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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

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STRJ ITRS 2003 LSI 2004.3.4. MIRAI 100nmCMOS - Si SOI CMOS SOI MOSFET CMOS 100nmCMOS trade-off Sub 100 nm CMOS trade-off x j (ext. conc.) Nsub Vdd Vth design EOT S or Si Nsub EOT something S/D EOT SiGe

MOSFET HiSIM HiSIM2 1

MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

Microsoft PowerPoint Aug30-Sept１基研研究会熱場の量子論.ppt

原子核における α 粒子の Bose-Einstein 凝縮 大久保茂男 S. Ohkubo ( 高知女子大 環境理学科 ) @ 1999 クラスター模型軽い領域だけでなく重い領域 40 Ca- 44 Ti 領域での成立理論 実験 1998 PTP Supplement 132 ( 山屋尭追悼記念 ) 重い核の領域へのクラスター研究 44 Ti fp 殻領域 40 Ca α の道が切り開かれた クラスター模型の歴史と展開

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

Microsoft PowerPoint - 応物シンポジウム201003ナノワイヤ21.ppt

シリコンナノワイヤ pfet における正孔移動度 平本俊郎陳杰智, 更屋拓哉東京大学生産技術研究所 hiramoto@nano.iis.u-tokyo.ac.jp 1. ナノワイヤトランジスタの位置付け 2. ナノワイヤ FET の移動度測定 3. ナノワイヤ nfet と pfet の移動度 4. まとめ 本研究の一部は,NEDO のプロジェクト ナノエレクトロニクス半導体材利用 新構造なの電子デバイス技術開発

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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

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Drain Voltage (mv) 4 2 0-2 -4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Gate Voltage (V) Vds [V] 0.2 0.1 0.0-0.1-0.2-10 -8-6 -4-2 0 Vgs [V] 10 1000 1000 1000 1000 (LSI) Fe Catalyst Fe Catalyst Carbon nanotube 1~2 nm

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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

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() 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit (2) 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit MOS トランジスタの高周波モデル High-frequency model for MOS FET ゲート酸化膜は薄いので G-S, G-D 間に静電容量が生じる

4/15 No.

4/15 No. 1 4/15 No. 4/15 No. 3 Particle of mass m moving in a potential V(r) V(r) m i ψ t = m ψ(r,t)+v(r)ψ(r,t) ψ(r,t) = ϕ(r)e iωt ψ(r,t) Wave function steady state m ϕ(r)+v(r)ϕ(r) = εϕ(r) Eigenvalue problem

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ

7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40

02-量子力学の復習

4/17 No. 1 4/17 No. 2 4/17 No. 3 Particle of mass m moving in a potential V(r) V(r) m i ψ t = 2 2m 2 ψ(r,t)+v(r)ψ(r,t) ψ(r,t) Wave function ψ(r,t) = ϕ(r)e iωt steady state 2 2m 2 ϕ(r)+v(r)ϕ(r) = εϕ(r)

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第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

( ) ( ) 20 11 11-13 15 20 21 ( ) 114cm 100cm 85cm () () 11 18 19 19-25 26 ( 1 ) 1 2 10 ( ) () 11 16 19 21 24-13 20 3 20 ( ) ( ) 14 15 19 20 23 29 13 20 4/15 600 400 5 7 1 8 5 7 20 3 1999 1000 100 86

Molecule tomic rbital bridied tomic rbital Valence Shell Electron Pair Repulsion Rule Molecular rbital 2 1+ + 1+ 1+ 1+ 2 9+ + 9+ 9+ 9+ 2 1+ 1+ 1s 1s 2 9+ 9+ 2p 2p 9+ () 2 (2p ) 2 (2p ) 2 (2p ) 1 Energ

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High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

( ) : 1997

( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

003村江.indd

*1 Study on Room ressure Control at Cleanroom art 1 Experiments on Room ressure Fluctuation with Door Operation and Local Ventilation Operation Yukitada MURAE *1 Tamio IWAMURA *2 Hiroyuki NAGAI *3 Shigeru

Author Workshop 20111124 Henry Cavendish 1731-1810 Biot-Savart 26 (1) (2) (3) (4) (5) (6) Priority Proceeding Impact factor Full paper impact factor Peter Drucker 1890-1971 1903-1989 Title) Abstract

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated

1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)

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本熱物性学会 マイクロ ナノスケールの熱物性とシステムデザイン 第 13 回研究会キャンパス イノベーションセンター 4 階 ( 東京, 町 ) 2009 年 12 11 ( ) カーボンナノチューブ熱伝導シミュレーションの最近の進展ションの最近の進展 本貴博 東京 学 学院 学系研究科マテリアル 学専攻 半導体デバイスの微細化と発熱問題 Intel CPU Moore s Law Number of

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ

µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz

OPA134/2134/4134('98.03)

OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In

取扱説明書[d-01G]

d-01g 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 T 18 1 2 19 3 1 2 4 3 4 20 21 1 2 3 4 22 1 T 2 T 1 T 2 T 23 1 T 1 2 24 25 1 2 26 1 T 27 1 2 3 1 2 3 28 29 30 1 2 1 2 31 1 2 3 32 1 2 3 4 5 1 2 3 4 33 1

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1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes

Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

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2010 KEK (Japan) (Japan) (Japan) Cheoun, Myun -ki Soongsil (Korea) Ryu,, Chung-Yoe Soongsil (Korea) 1. S.Reddy, M.Prakash and J.M. Lattimer, P.R.D58 #013009 (1998) Magnetar : ~ 10 15 G ~ 10 17 19 G (?)

Fig, 1. Waveform of the short-circuit current peculiar to a metal. Fig. 2. Waveform of arc short-circuit current. 398 T. IEE Japan, Vol. 113-B, No. 4,

Development of a Quick-Acting Type Fuses for Protection of Low Voltage Distribution Lines Terukazu Sekiguchi, Member, Masayuki Okazaki, Member, Tsuginori Inaba, Member (CRIEPI), Naoki Ikeda, Member, Toshiyuki

MA3-1 30th Fuzzy System Symposium (Kochi, September 1-3, 2014) Analysis of Comfort Given to Human by Using Sound Generation System Based on Netowork o

Analysis of Comfort Given to Human by Using Sound Generation System Based on Netowork of Chaotic Elements 3 Yoichiro Maeda Shingo Muranaka 3 Masato Sasaki 3 Osaka Institute of Technology Falco SD Holdings

Microsoft PowerPoint - 2.1MOSFETの特性.ppt [互換モード]

2.1 MOSFET の特性 教科書 2.1 節 ~2.5 節 教科書には詳細な特性パラメータの式が示されていて複雑だが ディジタル回路設計では 本プリントの内容を理解していれば問題はない 2.1.1 PN 接合と内部電界 不純物による電気伝導の制御 (1) III IV V B C N Al Si P ドープ (Dope): 不純物を混ぜること 電子 ( 青色 ) Ga In Ge Sn As Sb

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Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

Optical Lenses CCD Camera Laser Sheet Wind Turbine with med Diffuser Pitot Tube PC Fig.1 Experimental facility. Transparent Diffuser Double Pulsed Nd:

*1 *2 *3 PIV Measurement of Field of the Wind Turbine with a med Diffuser Kazuhiko TOSHIMITSU *4, Koutarou NISHIKAWA and Yuji OHYA *4 Department of Mechanical Engineering, Matsue National Collage of Technology,

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

プラズマ核融合学会誌１１月【８１‐１１】／小特集５

Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki 311-0193, Japan 1) Kyoto University, Uji 611-0011, Japan 2) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba 305-8569, Japan 3) Central Research

宇宙環境利用蛋白質結晶生成応用利用実証プロジェクトのご案内

16 8 23 1. 14 17 ISS JEM (JAXA) 2. JAXA 14 6 1 4 1 02/02/2003 29/08/2003 29/01/2004 11/08/2004 Baikonur Kazakhstan Progress 03/05/2003 28/10/2003 29/04/2004 19/10/2004 Kazakhstan Soyuz 13 weeks 9 weeks

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MOSFET 17 1 MOSFET.1 MOS.1.1 MOS.1. MOS.1.3 MOS 4.1.4 8.1.5 9. MOSFET..1 1.. 13..3 18..4 18..5 0..6 1.3 MOSFET.3.1.3. Poon & Yau 3.3.3 LDD MOSFET 5 3.1 3.1.1 6 3.1. 6 3. p MOSFET 3..1 8 3.. 31 3..3 36

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

<4D F736F F D208F4390B38DC58F49938A8D6595A CA90858D48985F95B F8F43959C82B382EA82BD B5F2E646F6378>

,54,20102 CHARACTERISTICS OF COHERENT STRUCTURE IN COMPOUND OPEN CHANNEL FLOWS WITH DEEP FLOOD PLAIN DEPTH 1 2 3 Katsutoshi WATANABE, Yousuke TOKUMITSU, Haruka YOSHINAGA 1 745-8585 3538 2 3 733-0812 13-7-502

ナノテクノロジ

Nanotechnology 10 1 HEMT 201 2000 12 Abstract Since former President Clinton announced the National Nanotechnology Initiative, nanotechnology has become a well-known field. It has attracted much attention

MC-440 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

京都大学防災研究所年報第 60 号 A 平成 29 年 DPRI Annuals, No. 60 A, 2017 Generating Process of the 2016 Kumamoto Earthquake Yoshihisa IIO Synopsis The 2016 Kumamoto e

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(4.15a) Hurwitz (4.15a) {a j } (s ) {a j } n n Hurwitz a n 1 a n 3 a n 5 a n a n 2 a n 4 a n 1 a n 3 H = a n a n 2. (4.16)..... a Hurwitz H i H i i H

6 ( ) 218 1 28 4.2.6 4.1 u(t) w(t) K w(t) = Ku(t τ) (4.1) τ Ξ(iω) = exp[ α(ω) iβ(ω)] (4.11) (4.1) exp[ α(ω) iβ(ω)] = K exp( iωτ) (4.12) α(ω) = ln(k), β(ω) = ωτ (4.13) dϕ/dω f T 4.3 ( ) OP-amp Nyquist Hurwitz

Electron Ion Collider と ILC-N 宮地義之 山形大学

Electron Ion Collider と ILC-N 宮地義之 山形大学 ILC-N ILC-N Ee Ee == 250, 250, 500 500 GeV GeV Fixed Fixed target: target: p, p, d, d, A A 33-34 cm-2 LL ~~ 10 1033-34 cm-2 ss-1-1 s s == 22, 22, 32 32 GeV GeV

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Fig. 1 Flow diagram of experimental apparatus employed Fig. 2 Porosity change during sulfurization of reduced sample pellets Fig. 4 Simultaneous reduction-sulfurization and direct sulfurization of iron

1 1.1,,,.. (, ),..,. (Fig. 1.1). Macro theory (e.g. Continuum mechanics) Consideration under the simple concept (e.g. ionic radius, bond valence) Stru

1. 1-1. 1-. 1-3.. MD -1. -. -3. MD 1 1 1.1,,,.. (, ),..,. (Fig. 1.1). Macro theory (e.g. Continuum mechanics) Consideration under the simple concept (e.g. ionic radius, bond valence) Structural relaxation

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

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... black body radiation black body black body radiation Gustav Kirchhoff 859 895 W. Wien O.R. Lummer cavity radiation ν ν +dν f T (ν) f T (ν)dν = 8πν2 c 3 kt dν (Rayleigh Jeans) (.) f T (ν) spectral energy

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Study of the "Vortex of Naruto" through multilevel remote sensing. Abstract Hydrodynamic characteristics of the "Vortex of Naruto" were investigated based on the remotely sensed data. Small scale vortices

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

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1 45nm 2 2004 2007 2010 90* 65 45 4 10 25 * 100 10001 H16 45 2001-2003 2004-2007 65 45 MIRAI 3 Cu n+ n+ p+ p+ p n nmos pmos ITRS 2004 2007 2010 2013 2016 3.5 k 3.0 2.5 2.0 ITRS2001 ITRS2003 Low-k 1.5 1.0

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