PowerPoint プレゼンテーション
|
|
|
- きのこ やたけ
- 5 years ago
- Views:
Transcription
1 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) によるデバイス評価 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) の特徴と SPring-8 BL46XU の HAXPES 装置の紹介 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室陰地宏 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 1/32
2 HAXPES とは? HAXPES の特徴 Outline BL46XU における HAXPES 分析例 BL46XU の HAXPES 装置 SPring-8 の他の HAXPES ビームラインの中での BL46XU の HAXPES の特徴 BL46XU の概略 VG-Scienta R4000 ( 10 kev) Focus HV-CSA 300/15 ( 15 kev) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 2/32
3 HAXPES とは? HAXPES の特徴 Outline BL46XU における HAXPES 分析例 BL46XU の HAXPES 装置 SPring-8 の他の HAXPES ビームラインの中での BL46XU の HAXPES の特徴 BL46XU の概略 VG-Scienta R4000 ( 10 kev) Focus HV-CSA 300/15 ( 15 kev) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 3/32
4 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) とは? 励起光 : hν 試料 E kin = hν E B 光電子 : E kin E B : 電子の束縛エネルギー 励起光 : 従来の光電子分光 (photoemission spectroscopy: PES): 紫外光 ~ 軟 X 線 ( 数 ev~1.5 kev) 硬 X 線光電子分光 (Hard X-ray photoemission spectroscopy: HAXPES): 硬 X 線 ( 数 kev~ 十数 kev) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 4/32
5 HAXPES のメリット (1): 検出深度が深い ラボ XPS に比べて HAXPES の検出深度 ~ 数 10nm 励起 X 線のエネルギー大 光電子の運動エネルギー大 ( E k = E B hν Φ s ) 試料内における 光電子の非弾性散乱の影響小 非弾性自由行程 (IMFP) 大 Al Kα 検出深度大 ( ラボ XPS の数倍 ) ラボ XPS の検出深度 ~ 数 nm Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 5/32
![5nm] 0 5 10 15 20 5 5 10 -SX-PES -HAXPES 10 Depth [nm] 15 20 25 30 HAXPES でなければ検出できない!](/docs-images/98/137745487/images/6-3.jpg "バルクや埋もれた層 界面の分析が可能 Depth [nm] 15 20 25 30 HAXPES では表面層の寄与が低下!")
6 検出深度比較 :SX-PES vs. HAXPES SiO 2 中の Si 光電子の検出深度 -SX-PES kev 励起 (Al Kα) で Si2p を測定 (E k ~1.4 kev) -HAXPES - 8 kev 励起で Si1s を測定 (E k ~6.1 kev) d IMFP = 3.7 nm d IMFP = 12.6 nm 0 Probability of Escape Signal Component [%/0.5nm] SX-PES -HAXPES 10 Depth [nm] HAXPES でなければ検出できない! バルクや埋もれた層 界面の分析が可能 Depth [nm] HAXPES では表面層の寄与が低下! 表面酸化 汚染に鈍感なので前処理が不要 P z e z λ SX-PES -HAXPES Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 6/32
7 検出深度が深いことのメリットの例 SX-XPS 表面の SiO 2 の成分が強く観測されバルク Si の成分が埋もれてしまう 試料の前処理 (e.g. Ar スパッタエッチング ) が必要 HAXPES 表面の SiO 2 の成分はかなり小さくなり, バルクの Si の成分が主に観測 試料の前処理が不要 Y. Takata., et al., Nucl. Instr. Met. Phys. Res. A, 547, 50 (2005). Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 7/32
8 HAXPES のメリット (2): 測定可能なピークが多い ラボ XPS 1.5 kev 以下ではピークが密集 他のピークと重畳しやすい s 軌道以外はピーク分裂で解析困難 HAXPES 共存元素の内殻やオージェ, プラズモンロス等のピークの重畳を回避可能 ピーク分裂がなく解析が容易な深い 1s 準位を利用できる (Al 1s: 1.65 kev,si 1s: 1.84 kev) 光電子の束縛エネルギー (ev) Element 1s 2s 2p1/2 2p3/2 3s 3p1/2 3p3/2 3d3/2 3d5/2 1 H 14 2 He 25 3 Li 55 4 Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br ラボ XPS の Al Kα 線励起で測定可能な光電子ピーク HAXPES(8 kev) で測定可能となる 光電子ピーク Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 8/32
9 HAXPES のデメリット : ( なぜ最近まで HAXPES が実用的でなかったのか?) Excitation energy 1.04keV Excitation energy 8.05keV 励起エネルギーが増大するに従い, 光イオン化断面積が急激に減少する 21 世紀に入って, 1. 第三世代光源の挿入光源の登場で高輝度 X 線が利用可能となった 2. 高エネルギー分解能 高耐圧な電子エネルギー分析器の出現により実用的な信号強度とエネルギー分解能が得られるようになった 最近はラボの硬 X 線源の開発も進んでいる Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 9/32
10 分析例 (1): ステンレス鋼中の Cr の分析 ( ラボ XPS では不可能な深い内殻準位の測定 ) Web 公開の了解が得られなかったため, 図表を削除致しました Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 10/32
11 A fewseveral tens nm A few nm A few µm 分析例 (2): リチウムイオン電池電極の分析 ( 埋もれた層の分析 ) Electrolyte Solid electrolyte interphase (SEI) layer Electrode surface Inside of electrode 駒場ら SPring-8 重点産業利用課題成果報告書 (2010B) 66 ページ ( 課題番号 :2010B1800) Li 1.2 Ni 0.13 Co 0.13 Mn 0.54 O 2 SX-PES O1s: SEI 層の炭酸塩の成分が主 Mn 2p 3/2 : 強度が弱い 特に SEI 層が厚くなる放電時でその傾向が顕著 Intensity /a.u. recharged 4.8 V 2.0 V p r i s t i n e SX-PES (hν = 1.25 kev (MgKα)) O 1 s CO 3 2- O 2 - b u l k discharged B E / e V Intensity /a.u. M n 2 p 3 / V 2. 0 V p r i s t i n e HAXPES (hν = 8 kev) B E / e V O 1 s O 2 - b u l k M n 2 p 3 / 2 HAXPES O1s: 電極の成分が主 Mn 2p 3/2 : 充放電前と充放電後で強度がほとんど変わらない SEI 層の寄与が小さい p r i s t i n e B E / e V B E / e V Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 11/32 Intensity /a.u V Intensity /a.u V p r i s t i n e
12 分析例 (3): SiO 2 /IGZO 界面における界面準位の分析 ( バイアス印加 HAXPES) hν (7.94 kev) e - Mo(5nm) SiO 2 (10nm) IGZO*(100nm) Si-sub. Shift in Ga 2p 3/2 (ev) Bias Voltage (V) -0.5 Intensity (a.u.) Ga2p 3/2 1.5 V 1.0 V 0.5 V 0 V -0.5 V -1.0 V -1.5 V Binding Energy (ev) S. Yasuno, et al. 21st IDW proceedings, p Mo と SiO2 層下にある IGZO 中の Ga からの光電子を HAXPES で検出 ピーク位置の印加電圧依存性を解析することにより, SiO2/IGZO 界面における界面準位の状態密度の見積が可能 D V e E = F ) ε ox Energy (ev) d V de C = e ox ox i ( 2 d V dv Conduction Band Valence Band 1 1 d V x x x10 12 Interface State Density (/cm 2 ev) ox ox / dv Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 12/32
13 HAXPES とは? HAXPES の特徴. Outline BL46XU における HAXPES 分析例 BL46XU の HAXPES 装置 SPring-8 の他の HAXPES ビームラインの中での BL46XU の HAXPES の特徴 BL46XU の概略 VG-Scienta R4000 ( 10 kev) Focus HV-CSA 300/15 ( 15 kev) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 13/32
14 SPring-8 における HAXPES ビームライン 現在 10 本のビームラインで稼働中 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 14/32
15 SPring-8 における HAXPES ビームライン Beamline * Analyzer KE /kev BL09XU (Res. & Util. Div., JASRI) BL12XU (NSRRC, Taiwan) BL15XU (NIMS) BL16XU (SUNBEAM) BL19LXU, BL29XU (RIKEN) BL28XU (Kyoto Univ.) BL36XU (Univ. Electro-Commun.) BL46XU (Industrial Div., JASRI) BL47XU (Res. & Util. Div., JASRI) P R4000 Mainly for academic use Spin-resolved detector C A-1 HE 12 2-analysers for measuring pol. dep. of PE C R Wide range X-ray energy (2-10 kev) Bias applied experiments C R For industrial use (13 company) Transfer vessel R A-1 HE 12 For academic use (Not permanently installed at BL) C EW Wide angle lens (±30 ) Transfer vessel Natl. proj. for battery materials C R4000-HiPP2 10 AP-HAXPES ( 50 mbar) Natl. proj. for FC catalysts P R For Industrial use Auto-measurement system Transfer vessel Bias applied experiments HV-CSA 300/15 15 The highest KE available P R Mainly for academic use Micro-beam (1 um X 1 um) Wide-angle lens (±34 ) AP-HAXPES by sample cell 産業利用専用としては HAXPES 実験が可能な唯一の共用ビームライン ユーザーフレンドリーな測定システム 異なるタイプのアナライザーを装備する 2 つの装置を設置 (R4000 and HV-CSA). 産業利用推進室内が保有する他の測定技術とのコラボレーション *C: contract P: Public R: Riken Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 15/32
16 JASRI 産業利用推進室が運営するビームライン Beamline B/U Mono. E range techniques BL19B2 Bending Water-cooled DCM 5-72 kev Powder diffraction, GIXD, SAXS, USAXS, XRR, Imaging BL14B2 Bending Water-cooled DCM kev XAFS BL46XU Undulator LN2-cooled DCM (+ CC for HAXPES) 6-35 kev GIXD, XRR, HAXPES 様々な測定技術を一つの部門で共有 様々な手法のコンビネーションでユーザー支援が可能 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 16/32
17 BL46XU の概略 undulator e - LN2 cooled DCM DSS TC slit Si CCM Horizontal focusing mirror HUBER 8-axis diffractometer Free space HV-CSA XPS system R4000 XPS system Optics hutch 1st exp. hutch 2nd exp. hutch 第 1 ハッチ 多軸回折計 GIXD, XRR フリースペース持込機器による実験 イメージング, μ- ビーム, etc 45 Distance from the source /m FOCUS HV-CSA 300/15 Up to 15 kev 50 第 2 ハッチ 55 VG Scienta R keV Up to 10 kev Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 17/32 60
18 X 線光学系 (HAXPES 実験時 ) Rh-coated bent mirrors Horizontal focusing Higher harmonic rejection 4.5 mrad (6, 8, 10 kev) 3.15 mrad (14 kev) LN2-cooled DCM Si (111) (Si (333) for 14 kev) FE slit 0.7 X 0.7 undulator sample Pt-coated eliptical mirror Vertical focusing 6.8 mrad (not used for HV-CSA) Electron energy analyzer (VG-Scienta R4000 or Focus HV-CSA 300/15) Mar, 17, 2015 Reflection CCM 6 kev: Si (333) 8 kev: Si (444) 10 kev: Si (555) 14 kev: not used Beam Energy /ev * DCM: double crystal monochromator * CCM: channel cut monochromator BL46XU の HAXPES 実験時における X 線ビームの特性 w/o CC /ph s-1 Flux w CC /ph s-1 ΔE (FWHM) /mev Si 111 DCM + Si 333 CC Si 111 DCM + Si 444 CC Si 111 DCM + Si 555 CC Si 111 DCM + Si 777 CC Si 333 DCM Simulated by S. Goto, JASRI/SPring-8 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 18/32
19 R keV vs. HV-CSA 300/15 アナライザーのタイプ VG Scienta R kev Focus HV-CSA 300/15 半球型 (hemisperical) 円筒扇型 (cylindrical sector) e - KE 10 kev 15 kev エネルギー分解能 ~0.25 hν = 7.94 kev, E p = 200 ev, slit = curved 0.5 mm ~ 0.5 hν = 14 kev, E p = 100 ev, slit = 0.5 mm hv~ ev delta E ev Si(111)DCM +Si (444) CC Slit size: 0.5C, Ep=200 ev, RT Si(333)DCM Slit size: 0.5, Ep=100 ev, RT その他 Kinetic energy /ev GUIを備えた自動測定システム トランスファーベッセル バイアス印加試料ホルダー Kinetic energy/ev トランスファーベッセル Blanking 電極を内蔵 将来的に時分割測定が可能 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 19/32
20 HAXPES 測定システム (R4000 装置 ) トランスファーベッセル X-ray 縦集光ミラー (Pt っコート楕円鏡 ) 中和銃 試料位置でのビームサイズ 0.25 mm (hor.) X 0.02 mm 8 kev VG-Scienta R4000 電子分光器 ( 半球型 ) エントリーハッチ 試料マニピュレータ (x,y,z,θ) 10 X-ray 測定配置 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 20/32
21 VG-Scienta R keV 電子分光器の特徴 slit 0.1 ~ Typically curved 0.5 mm Pass energy: 10, 20, 50, 100, 200, 500 ev (Typically 200 ev) Magnification = 5 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 21/32
22 R4000 装置の特徴 (1): ユーザーフレンドリーな測定システム cam-1 cam-2 cam-2 (analyzer lens axis) cam-1 (45 o above x-ray axis) 試料位置調整モード 1. 試料面と TOA を指定, 大まかな位置調整 2. カメライメージを見ながら試料位置を微調整 3. 光電子強度が最大になるよう試料位置をさらに微調整 4. 試料位置を任意の名前をつけて保存. 1-4 をすべての測定試料について繰り返す 測定条件設定モード 1. 測定領域を設定し, 任意の名前をつけて保存 ( すべての測定領域について行う ) 2. 測定準に, 位置, 領域, sweep 数を設定 3. 測定する行にチェックを入れる 複数の試料位置, 測定領域についての自動測定 H. Oji et al., J. Phys. Conf. Ser. 502 (2014) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 22/32
23 R4000 装置の特徴 (2): 大気非暴露試料導入システム システム全景 試料ホルダーを試料ロッドに取り付けた様子 酸素に敏感な試料の装置への導入に使用 リチウムイオン二次電池等, 電池材料研究で必須の装備 トランスファーベッセル 試料ホルダーをトランスファーベッセルに格納した様子 陰地ら, J. Surf. Anal. 21 (2015) 121. Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 23/32
24 R4000 装置の特徴 (3): バイアス印加 HAXPES 測定用試料ホルダー バイアス印加測定用試料ホルダー デバイス動作中の電子状態の観測 MOS キャパシタ FET EL 素子 太陽電池等 測定例 Pt (10 nm) SiO 2 (7 nm) e - 合計 17 nm(pt 10 nm + SiO 2 7 nm) の被覆層下の基板 Si 由来の Si1s ピークの, バイアス電圧依存性を測定 小椋ら平成 25 年度 SPring-8 重点産業化促進課題 一般課題 ( 産業分野 ) 実施報告書 2013A1833 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 24/32
25 HAXPES 測定装置 (HV-CSA 装置 ) H. Oji et al., J. Phys. Conf. Ser. 502 (2014) 陰地ら,J. Surf. Anal. 21 (2015) mm 測定配置 非大気試料導入機構と試料バンクを整備 (2015.1) 28 mm 大型試料ホルダー Mar, 17, 2015 トランスファーベッセル SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 25/32
26 Focus HV-CSA 300/15 電子分光器の特徴 形式 : 円筒扇 (Cylindrical sector) 型 測定エネルギー範囲 :0 15 kev パスエネルギー : ev ( 通常 ev) レンズ倍率 :5 60 倍 ( 通常 5-10 倍 ) 入口スリットサイズ : ( 縦 )0.5, 1.5, 4.5 mm ( 横 )12 mm 二次元検出器 (MCP + 蛍光スクリーン + CMOS カメラ ) 外部制御可能 (TCP サーバ機能 ) Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 26/32
27 Al Kα R4000 HV-CSA 導入のメリット HV-CSA R4000 に比べて分析深さがさらに拡大 By IMFP-TPP2M S. Tanuma, C. J. Powell, D. R. Penn: Surf. Interf. Anal., 21, 165 (1993), 43, 689 (2011) Element 1s 28 Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb X-RAY DATA BOOKLET Lawrence Berkeley Laboratory, University of California 産業利用上重要な下記の内殻準位が測定可能に : 1s: Ga, Ge, As, Se 2s, 2p: W, Ir, Pt, Au, Pb Element 2s 2p1/2 2p3/2 68 Er Tm Yb Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn Fr Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 27/32
28 HVCSA のデータ (1):Au/SiO 2 /Si の HAXPES TOA および励起エネルギー依存性 Excitation energy dep. TOA dependence Hard x-ray e - θ (TOA) 3λ sinθ 入射 X 線分光結晶 :Si(111) DCM Data taken at BL33XU Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 28/32
29 HVCSA のデータ (2): Au 膜の 14 kev 励起 HAXPES スペクトル H. Oji et al., J. Phys. Conf. Ser. 502 (2014) 入射 X 線分光結晶 :Si(333) DCM フェルミ端と価電子帯の詳細な構造を観測 総合エネルギー分解能 :0.50 ev 14 kev 励起でありながら, 実用分析に十分な高エネルギー分解能を達成 同型アナライザーで測定された既報データよりも高いエネルギー分解能を達成 Rubio-Zuazo et al., Rev. Sci. Instrum., 81, (2010) SpLine of ESRF (bending magnet BM) X-ray is monochromated by Si (111) DCM Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 29/32
30 HVCSA のデータ (3): SiO 2 /Si の 14 kev 励起 HAXPES:SiO 2 膜厚依存性 120 nm もの厚みがある SiO 2 層の下の Si 基板からの信号を検出 陰地ら, J. Surf. Anal. 21 (2015) 121. Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 30/32
31 まとめ HAXPESは, 従来のPESより数倍深い分析深度を有する分析手法で, 従来困難であったバルクや埋もれた界面の電子状態を分析できる この特徴は, 電子デバイスや二次電池材料等, 産業応用研究においても有用である BL46XUは共用かつ産業利用専用としてはSPring-8で唯一の HAXPES 実験が可能なBLである R4000 装置 (< 10 kev) は,2008 年より供用されている 近年ユーザーフレンドリーな測定システムが導入され, 利便性が大幅に向上した また, 大気非暴露試料導入機構 ( トランスファーベッセル ) やバイアス印加試料ホルダーが導入され, 分析可能な試料の幅を拡大している HV-CSA 装置 (< 15 kev) は,2014 年度より供用を開始した 本装置により, R4000 装置よりさらに深い領域の電子状態を, 実用分析に十分な高エネルギー分解能で測定できる Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 31/32
32 利用研究課題募集中! 利用時期 :2015A2 期 (2015 年 6 月下旬 ~7 月 ) 産業利用ビームラインI, II, III (BL19B2, BL14B2, BL46XU) のみ募集課題種申請〆切成果公開優先利用課題 3/26 10:00 産業新分野支援課題 4/2 10:00 一般課題 ( 産業利用分野 ) 萌芽的研究支援課題 ( 産業利用分野 ) 成果専有課題 ( 一般課題 ) 成果専有時期指定課題随時測定代行 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 32/32
スライド 1
第 13 回 SPring-8 金属材料評価研究会 硬 X 線光電子分光法 (HAXPES) の特徴と SPring-8 BL46XU の HAXPES の紹介 公益財団法人高輝度光科学研究センター (JASRI) 安野聡 2018. 1. 22 1 Outline 硬 X 線光電子分光法 (HAXPES) の特徴 SPring-8 BL46XUのHAXPES 装置 応用事例の紹介 HAXPESデータベースに関する取り組み
03J_sources.key
Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1
36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic
From Evans Application Notes
3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2
2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度
RN201602_cs5_0122.indd
ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113
<4D F736F F F696E74202D208CF593648E7195AA8CF58B5A8F708D758F4B89EF E30332E30345F496B656E E B B835
HArd X-ray PhotoEmission Spectroscopy (HAXPES) 硬 X 線光電子分光の紹介と分光技術 ( 財 ) JASRI/SPring-8 利用研究促進部門池永英司 04, March. 2009,SPring-8 講習会 Introduction of PES 励起 X 線 電子分光器 光電子 試料 観測できる固体内部からの光電子は非弾性散乱を起さずに試料中を移動し
42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =
![42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =](/thumbs/73/68712188.jpg "42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =")
3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u
1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L
H1-H4
42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg
RAA-05(201604)MRA対応製品ver6
M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構
化学結合が推定できる表面分析 Ｘ線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
2_R_新技術説明会（佐々木）
% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)
SPring-8 ビームラインBL46XU における硬X 線光電子分光(HAXPES)
解説 SPring-8 ビームライン BL46XU における硬 X 線光電子分光 (HAXPES) 陰地宏, 1,2 * 崔芸涛, 1, 孫珍永, 1,2, 松本拓也, 1,2 小金澤智之, 1 1 安野聡 1 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室 679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都 1-1-1 2 スプリングエイトサービス ( 株 ), 679-5165 兵庫県たつの市新宮町光都
01-表紙.ai
B 0 5 0-5 双極子核 I=1/ 2 四極子核 I 1 e Li Be B C N F Ne Na Mg 黒字はNMR 観測不可 Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFe Co Ni Cu ZnGaGe As Se Br Kr RbSr Y Zr NbMoTc RuRhPdAgCd In Sn SbTe I Xe Cs Ba La f Ta W Res Ir Pt
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100
positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
元素分析
: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P
PowerPoint プレゼンテーション
2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,
MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)
IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A
IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2
PowerPoint プレゼンテーション
立命館 SR センター公開シンポジウム 軟 X 線分光を用いた二次電池研究の最先端 016.11.11 Li MnO 正極材料の酸素による電荷補償の 直接観察 大石昌嗣 / Masatsugu Oishi 徳島大学大学院理工学研究部機械科学系エネルギーシステム分野 1 Energy 次世代 LIB: 高電位, 高容量の理解 V (V) W (Wh/kg) Q (Ah/kg) V : 高電位での電気化学
C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B
I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld
物理化学I-第12回(13).ppt
I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)
untitled
NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10
スライド 1
Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC
hv (%) (nm) 2
HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)
スライド 1
High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various
Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証
Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ
希少金属資源 -新たな段階に入った資源問題-
H 耐用 TMR 占有増大 Li 94.5 4CL 0 Na 56 0 K 800 6CA 99 Rb 0. Cs 0.0 Fr Be.5 86US 4 Mg 5500 0.07 8CN 5 Ca 0.09 7 Sr 0.5 48ES Ba 0.5 47 Ra Sc. Y 6.7 7 (Ln) 800-97CN 6 (An) Center for Strategic Material NIMS,Japan
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
![C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni](/thumbs/89/99121913.jpg "C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni")
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
SPring8菅野印刷.PDF
20021219Spring-8 Ah/kg Ah/dm 3 Li -3.01 540 3860 2090 Na -2.71 970 1160 1140 Al -1.66 2690 2980 8100 Zn -0.76 7140 820 5800 Fe -0.44 7850 960 7500 Cd -0.40 8650 480 4100 Pb -0.13 11340 260 2900 H 2 0
[Ver. 0.2] 1 2 3 4 5 6 7 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1 1.1 1 1.2 1. (elasticity) 2. (plasticity) 3. (strength) 4. 5. (toughness) 6. 1 1.2 1. (elasticity) } 1 1.2 2. (plasticity), 1 1.2 3. (strength) a < b F
シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 B
シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 BL6N1 材料化学状態 構造分析 Ⅱ 軟 X 線 XAFS 真空紫外分光 BL7U 材料化学状態 構造分析
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
PowerPoint プレゼンテーション
2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO
23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4
23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)
2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO
1 [1]. Zn + 2 H + Zn 2+,. K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb H Cu Hg Ag Pt Au H (H + ),,. [2] ( ) ( ) CO 2, S, SO 2, NH 3 () + () () + () FeS Fe S ( ) + ( ) ( ) + ( ) 2 NH 4 Cl + Ca(OH) 2 Ca O + 2 NH 3,.,,.,,.,.
Microsoft Word - 章末問題
1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =
untitled
TOF ENMA JAEA-RMS) TOF Pre-scission JAERI-RMS (m-state 16 O + 27 Al 150MeV d TOF Nucl. Phys. A444, 349-364 (1985). l = m d Pre-scission Scission 10-19 (Post_scission) (Pre-scission) Proton_fission Alpha_fission
1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html
1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目
登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494
untitled
2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B
untitled
27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?
2 6 8 10 12 14 18 20 22 24 26 29 32 34 36 1 40 42 44 39 47 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 70 72 74 76 78 80 67 83 84 86 88 90 92 94 96 97 98 100 102 103 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130
K 吸収端 XAFS 用標準試料 Ti Ti-foil 金属箔 縦 1.3 cm 横 1.3 cm 厚さ 3 µm TiO2 anatase ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 TiO2 rutile ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 2017.
あいち SR BL5S1 硬 X 線 XAFS ビームライン Ⅰ 標準試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の標準試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga
CPT2L1Z1J154.indd
要点学習化学変化と原子分子 1 1 30 分分解, 物質のしくみ CPT2L1-Z1J1-01 要点 要点を読んで重要なポイントを確認しましょう 分解 1 分解 物質そのものが 性質が異なる別の物質に変わる変化を() といいます 1 種類の物質が2 種類以上の別の物質に分かれる化学変化をといいます 加熱により起こる分解をとくにといい 電流を流すことにより起こる分解をとくに といいます 2 炭酸水素ナトリウムを熱分解する実験
ELECTRONIC IMAGING IN ASTRONOMY Detectors and Instrumentation 5 Instrumentation and detectors
ELECTRONIC IMAGING IN ASTRONOMY Detectors and Instrumentation 5 Instrumentation and detectors 4 2017/5/10 Contents 5.4 Interferometers 5.4.1 The Fourier Transform Spectrometer (FTS) 5.4.2 The Fabry-Perot
Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]](/thumbs/94/122068205.jpg "Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]")
1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E
006 11 8 0 3 1 5 1.1..................... 5 1......................... 6 1.3.................... 6 1.4.................. 8 1.5................... 8 1.6................... 10 1.6.1......................
Microsoft PowerPoint - 基礎化学4revPart1b [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - 基礎化学4revPart1b [互換モード]](/thumbs/101/152457308.jpg "Microsoft PowerPoint - 基礎化学4revPart1b [互換モード]")
化学結合と分 の形 なぜ原 と原 はつながるのかなぜ分 はきまった形をしているのか化学結合の本質を理解しよう 分子の形と電子状態には強い相関がある! 原子 分子 基礎化学 ( 化学結合論 構造化学 量子化学 ) 電子配置分子の形強い相関関係 ( 電子状態 ) ( 立体構造 ) 分子の性質 ( 反応性 物性 ) 先端化学 ( 分子設計 機能化学 ) 機能 分子の形と電子配置の基礎的理解 基礎 ( 簡単
Microsoft PowerPoint - BL46XU_HAXPES_測定手順マニュアル_ ppt
BL46XU 硬 X 線光電子分光測定手順 担当 : 孫珍永 PHS: 3830 陰地宏 PHS: 3713 崔芸涛 PHS: 3758 1 目次 題目 page XPS 装置の構成 -----------------------3 試料 アナライザー 放射光の配置 ---------- 4 (1) 試料準備 -------------------------5 (2) 試料セット ------------------------
Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt
半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
PowerPoint プレゼンテーション
2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大
Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity
perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface
1 1 2 2 3 3 RBS 3 K-factor 3 5 8 Bragg 15 ERDA 21 ERDA 21 ERDA 21 31 31 33 RUMP 38 42 42 42 42 42 42 4 45 45 Ti 45 Ti 61 Ti 63 Ti 67 Ti 84 i Ti 86 V 90 V 99 V 101 V 105 V 114 V 116 121 Ti 121 Ti 123 V
2008/02/18 08:40-10:10, 12:50-14:20 14:30-16:00, 16:10-17:40,
008/0/18 08:40-10:10, 1:50-14:0 14:30-16:00, 16:10-17:40, 1pt A 1911 Leiden Heike Kammelingh-Onnes H.Kammelingh Onnes 1907 He 1 4. K H H c T c T H c Hg:40 mt, Pb:80 mt, Sn:30 mt 100 mt I c H c H c H
CRA3689A
AVIC-DRZ90 AVIC-DRZ80 2 3 4 5 66 7 88 9 10 10 10 11 12 13 14 15 1 1 0 OPEN ANGLE REMOTE WIDE SET UP AVIC-DRZ90 SOURCE OFF AV CONTROL MIC 2 16 17 1 2 0 0 1 AVIC-DRZ90 2 3 4 OPEN ANGLE REMOTE SOURCE OFF
4 1 Ampère 4 2 Ampere 31
4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2
W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge
![W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge](/thumbs/91/105929864.jpg "W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge")
22 2 24 W 1983 W ± Z 0 3 10 cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC 65000 18 ADC [ (µs)] = 0.0207[] 0.0151 (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ 2 2 1 20 µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (GeV) 2 G µ ( hc) 3 1 1 7 1.1.............................
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
Microsoft PowerPoint _産業利用_XAFS_V1
軟 X 線光化学ビームラインにおける 軟 X 線吸収分光測定技術の現状 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター利用研究促進部門 分光物性 II グループ 為則雄祐 2008 年 3 月 19 日 SPring-8 産業利用研究会 ( 第 23 回 ) SPring-8 における軟 X 線 & 赤外分光とその応用 1. 軟 X 線領域の吸収分光 本日の内容 軟 X 線の特徴 軟 X 線領域におけるX 線吸収分光法
Acrobat Distiller, Job 2
2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX
4_Laser.dvi
1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation
C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid
C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,
JAJP
Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12
untitled
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb
000..\..
Bull. Nagoya Univ. Museum No. 20, 79 91, 2004 Quantitative chemical analysis of rocks with X-ray fluorescence analyzer XRF-1800 NAKAZAKI Mineko TSUBOI Motohiro KANAGAWA Kazuyo KATO Takenori SUZUKI Kazuhiro
Microsoft PowerPoint - H25環境研修所(精度管理）貴田（藤森修正）
測定技術における課題 1 元素の機器分析 藤森 英治 ( 環境調査研修所 ) 1 まとめと課題 5 ろ液の保存 改正告示法では 溶出液の保存方法は規定していない 測定方法は基本的に JISK0102 工場排水試験法を引用する場合が多く 溶出液の保存についてはそれに準ずる 今回の共同分析では 溶出液の保存について指示していなかった そのため 六価クロムのブラインド標準では六価クロムが三価クロムに一部還元される現象がみられた
untitled
--- = ---- 16 Z 8 0 8 8 0 Big Bang 8 8 s-process 50 r-process 8 50 N r-process s-process Hydrogen 71% Helium 8% Others 1.9% Heay 4-4% lements(>ni p-process (γ process? r-process s-process Big Bang H,He
untitled
Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~
C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T
C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10
新規な金属抽出剤
新規な金属イオン抽出剤 (MIDA) 貴金属の簡便な回収法に利用 日本原子力研究開発機構 基礎工学研究センター 佐々木祐二 原子力機構では使用済み燃料中の有用金属の回収を目的として 様々な分離技術の開発を行っています 発電前発電後 (An, 含む ) せん断 溶解分離 U, Pu 精製 U 精製 再処理工場へ ウラン燃料 Pu 精製 核変換 高レベル廃液 燃料再処理 (PUREX) 中間貯蔵 U,
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a
![(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a](/thumbs/100/144882653.jpg "(e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a")
1 2 2.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ,µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R,µ R,τ R (2.1a) L ( ) ) * 2) W Z 1/2 ( - ) d u + e + ν e 1 1 0 0
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
<4D F736F F F696E74202D208C758CF FC E B82CC93C782DD95FB82C982C282A282C E378C8E8DC58F4994C5>
Kα Kα1 Kβ1,3 Lγ Lβ2,15 Kη Ll Ls 蛍光 X 線スペクトルの 読み方について 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻河合潤 1 2.1 スペクトル線の呼び方 K 殻から始まる. K 殻は1つの副殻 L 殻は3つの副殻 M 殻は5つの副殻,7 KやLは電子が1 個不足した状態を表す. L3=2p3/2に電子 3 個 = 2p3/2に空孔 1 個 K L M L M K 2 2p
E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II
E 7, 8, 9 E-1 A, B B A, A, A,, [Novoselov, et al., Science 306, 666, (2004)].,,,.,,,.,. (t a, t b, t c ), [PRB.74, 033413, (2006)],.,, t b /t a t c /t a 0.5., [Ni, etal., ACS, Nano2, 2301, (2008)],, [Zhou
untitled
SPring-8 RFgun JASRI/SPring-8 6..7 Contents.. 3.. 5. 6. 7. 8. . 3 cavity γ E A = er 3 πε γ vb r B = v E c r c A B A ( ) F = e E + v B A A A A B dp e( v B+ E) = = m d dt dt ( γ v) dv e ( ) dt v B E v E
Microsoft PowerPoint - S-17.ppt
In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の
SPring-8_seminar_
X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)
B
B07557 0 0 (AGN) AGN AGN X X AGN AGN Geant4 AGN X X X (AGN) AGN AGN X AGN. AGN AGN Seyfert Seyfert Seyfert AGN 94 Carl Seyfert Seyfert Seyfert z < 0. Seyfert I II I 000 km/s 00 km/s II AGN (BLR) (NLR)
2
Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................
LCR e ix LC AM m k x m x x > 0 x < 0 F x > 0 x < 0 F = k x (k > 0) k x = x(t)
338 7 7.3 LCR 2.4.3 e ix LC AM 7.3.1 7.3.1.1 m k x m x x > 0 x < 0 F x > 0 x < 0 F = k x k > 0 k 5.3.1.1 x = xt 7.3 339 m 2 x t 2 = k x 2 x t 2 = ω 2 0 x ω0 = k m ω 0 1.4.4.3 2 +α 14.9.3.1 5.3.2.1 2 x
CH 2 CH CH 2 CH CH 2 CH CH 2 CH 2 COONa CH 2 N CH 2 COONa O Co 2+ O CO CH 2 CH N 2 CH 2 CO 9 Change in Ionic Form of IDA resin with h ph CH 2 NH + COO
CH 2 CH CH 2 CH CH 2 CH CH 2 CH 2 COONa CH 2 N CH 2 COONa O Co 2+ O CO CH 2 CH N 2 CH 2 CO 9 Change in Ionic Form of IDA resin with h ph CH 2 NH + COOH COOH COOH COO - CH 2 NH + + CH 2 NH COO - COO - COO
( ) Note (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e
![( ) Note (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e](/thumbs/98/136160482.jpg "( ) Note (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e")
( ) Note 3 19 12 13 8 8.1 (e ) (µ ) (τ ) ( (ν e,e ) e- (ν µ, µ ) µ- (ν τ,τ ) τ- ) ( ) ( ) (SU(2) ) (W +,Z 0,W ) * 1) 3 * 2) [ ] [ ] [ ] ν e ν µ ν τ e µ τ, e R, µ R, τ R (1a) L ( ) ) * 3) W Z 1/2 ( - )
6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2
![6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2](/thumbs/92/109118076.jpg "6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2")
1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a
結晶粒と強度の関係
SPring-8 金属材料評価研究会 218 年 1 月 22 日 @AP 品川 転載不可 アルミニウムにおける 置換型固溶元素が引張変形中の 転位密度変化に及ぼす影響 兵庫県立大学材料 放射光工学専攻〇足立大樹 背景 放射光を用いた In-situ XRD 測定により 変形中の転位密度変化を高時間分解能で測定可能となっており 結晶粒径による転位増殖挙動の変化について明らかにしてきた * * H.
Undulator.dvi
X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B
Donald Carl J. Choi, β ( )
:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
理工学部無機化学ノート
2 周期表と元素の性質の周期性 電子配置 通常の長周期型周期表 非金属元素と金属元素 e Cs Ba f Ta W Re Os Ir Pt Au g Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Rf Db Sg Bh s Mt Ds Rg Cn Fl Lv 元素の大半は金属元素である 14 族や 15 族は 周期が下がるにつれ 性質が大幅に変化することが分かる La Ce Pr Nd Pm Sm
global global mass region (matter ) & (I) M3Y semi-microscopic int. Ref.: H. N., P. R. C68, ( 03) N. P. A722, 117c ( 03) Proc. of NENS03 (to be
Gogny hard core spin-isospin property @ RCNP (Mar. 22 24, 2004) Collaborator: M. Sato (Chiba U, ) ( ) global global mass region (matter ) & (I) M3Y semi-microscopic int. Ref.: H. N., P. R. C68, 014316