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Lithography WG 活動報告 微細化の限界に挑むリソグラフィ技術 STRJ WS 2015 年 3 月 6 日品川 : コクヨホール WG5 主査 : 上澤史且 ( ソニー ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 6, 2015, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 - JEITA 半導体部会 /

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Lithography WG 活動報告 ITRS 2015 に見る リソグラフィ技術の最新動向 STRJ WS 2016 年 3 月 4 日品川 : コクヨホール WG5 主査 : 上澤史且 ( ソニー ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 - JEITA

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リソグラフィの最新状況 WG5 ( リソグラフィ WG) ルネサスエレクトロニクス ( 株 ) 内山貴之 - 内容 - WG5( リソグラフィ WG) の活動体制 ITRS 2011 リソグラフィの概要 リソグラフィの最新状況 まとめ 1 略語 NA Numerical Aperture CD Critical Dimension CDU CD Uniformity DOF Depth of Focus

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EUV は間に合うか それともトリプルパターンニングか? ーリソグラフィ技術の最新動向ー WG5 ( リソグラフィ Working Group) 富士通セミコンダクター ( 株 ) 千々松達夫 - 内容 - WG5 の活動体制 EUV か トリプルパターニングか その他のトピックス まとめ STRJ WS: March 8, 2013, WG5 Litho 1 WG5( リソグラフィ WG) の活動体制

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2016 年度活動報告 リソグラフィー専門委員会 2017.05.09 高橋和弘リソグラフィー専門委員会委員長 リソグラフィ専門委員会 委員長 キヤノン ( 株 ) 高橋和弘 副委員長 ( 株 ) ニコン 奥村正彦 委員 ( 株 ) アドバンテスト 黒川正樹 ウシオ電機 ( 株 ) 笠間邦彦 ギガフォトン ( 株 ) 黒須明彦 信越石英 ( 株 ) 西村裕幸 東京エレクトロン ( 株 ) 中島英男

2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

1 2003 2 CD 15 ITWG International technology working group[ ] ESH Environment, Safety, and Health[ ] TWG RET resolution enhancement techniques OAI off-axis illumination PSM phase shifting masks OPC optical

45nm以降に向けたリソグラフィ技術 －ArF液浸への期待とその後の展開－

1 45nm ArF WG5 WG5 2 3 2004 Update Potential Solutions ArF EUV (ML2) 4 2004 Update Potential Solutions - Potential Solutions CD (total CD control) 4nm(3s) CD "Red" 2005 Changes to coloring, footnotes,

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

WG5: ArF NGL STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 2 WG5 27 STRJ WS: March 5, 2004, WG5 Lithography 3 Outline 1. ITRS Lithography Roadmap 2. ArF (193nm), ArF F 2 (157nm),EUVL PEL (Leepl), EPL, ML2 Imprint,

Linda

1 2005 ArF(193 nm) CoO(Cost of Owership) CD(Critical Dimension) (Difficult Challenges) (Potential Solutions) 15 ITWG International technology working group[ ] FEP(Front End Processing) ESH Environment,

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

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ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005

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/ Lithography Conventional DRC+Lithographic DRC (Metrology: SEM OPE ) CD-SEM IP CD-SEM Hot Spot 1 DRC: Design Rule Check CD-SEM: Critical Dimension-Scanning Electron Microscope Hot spot: Systematic defect:

2001 Format for ITRS

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2013 年版 リソグラフィ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

フォトポリマー懇話会

半導体向け EUV リソグラフィの現状と展望 株式会社東芝セミコンダクター & ストレージ社半導体研究開発センターリソグラフィプロセス技術開発部内山貴之 2015 Toshiba Corporation 内容 1. はじめに デバイスのスケーリングとリソグラフィ技術 次世代リソグラフィ技術の現状と課題 2. EUV リソグラフィの概要 EUV リソグラフィの課題 高 NA-EUV リソグラフィ 3.

13 EUVA EUV EUVLL (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA EUV W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC EUVA NEDO

13 EUVA EUV EUVLL 2002 6 (NEDO) EUV (EUVA) 10 EUVA 2002 2005 EUV 2007 2 2005 1050W EUV EUV LPP EUV DPP EUVA 2 Selete 26nm IMEC 1 2008 2010 EUVA NEDO EUVA EUV 2006 Selete EUVA 1. EUVA 436nm 365nm 1/17 KrF

第7章 WG5 リソグラフィ

第 6 章 WG5 リソグラフィ 6-1 はじめに 2008 年度 WG5( リソグラフィ WG) では ITRS2008update 版の作成に向けて 技術世代に対応した解決策候補 (Potential Solutions) の技術調査 各種テーブルの見直し クロスカット活動などを行うとともに 2009 版の作成指針を絞り込んだ Lithography itwg は SEMATECH から出ているリーダーの下

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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

Original (English version) Copyright 2001 Semiconductor Industry Association All rights reserved ITRS 2706 Montopolis Drive Austin, Texas

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2001 EDITION EECA, European Electronic Component Manufacturers Association () JEITA, Japan Electronics and Information Technology Industries Association

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1 Litho 計測の現状と課題 ( 計測 WG) & 故障解析 SWG 活動状況報告 2 Litho 計測の現状と課題 ( 計測 WG) メンバー 河村栄一 ( 富士通マイクロエレクトロニクス ) 山崎裕一郎 ( 東芝 ) 上澤史且 (SONY) 清水澄人 ( パナソニック ) 横田和樹 (NECEL) 市川昌和 ( 東京大学 ) 水野文夫 ( 明星大学 ) 小島勇夫 ( 産総研 ) 池野昌彦 (

Potential Solutions

ITRS 2004 Update ITRS 2004 12 1 2004 ITRS Update,, - P. Gargini - - W. Arden - - H. Sohn - P. Gargini - 2004 ITRS Update 2004 Update Technology Node DRAM M1 2003 ITRS (hpxx ) 2004 Update Technology Node

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モデリング & シミュレーションの 現状と経済的効果 モデリング / シミュレーション WG (WG10) 佐藤成生青木伸俊 國清辰也 木村光紀 泉直希 麻多進 海本博之 林洋一 藤原秀二 西尾修 中村光利 小方誠司 和田哲典 佐野伸行 三浦道子 大野隆央 谷口研二 小谷教彦 STRJ WS: March 6, 2009, WG10 1 構成メンバー 氏名組織役割主担当領域 佐藤成生 富士通マイクロエレクトロニクス主査

Main-Title

平成 19 年 5 月 30 日 記者説明会 次世代半導体微細加工技術が実現可能に ~ 国内 EUV リソグラフィ技術開発本格化へ解像度 26nm を達成 ~ 技術説明 第三研究部 森一朗 1 EUVL 技術開発フェーズへの認識 基礎研究 φ1 Feasibility study ASET, MIRAI1/2, EUVA, Leading PJ 基礎研究要素開発 量産を目指した基盤技術開発 MIRAI3

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SoC -SWG ATE -SWG 2004 2005 1 SEAJ 2 VLSI 3 How can we improve manageability of the divergence between validation and manufacturing equipment? What is the cost and capability optimal SOC test approach?

2001 Format for ITRS

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2011 年版 リソグラフィ THE ITRS IS DEVISED AND INTENDED FOR TECHNOLOGY ASSESSMENT ONLY AND IS WITHOUT REGARD TO ANY COMMERCIAL CONSIDERATIONS PERTAINING TO INDIVIDUAL

先端テクノロジにおけるDFM取り組み事例 ～ファブレスとEDAベンダ及び外部ファブとの関係～

先端テクノロジにおける DFM 取り組み事例 ~ ファブレスと EDA ベンダ及び外部ファブとの関係 ~ 2014 年 7 月 18 日富士通セミコンダクター ( 株 ) 共通テクノロジ開発センター第三設計技術部花蜜宏晃 Copyright 2014 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED 目次 富士通セミコンダクターのご紹介 DFMの位置付け 事例 1: ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化

設計現場からの課題抽出と提言 なぜ開発は遅れるか？その解決策は？

Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 1 WG1: NEC STARC STARC Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2004, WG1 2 WG1 ITRS Design System Drivers SoC EDA Work in Progress

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2003 年 3 月 3 日 STRJ ワークショップ 0 過去 40 年の

先端ナノパターニング材料 プロセス国際ワークショップ参加申込書 氏名所属住所 TEL 懇親会参加します 参加しません ( いずれかを消して下さい )

先端ナノパターニング材料 プロセス 国際ワークショップ 大阪大学産業科学研究所田川精一 早稲田大学理工学術院 総合研究所鷲尾方一 謹啓 半導体デバイスの微細化は進展を続けており 本年は MPU DRAM デバイスでは 32nm NAND フラッシュデバイスでは 22nm 以下のそれぞれ最小ハーフピッチパターンが求められています 2015 年にはそれぞれ 22nm 16nm 2018 年にはそれぞれ

藤村氏(論文1).indd

Nano-pattern profile control technology using reactive ion etching Megumi Fujimura, Yasuo Hosoda, Masahiro Katsumura, Masaki Kobayashi, Hiroaki Kitahara Kazunobu Hashimoto, Osamu Kasono, Tetsuya Iida,

Manufacturing Processes Machining Casting Process Welding, Bonding and Cutting Plastic Working Cutting Process Abrasive Machining

I Academic English I Lesson 11 Manufacturing Processes Machining Casting Process Welding, Bonding and Cutting Plastic Working Cutting Process Abrasive Machining Machining 1 primary forming process secondary

<4D F736F F D20838A835C834F CC B94C52D32>

第 2 編リソグラフィ WG 第 1 章はじめに 1-1 背景 ITRS ならびに STRJ のロードマップには デバイスメーカ主体の観点で今後のデバイスの将来像が描かれている これはその将来のデバイスの実現のために それぞれの技術研究開発を集約し市場にデバイスが供給可能な体制をいつまでに整える必要があるかを明示している 図 2-1-1 デバイス量産立ち上がりカーブ Figure 2-1-1 Production

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High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

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UP 2008/2/16 20080216 UP 1. 28% SFA 2. 3. 2008/02/16 (C)2008 2 1 UP 2008/2/16 20081 () ABC 20078 MR MR 2008/02/16 (C)2008 3 2008/02/16 (C)2008 4 2 UP 2008/2/16 1. 2. 3. 4. 5. 6. 2008 2008/02/16 (C)2008

Spansion_Corporate_Presentation

世界の半導体動向と 生き残りをかけた日本の半導体 株式会社スパンション イノベイツ デザイン代表取締役社長兼スパンション イノベイツ株式会社技術本部長代理独古康昭 1.Oct. 2013 1 2013 SIDL. 世界の半導体半導体動向 2 2013 SIDL. 半導体会社構造 Business R&D Products Customer Strength Weakness Model Fabless

Tornado Series selection SW TiCN HSS Co FAX VL PM

Metal Band Saw Blades Tornado Series selection SW TiCN HSS Co FAX VL PM Selection Chart Selection Chart Solids 3 Selection Teeth 4 note 1) Structurals, Tubing H section steels Light gauge steels Tube Products

Linda

1 METROLOGY ITRS IC IC 1/10 FIN IC 2 3 SOI ITRS 2003 10 32nm FINFET High-k Low-k FEP SOI 22nm Cu ( ) CIM computer integrated manufacturing APC advanced process control CoO(Cost Of Ownership) 3 2005 CD

Microsoft PowerPoint - (1_IRC）STRJ_WS_2014_IRC_ver2_講演後改訂版.ppt

ITRS 2013 年版の概要と ITRS の編集方針 JEITA 半導体技術ロードマップ委員会 (STRJ) 委員長石内秀美 (( 株 ) 東芝 ) 本講演は ITRS でまとめた技術ロードマップについて説明したもので ITRS 参加企業 団体 JEITA 会員企業の個別の製品や技術開発の方向について説明したものではありません 1 主要略語一覧 (Glossary) ERD: Emerging Research

テストコスト抑制のための技術課題－DFTとATEの観点から

2 -at -talk -talk -drop 3 4 5 6 7 Year of Production 2003 2004 2005 2006 2007 2008 Embedded Cores Standardization of core Standard format Standard format Standard format Extension to Extension to test

1. Introduction SOI(Silicon-On-Insulator) Monolithic Pixel Detector ~µm) 2

Introduction TEG 2005.10.4 @KEK 1 1. Introduction SOI(Silicon-On-Insulator) Monolithic Pixel Detector ~µm) 2005.10.4 @KEK 2 SOI 2005.10.4 @KEK 3 SOI : Smart Cut (UNIBOND) by SOITEC Low-R Hi-R 2005.10.4

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LER/LWR WG4 /WG5 /WG6(PIDS)/WG11 65nm WG11 1 LER/LWR 2004 UPDATE LER/LWR 2 1. LER/LWR 2. * * 3. 4. * Lithography/PIDS/Interconnect 5. 3 1. LER/LWR Line-Edge Roughness (LER) L y Line-Width Roughness (LWR)

0810_UIT250_soto

UIT UNIMETER SERIES 250 201 Accumulated UV Meter Digital UV Intensity Meter Research & Development CD Medical Biotech Sterilization Exposure Bonding Manufacturing Curing Production Electronic Components

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1-1 1.CMOS 技術の最前線 国際半導体技術ロードマップから見た CMOS 技術動向 Trends in CMOS Technology Based on ITRS 2011 Edition 石内秀美 ITRS( 国際半導体技術ロードマップ ) は, 世界 5 極 ( 欧州, 日本, 韓国, 台湾, 米国 ) の半導体工業会 (ESIA,JEI- TA,KSIA,TSIA,SIA) がスポンサーとなって,

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application

06-渡辺広明.indd

1 12 2 5 2 DVD 1995 QV1 3 268 4 17 42212 5 6 2 8 CIPA 12 7 1 2 2 1 23 4 25 6 1 27 18 1 2 9 121 1 2 2 2 43 23 2.8 1 2 1 4 1 5 5 CIPA 211 9 12 18 1 6 13 1 7 7 29 25 1 6 1 1 2 21 1 117 2 16 3 SDIC1 4 5 67

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

[Opening Session]

PMJ2016 学会報告 1. はじめに PMJ2016 論文委員長大日本印刷株式会社吉岡信行 2016 年 4 月 6 日から 8 日にかけてパシフィコ横浜で PMJ2016 学会が開催された 以下に PMJ2016 学会についての報告を行う 2. 投稿論文数と傾向 PMJ2016 では全体で 63 件の発表が行われた そのうち Oral 発表が 27 件 Poster 発表が 26 件 招待講演が

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc.

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 Copyright Gigaphoton Inc. ギガフォトンの事業概要 2 半導体露光 光源ビジネス 液晶アニール 光源ビジネス 本体販売先 部品販売先 ASML, Nikon, Canon Intel, Toshiba, Samsung, TSMC など半導体メーカ

メタルバンドソー

Metal Band Saw Blades Tornado Series selection TiCN HSS Co FAX FMX PM VL Selection Chart Selection Chart Solids Selection Teeth 3 note 1) Structurals, Tubing H section steels Light gauge steels Tube 4

オープン・イノベーション時代におけるCTI

INTELLIGENCE MANAGEMENT Vol.1, No.1 / 2009 47 48 INTELLIGENCE MANAGEMENT Vol.1, No.1 / 2009 49 50 I NTELLIGENCE M ANAGEMENT Vol.1, No.1 / 2009 10年先行する科学的研究を行うため 84年に地元大学を しである 市況悪化に伴う業績不振により 半導体各社 拠点とする特定非営利活動法人としての研究機関を設立

日本電子News Vol.41, 2009

CD X Axis [mm] Y Axis [mm] - - Magnification: 150k (0, -30mm) 26 nm 24 nm 1 26 nm 26 nm (30mm, 0) Center (0, -30mm) 48 nm (0, 30mm) 48 nm 48 nm 48 nm 48 nm E-beam resist Resist image Silicon mold Dose

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OLED Display Industry Report 2018 SAMPLE 2018.02 1 OLED Display Industry Report 本レポートは OLED ディスプレイをリジッド フレキシブル ソリューションプロセスに分類した上 各章を 6 つの節 * に分けて図表化 記述し 顧客企業における今後の開発方向と事業戦略の策定 投資 トレンド分析などに活用できることを目的とする

Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms

JAIST Reposi Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: Issu

JAIST Reposi https://dspace.j Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: 661-666 Issue Date 2009-10-24 Type Conference Paper Text version

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WG6(PIDS 及び RF&AMS) 活動報告 ITRS2.0~ デバイス微細化の終焉と 3D Functional Scaling STRJ WS 2015 2016 年 3 月 4 日品川 : コクヨホール WG6 主査 : 福崎勇三 ( ソニー ) WG6 副主査 : 井上裕文 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4,

広報さがみはら第1242号

LINE UP 3 1 5 6 1 NO.1242 S A G A M I H A R A 1 1 1 16 16 1 6 1 6 1 6 1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 6 1 6 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 16 1 1 1 6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6 1 16 1 16 1 6 1 1 1 1 1 1

10 IDM NEC

No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3

03_委託テーマ発表資料（その２）（p.89-p.134).pdf

89 MEMS 2 / 5-0 0-20 90 3 Beyond-CMOS CNT CNT CNT NEC 4 NEDO (80 NEDO 2008.05 Nature Nanotechnology NEDO (8 22 CNT CNT NEDOPJ CNT NEDO M 3 5 Nature Nanotechnology 3, 289-294 (2008) 6 9 7 8 92 9 (!!! '!!!

取扱説明書 ［F-12C］

F-12C 11.7 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 a bc b c d d a 15 a b cd e a b c d e 16 17 18 de a b 19 c d 20 a b a b c a d e k l m e b c d f g h i j p q r c d e f g h i j n o s 21 k l m n o p q r s a X

Microsoft Word - 0-1_Ishiuchi.doc

第 13 章 WG11 メトロロジ ( 計測 ) 13-1 はじめに 2006 年は WG11の活動が YE(Yield Enhancement) Metrology WECC(Wafer Environmental Contamination Control) と3の分野の領域分け鮮明になってきたが リソース的制限の中で metrologyの2006 年の報告として 1ITRS2006のUpdateの説明と

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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

1 osana@eee.u-ryukyu.ac.jp : FPGA : HDL, Xilinx Vivado + Digilent Nexys4 (Artix-7 100T) LSI / PC clock accurate / Artix-7 XC7A100T Kintex-7 XC7K325T : CAD Hands-on: HDL (Verilog) CAD (Vivado HLx) : 28y4

IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm

Neutron Visual Sensing Techniques Making Good Use of Computer Science J-PARC CT CT-PET TB IEEE HDD RAID MPI MPU/CPU GPGPU GPU cm I m cm /g I I n/ cm 2 s X n/ cm s cm g/cm cm cm barn cm thn/ cm s n/ cm

<91818C6331944E90B690EA97708CF696B188F58D758DC0838A815B83742E706466>

Readout No.47_05_特別寄稿

GGuest Forum Forum 半導体製造技術の最新動向と計測制御技術特別寄稿 特別寄稿 半導体製造技術の最新動向と計測制御技術 Current Device Processes and Required Sensing & Control Technologies in Semiconductor Chip Manufacturing 榎並弘充 Hiromichi ENAMI 株式会社日立ハイテクノロジーズ

1 Q A 82% 89% 88% 82% 88% 82%

ナノ世代物理設計 WG ナノ世代テクノロジに向けた新しい タイミングコーナーの考え方 ~ 微細化における設計対策 ~ 赤嶺武一郎 ( 富士通セミコンダクター ) Fabless 時代の DFM を問う ~ 設計と製造をいかに補完し合うか ~ 黒川敦 ( 弘前大学 ) システムデザインフォーラム 20

ナノ世代物理設計 WG ナノ世代テクノロジに向けた新しい タイミングコーナーの考え方 ~ 微細化における設計対策 ~ 赤嶺武一郎 ( 富士通セミコンダクター ) Fabless 時代の DFM を問う ~ 設計と製造をいかに補完し合うか ~ 黒川敦 ( 弘前大学 ) システムデザインフォーラム 2012 NPD-WG 主査 : 山中俊輝 ( リコー ) 1 組織図 半導体技術委員会 (JEITA/

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]

半導体メモリが新応用を開拓した例 集積デバイス工学半導体メモリ 2010 年 5 月 14 日東京大学大学院工学系研究科電気系工学竹内健 E-mail : takeuchi@lsi.t.u-tokyo.ac.jp http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp p y jp アップル社の ipod nano 2005 年 9 月発売 フラッシュメモリの記憶容量によって価格の異なるラインアップ

258 5) GPS 1 GPS 6) GPS DP 7) 8) 10) GPS GPS 2 3 4 5 2. 2.1 3 1) GPS Global Positioning System

Vol. 52 No. 1 257 268 (Jan. 2011) 1 2, 1 1 measurement. In this paper, a dynamic road map making system is proposed. The proposition system uses probe-cars which has an in-vehicle camera and a GPS receiver.

東海大学紀要　情報通信学部.indd

vol.,no1,011,pp.19-5 論文 λ 0.18µ TEG *1 *1 * * The Implementation Trial and the TEG Chip Development o The Lambda Rule Scalable Cell Libraries to Rohm0.18µm Process by Takuya HIGUCHI Takuya Higuchi, *1,

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用]

ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

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