵抗 (GM 効果 トンネル磁気抵抗 (TM 効果 スピン注入磁化反転 磁壁の電流駆動

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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO

untitled

インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,

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( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

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In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の

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Ⅰ-5. 磁気工学実験 1. はじめに ビデオテープになぜ映像が映るの? テープに記録されるデータには 色信号, 明るさの輝度信号, 音声信号の3つ がある これらのデータをテープに記録するのは 磁気記録 と呼ばれる方法である. 磁気テープへの記録は 磁気ヘッドのコイルに電流を流して 先端にある狭いギャップに磁界を発生させることで実現されている 発生した磁界によってテープの磁性層は磁化されデータが記録される

磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発 ~ 電圧をかけずに動作する電気化学デバイス実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 29 年 9 月 7 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構 (NIMS) 概要 1.NIMS は 電圧でなく磁気でイオンを輸送するという 従来と全く異なる原理で動作するトランジスタの開発に成功しました

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Cir

PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Circuit Serial Programmming 原則論を解説 PIC の種類によって多少異なる 1

-2 外からみたプロセッサ GND VCC CLK A0 A1 A2 A3 A4 A A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A1 A16 A17 A18 A19 D0 D1 D2 D3 D4 D D6 D7 D8 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D1 MEMR

第 回マイクロプロセッサのしくみ マイクロプロセッサの基本的なしくみについて解説する. -1 マイクロプロセッサと周辺回路の接続 制御バス プロセッサ データ バス アドレス バス メモリ 周辺インタフェース バスの基本構成 Fig.-1 バスによる相互接続は, 現在のコンピュータシステムのハードウェアを特徴づけている. バス (Bus): 複数のユニットで共有される信号線システム内の データの通り道

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MSP430 : 革新的な新技術 この資料は 次世代マイコン活用セミナー (2012) から FRAM 部分を抜粋したものです Ferroelectric RAM (FRAM) 1 FRAM 次世代 MCU メモリ 不揮発性 電源が切れてもデータを保持 EEPROM の代替え品として利用可能 高速書き込み / アップデート SRAM のようなパフォーマンスアクセスタイム : ~ 50ns/ バイト

トポロジカル絶縁体ヘテロ接合による量子技術の基盤創成 ( 研究代表者 : 川﨑雅司 ) の事業の一環として行われました 共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関物理部門強相関物性研究グループ研修生安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) 研

PRESS RELEASE 2017 年 12 月 6 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 磁壁におけるトポロジカル電流を観測 - 省エネルギースピントロニクスデバイスの基礎原理を実証 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの安田憲司研修生 ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) 十倉好紀グループディレクター ( 同教授

lesson7.ppt

Lecture 7 Electrodynamical Carrier Doping: History p.7 Electrdodynamical Carrier Doping? pulse p.8 IV Hysteresis & NV Memory Crossing I-V curve I Low R Nonvolatile Switching +V pulse 0 -V pulse time -V

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

CoPt 17

CoPt 17 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...1 1.2.3...2 1.3...3 1.4 CoPt...3 1.5...4 2...6 2.1...6 2.1.1...6 2.1.2...6 2.2...7 2.2.1 X...7 2.2.2...7 2.3...8 2.3.1...8 2.3.2...9 3 CoPt...10 3.1...10

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

21世紀COE講義2006_5.ppt

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磁性工学特論 第6回 磁気と電気伝導

磁性工学特論 050526 第 6 回磁気と電気伝導 佐藤勝昭 復習コーナー ( 第 5 回の問題 ) 反磁性体は磁界の変化を妨げるように逆向きの磁化を生じる それではなぜ強い静磁界のもとで反磁性体を浮かせることができるのか 単位質量あたりの反磁性磁化率を χ=-χ d とする 磁化 M が磁界 B の中にある時のポテンシャルエネルギーは E=-M B であるから 力は E の距離微分 F=-MdB/dz

半導体技術分野の重要技術説明資料

5 PC HDD TMR CPP-GMR Super-RENS MEMS Super-RENS MEMS DRAM SoC 1 景ストレージ不揮発性メモリ FeRAM 1T-FeRAM MRAM MgO MTJ PRAM RRAM PMC-RAM MRAM FeRAM 背景インターネットの高速化により 映画等のオンデマンド配信が拡大 大容量コンテンツの供給 保存に対応した大容量ストレージモバイル機器の多機能化

招待論文 フルスペック 8K スーパーハイビジョン圧縮記録装置の開発 3.3 記録制御機能と記録媒体 144 Gbps の映像信号を 1/8 に圧縮した場合 18 Gbps 程度 の転送速度が要求される さらに音声データやその他のメ タデータを同時に記録すると 記録再生には 20 Gbps 程度 の転送性能が必要となる また 記録媒体は記録装置から 着脱して持ち運ぶため 不慮の落下などにも耐性のあるこ

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研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

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STRJ WS: March5, 2010, 特別講演 1 電子情報技術産業協会 (JEITA) 半導体技術ロードマップ専門委員会 (STRJ) ワークショップ 2010 年 3 月 5 日コクヨホール スピン流とスピントロニクス 高梨弘毅 東北大学 金属材料研究所 Research 発表構成 1. イントロダクションスピン流とは何かスピントロニクスとスピン流の関係 2. 歴史的経緯 GMR/TMR

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スピントロニクスの基礎 サンプルページ この本の定価 判型などは, 以下の URL からご覧いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/077461 このサンプルページの内容は, 初版 1 刷発行時のものです. i 1 2 ii 3 5 4 AMR (anisotropic magnetoresistance effect) GMR (giant magnetoresistance

首都大学東京 新技術説明会 日時 : 平成 27 年 9 月 25 日 ( 金 ) 場所 :JST 東京別館ホール ノイズ耐性フリップフロップの開発と 信頼性要求電子機器への応用可能性 首都大学東京システムデザイン研究科情報通信システム学域 教授 三浦幸也

首都大学東京 新技術説明会 日時 : 平成 27 年 9 月 25 日 ( 金 ) 場所 :JST 東京別館ホール ノイズ耐性フリップフロップの開発と 信頼性要求電子機器への応用可能性 首都大学東京システムデザイン研究科情報通信システム学域 教授 三浦幸也 本研究課題の背景 (1/2) ( 従来技術とその問題点 ) LSI の微細化 高速化 低電圧化 - ノイズマージンの低下化 - ノイズ ( ソフトエラー,

Microsoft PowerPoint - 第9回電磁気学

017 年 1 月 04 日 ( 月 ) 13:00-14:30 C13 平成 9 年度工 V 系 ( 社会環境工学科 ) 第 9 回電磁気学 Ⅰ 天野浩 mno@nuee.ngoy-u.c.jp 9 1 月 04 日 第 5 章 電流の間に働く力 磁場 微分形で表したア ンペールの法則 ビオ サバールの法則 第 5 章電流の作る場 http://www.ntt-est.co.jp/business/mgzine/netwok_histoy/0/

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Sprg-8 利用推進協議会第 6 回先端磁性材料研究会 Mn-Ir / Fe-Co-Ni 積層膜の 交換磁気異方性と界面非補償反強磁性スピン 角田匡清 ( 東北大学工学研究科電子工学専攻 ) 共同研究者 : 高橋宏和 小田洋平 三俣千春 佐久間昭正 ( 東北大学 ) 中村哲也 児玉謙司 (JASRI/SPrg-8) 213 年 3 月 11 日東京 Outle 1. はじめに ~ 交換磁気異方性とその応用

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15 1...1 1-1...1 1-1-1...1 1-1-2...3 1-1-3...4 1-1-4...5 1-2...5 1-2-1...5 1-2-2...6 1-3...6 1-3-1...6 1-3-2...7 1-3-3...8 1-3-4...8 1.4 Co-Pt...9 1.5...9 2...10 2-1...10 2-1-1...10 2-1-2...10 2-2...11

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

計算機ハードウエア

計算機ハードウエア 2017 年度前期 第 4 回 前回の話 コンピュータバスの構成 データバス I/O (Input/ Output) CPU メモリ アドレスバス コントロールバス コンピュータバスは コンピュータ本体 (CPU) と そのコンピュータ本体とデータのやり取りをする複数の相手との間を結ぶ 共用の信号伝送路である CPU は バス を制御して 複数のデバイス ( メモリや I/O)

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

研究成果報告書

様式 C-9 科学研究費助成事業 ( 科学研究費補助金 ) 研究成果報告書 平成 24 年 4 月 9 日現在 機関番号 :4 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :2~2 課題番号 :2276224 研究課題名 ( 和文 ) 強磁性 - 反強磁性型二次元ナノ構造体におけるスピン配列の解明 研究課題名 ( 英文 ) Study on spin arrangement in two dimensional

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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

SE法の基礎

SE 法の基礎 近畿大学医学部奈良病院阪本貴博 本日の内容 Principle of MRI SE 法の基礎 MRI とは SE 法とは 縦緩和と横緩和 TR と TE コントラスト MRI とは Magnetic Resonance Imaging: 核磁気共鳴画像法 MRI に必要な 3 つの要素 N S + + + 静磁場 ( 磁石 ) 水素原子 電波 (RF) 静磁場と電波 (RF) を使って水素原子の様子を画像化している

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2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

<4D F736F F D D CE81408E9F90A291E A82CC93AE8DEC8CB4979D82F08CB48E E71838C B82C589F096BE815B2E646F63>

同時発表 : 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 解禁日時テレビ ラジオ インターネット :12 月 6 日午後 11 時から 現地時間 :6 日午前 9 時 新聞 :12 月 7 日 ( 月 ) 朝刊から 平成 21 年 11 月 30 日筑波大学 次世代メモリの書き込み のメカニズムを原子レベルで解明 概要 1. 筑波大学大学院数理物質研究科の村上浩一研究科長を中心に進めている

IB-B

FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する

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東北大学工学部機械知能 航空工学科 2017 年度 5 セメスター クラス C3 D1 D2 D3 計算機工学 13. メモリシステム ( 教科書 8 章 ) 大学院情報科学研究科 鏡慎吾 http://www.ic.is.tohoku.ac.jp/~swk/lecture/ ジスタ( 復習 ) MIPS の構造 PC 次 PC 計算 メモリ 命令デコーダ 制御回路 選択演算選択レmux 32x32

背景 現代社会を支えるコンピューティングや光通信では, 情報の担い手として, 電子の電荷と, その電荷を変換して生成した光 ( 光電変換 ) を利用しています このような通常の情報処理に用いる電荷以外に, 電子にはスピンという状態があります このスピンの集団は磁石の性質を持ち, 情報の保持に電力が不

PRESS RELEASE 2018/9/11 電子のスピン情報を増幅する半導体ナノ構造の開発に成功 ~ 固体素子の電子スピン情報を光情報に変換する実用光デバイスの開発に道を拓く ~ ポイント 電子情報を光情報に変換するために用いられる発光ダイオードなどの半導体光デバイスにおいて, 電子スピンの情報を増幅 維持できるナノ構造の開発に成功 電子スピン情報の光伝送やスピン情報ネットワークを実現する技術に道筋

令和元年 6 月 1 3 日 科学技術振興機構 (JST) 日本原子力研究開発機構東北大学金属材料研究所東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 理化学研究所東京大学大学院工学系研究科 スピン流が機械的な動力を運ぶことを実証 ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 ポイント スピン流が

令和元年 6 月 1 3 日 科学技術振興機構 (JST) 日本原子力研究開発機構東北大学金属材料研究所東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 理化学研究所東京大学大学院工学系研究科 スピン流が機械的な動力を運ぶことを実証 ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 ポイント スピン流が運ぶミクロな回転がマクロな動力となることを実証した 磁性体で作製したマイクロデバイスにスピン流を注入した結果

共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームチームリーダー十倉好紀 ( とくらよしのり ) 基礎科学特別研究員吉見龍太郎 ( よしみりゅうたろう ) 強相関物性研究グループ客員研究員安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 米国マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシ

PRESS RELEASE 2018 年 12 月 4 日理化学研究所東京大学東北大学科学技術振興機構 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現 - 低消費電力エレクトロニクスへの新原理を構築 - 理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームの吉見龍太郎基礎科学特別研究員 十倉好紀チームリーダー 安田憲司客員研究員( マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシエイト

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

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東北大学サイクロトロン ラジオアイソトープセンター測定器研究部内山愛子 2 電子の永久電気双極子能率 EDM : Permanent Electric Dipole Moment 電子のスピン方向に沿って生じる電気双極子能率 標準模型 (SM): クォークを介した高次の効果で電子 EDM ( d e ) が発現 d e SM < 10 38 ecm M. Pospelov and A. Ritz,

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt

集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

新しい高密度記録技術──エネルギーアシスト磁気記録媒体──

富士時報 Vol.83 No.4 2010 新しい高密度記録技術 エネルギーアシスト磁気記録媒体 New High Density Recording Technology: Energy Assisted Recording Media 特 稲葉祐樹 Yuki Inaba 中田仁志 Hitoshi Nakata 井上大輔 Daisuke Inoue 次世代高記録密度技術の一つであるエネルギーアシスト磁気記録方式は,

Microsoft Word - 10gun_04hen_04.doc

10 群 ( 集積回路 ) 4 編 ( メモリ LSI) 4 章不揮発性大容量メモリ ( 執筆者 : 仁田山晃寛 )[2010 年 1 月受領 ] 概要 Code Storage Memory または Data Storage Memory として大容量のメモリ LSI を提供する不揮発性大容量メモリの最近の技術動向を概観し, 今後の技術展望を論じる. 本章の構成 本編では, 不揮発性大容量メモリの代表例として,NAND-flash

Microsoft PowerPoint - 物質の磁性090918配布

物質の磁性 - 計算しないでわかることと計算でわかること - 大阪大学名誉教授山田科学振興財団理事長金森順次郎 1. 元素と磁性 2. 単体 合金 化合物の電子構造 3. 世界最強のネオジム磁石 4.CMDの意義 5. ナノ物質設計の今後 2009 9 18 CMD 1 2 1. 元素と磁性 なぜ 遷移元素でもとくに 3d 元素が磁性の主役を演じるか? なぜ 希土類元素でもとくに 4f 電子は局在しているか?

PowerPoint プレゼンテーション

コンピュータアーキテクチャ 第 11 週 制御アーキテクチャ メモリの仕組 2013 年 12 月 4 日 金岡晃 授業計画 第 1 週 (9/25) 第 2 週 (10/2) 第 3 週 (10/9) 第 4 週 (10/16) 第 5 週 (10/23) 第 6 週 (10/30) 第 7 週 (11/6) 授業概要 2 進数表現 論理回路の復習 2 進演算 ( 数の表現 ) 演算アーキテクチャ

計算機ハードウエア

計算機ハードウエア 209 年度前期 第 5 回 前回の話 (SH745) (32 bit) コンピュータバスの構成 インタフェース (6 bit) I/O (Input/ Output) I/O (22 bit) (22 bit) 割り込み信号リセット信号 コンピュータバスは コンピュータ本体 () と そのコンピュータ本体とデータのやり取りをする複数の相手との間を結ぶ 共用の信号伝送路である クロック用クリスタル

⑧差替え2_新技術説明会_神戸大_川南

固体冷媒を いた 次世代磁気ヒートポンプの研究開発 神 学 学院 学研究科機械 学専攻 准教授川南剛 発表概要 p 研究開発の動機および研究の意義 p 新技術の特徴 従来技術との 較 p これまでの研究成果 p 技術の問題点 p 企業への期待 p まとめ 1 研究開発の動機と意義 国内の排出削減 吸収量の確保により 2030年度に2013 年度 ｰ26.0% 2005 年度比 ｰ25.4% の水準

<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7

電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic

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パワーインダクタ および高誘電率系チップ積層セラミックコンデンサの動的モデルについて 1 v1.01 2015/6 24 August 2015 パワーインダクタの動的モデルについて 2 24 August 2015 24 August 2015 動的モデルの必要性 Q. なぜ動的モデルが必要なのか? A. 静的モデルでは リアルタイムに変化するインダクタンスを反映したシミュレーション結果が得られないから