スライド 1

PowerPoint プレゼンテーション

SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) によるデバイス評価 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) の特徴と SPring-8 BL46XU の HAXPES 装置の紹介 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室陰地宏 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

X線分析の進歩36 別刷

X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group

From Evans Application Notes

3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

物理化学I-第12回(13).ppt

I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)

IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A

IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic

<4D F736F F F696E74202D208CF593648E7195AA8CF58B5A8F708D758F4B89EF E30332E30345F496B656E E B B835

HArd X-ray PhotoEmission Spectroscopy (HAXPES) 硬 X 線光電子分光の紹介と分光技術 ( 財 ) JASRI/SPring-8 利用研究促進部門池永英司 04, March. 2009,SPring-8 講習会 Introduction of PES 励起 X 線 電子分光器 光電子 試料 観測できる固体内部からの光電子は非弾性散乱を起さずに試料中を移動し

untitled

NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10

PowerPoint プレゼンテーション

2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

JAJP

Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12

01-表紙.ai

B 0 5 0-5 双極子核 I=1/ 2 四極子核 I 1 e Li Be B C N F Ne Na Mg 黒字はNMR 観測不可 Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFe Co Ni Cu ZnGaGe As Se Br Kr RbSr Y Zr NbMoTc RuRhPdAgCd In Sn SbTe I Xe Cs Ba La f Ta W Res Ir Pt

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

untitled

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B

I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld

SPring8菅野印刷.PDF

20021219Spring-8 Ah/kg Ah/dm 3 Li -3.01 540 3860 2090 Na -2.71 970 1160 1140 Al -1.66 2690 2980 8100 Zn -0.76 7140 820 5800 Fe -0.44 7850 960 7500 Cd -0.40 8650 480 4100 Pb -0.13 11340 260 2900 H 2 0

H1-H4

42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

SPring-8 ビームラインBL46XU における硬X 線光電子分光(HAXPES)

解説 SPring-8 ビームライン BL46XU における硬 X 線光電子分光 (HAXPES) 陰地宏, 1,2 * 崔芸涛, 1, 孫珍永, 1,2, 松本拓也, 1,2 小金澤智之, 1 1 安野聡 1 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室 679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都 1-1-1 2 スプリングエイトサービス ( 株 ), 679-5165 兵庫県たつの市新宮町光都

元素分析

: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P

PowerPoint プレゼンテーション

2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,

2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO

1 [1]. Zn + 2 H + Zn 2+,. K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb H Cu Hg Ag Pt Au H (H + ),,. [2] ( ) ( ) CO 2, S, SO 2, NH 3 () + () () + () FeS Fe S ( ) + ( ) ( ) + ( ) 2 NH 4 Cl + Ca(OH) 2 Ca O + 2 NH 3,.,,.,,.,.

スライド 1

High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

RN201602_cs5_0122.indd

ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構

untitled

2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite Thin Films by Dip-Coating Method and Magnetic Properties

000..\..

Bull. Nagoya Univ. Museum No. 20, 79 91, 2004 Quantitative chemical analysis of rocks with X-ray fluorescence analyzer XRF-1800 NAKAZAKI Mineko TSUBOI Motohiro KANAGAWA Kazuyo KATO Takenori SUZUKI Kazuhiro

4 1 Ampère 4 2 Ampere 31

4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2

MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)

陽電子科学 第4号 (2015) 3-8

4 (2015) 3 8 Japanese Positron Science Society Positron annihilation age momentum correlation (AMOC) measurement Abstract: Positron annihilation Age-MOmentum Correlation (AMOC) measurement is the coincidence

2008/02/18 08:40-10:10, 12:50-14:20 14:30-16:00, 16:10-17:40,

008/0/18 08:40-10:10, 1:50-14:0 14:30-16:00, 16:10-17:40, 1pt A 1911 Leiden Heike Kammelingh-Onnes H.Kammelingh Onnes 1907 He 1 4. K H H c T c T H c Hg:40 mt, Pb:80 mt, Sn:30 mt 100 mt I c H c H c H

2 6 8 10 12 14 18 20 22 24 26 29 32 34 36 1 40 42 44 39 47 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 70 72 74 76 78 80 67 83 84 86 88 90 92 94 96 97 98 100 102 103 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130

Microsoft PowerPoint _産業利用_XAFS_V1

軟 X 線光化学ビームラインにおける 軟 X 線吸収分光測定技術の現状 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター利用研究促進部門 分光物性 II グループ 為則雄祐 2008 年 3 月 19 日 SPring-8 産業利用研究会 ( 第 23 回 ) SPring-8 における軟 X 線 & 赤外分光とその応用 1. 軟 X 線領域の吸収分光 本日の内容 軟 X 線の特徴 軟 X 線領域におけるX 線吸収分光法

W 1983 W ± Z cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC ADC [ (µs)] = [] (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (Ge

22 2 24 W 1983 W ± Z 0 3 10 cm 10 cm 50 MeV TAC - ADC 65000 18 ADC [ (µs)] = 0.0207[] 0.0151 (2.08 ± 0.36) 10 6 s 3 χ 2 2 1 20 µ + µ 8 = (1.20 ± 0.1) 10 5 (GeV) 2 G µ ( hc) 3 1 1 7 1.1.............................

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

Microsoft PowerPoint - 島田美帆.ppt

コンパクト ERL におけるバンチ圧縮の可能性に関して 分子科学研究所,UVSOR 島田美帆日本原子力研究開発機構,JAEA 羽島良一 Outline Beam dynamics studies for the 5 GeV ERL 規格化エミッタンス 0.1 mm mrad を維持する周回部の設計 Towards user experiment at the compact ERL Short bunch

B

B07557 0 0 (AGN) AGN AGN X X AGN AGN Geant4 AGN X X X (AGN) AGN AGN X AGN. AGN AGN Seyfert Seyfert Seyfert AGN 94 Carl Seyfert Seyfert Seyfert z < 0. Seyfert I II I 000 km/s 00 km/s II AGN (BLR) (NLR)

X線分析の進歩38 別刷

X 35 60 kev Instrumentation for High-Resolution X-Ray Fluorescence Spectroscopy in 35-60 kev Region Kenji SAKURAI, Mari MIZUSAWA and Yasuko TERADA Copyright The Discussion Group of X-Ray Analysis, The

J. Mass Spectrom. Soc. Jpn.: 58(5), (2010)

J. Mass Spectrom. Soc. Jpn. Vol. 58, No. 5, 2010 REVIEW 9 Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) SIMS SIMS Fundamentals of Mass Spectrometry Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), Cluster SIMS, and Electrospray

スライド 1

Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>

2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

日本電子News vol.44, 2012

Microsoft Word - 章末問題

1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =

[Ver. 0.2] 1 2 3 4 5 6 7 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1 1.1 1 1.2 1. (elasticity) 2. (plasticity) 3. (strength) 4. 5. (toughness) 6. 1 1.2 1. (elasticity) } 1 1.2 2. (plasticity), 1 1.2 3. (strength) a < b F

コロイド化学と界面化学

x 25 1 kg 1 kg = 1 l mmol dm -3 ----- 1000 mg CO 2 -------------------------------------250 mg Li + --------------------------------1 mg Sr 2+ -------------------- 10

橡

CO2 Laser Treatment of Tinea Pedis Masahiro UEDA:,' Kiyotaka KITAMURA** and Yukihiro GOKOH*** Table I Specifications 1. Kind of Laser 2. Wavelength of Lasers. Power of Laser. Radiation Mode. Pulse Duration.

untitled

1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

2_R_新技術説明会（佐々木）

% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)

untitled

27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

Telescope aperture 1.5mφ Telescope length Fit within the H-IIA nose fairing Spatial resolution 0.1" in UV 0.16" in Vis/NIR (Diffraction limit of 1.5mφ

, (NAOJ) (Kyoto U.) Telescope aperture 1.5mφ Telescope length Fit within the H-IIA nose fairing Spatial resolution 0.1" in UV 0.16" in Vis/NIR (Diffraction limit of 1.5mφ at 1µm ) FOV ~200" x 200" to cover

放射線化学, 97, 29 (2014)

20 5 Absorption spectra of biomolecules over wide energy range are very important to study their radiation effects in terms of the optical approximation proposed by Platzman. Using synchrotron radiation

Undulator.dvi

X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B

untitled

1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of

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71 7 3,000 1 MeV t = 1 MeV = c 1 MeV c 200 MeV fm 1 MeV 3.0 10 8 10 15 fm/s 0.67 10 21 s (1) 1fm t = 1fm c 1fm 3.0 10 8 10 15 fm/s 0.33 10 23 s (2) 10 22 s 7.1 ( ) a + b + B(+X +...) (3) a b B( X,...)

J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay E15 dete

J-PARC E15 (TGEM-TPC) TGEM M1 ( ) J-PARC E15 TPC TGEM TGEM J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay

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Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,

15

15 1...1 1-1...1 1-1-1...1 1-1-2...3 1-1-3...4 1-1-4...5 1-2...5 1-2-1...5 1-2-2...6 1-3...6 1-3-1...6 1-3-2...7 1-3-3...8 1-3-4...8 1.4 Co-Pt...9 1.5...9 2...10 2-1...10 2-1-1...10 2-1-2...10 2-2...11

Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3

19 Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3 1 1 1.1 γ ΛN................. 1 1.2 KEK J-PARC................................ 2 1.2.1 J-PARC....................................

E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II

E 7, 8, 9 E-1 A, B B A, A, A,, [Novoselov, et al., Science 306, 666, (2004)].,,,.,,,.,. (t a, t b, t c ), [PRB.74, 033413, (2006)],.,, t b /t a t c /t a 0.5., [Ni, etal., ACS, Nano2, 2301, (2008)],, [Zhou

PowerPoint プレゼンテーション

Drain Voltage (mv) 4 2 0-2 -4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Gate Voltage (V) Vds [V] 0.2 0.1 0.0-0.1-0.2-10 -8-6 -4-2 0 Vgs [V] 10 1000 1000 1000 1000 (LSI) Fe Catalyst Fe Catalyst Carbon nanotube 1~2 nm

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--- = ---- 16 Z 8 0 8 8 0 Big Bang 8 8 s-process 50 r-process 8 50 N r-process s-process Hydrogen 71% Helium 8% Others 1.9% Heay 4-4% lements(>ni p-process (γ process? r-process s-process Big Bang H,He

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

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立命館 SR センター公開シンポジウム 軟 X 線分光を用いた二次電池研究の最先端 016.11.11 Li MnO 正極材料の酸素による電荷補償の 直接観察 大石昌嗣 / Masatsugu Oishi 徳島大学大学院理工学研究部機械科学系エネルギーシステム分野 1 Energy 次世代 LIB: 高電位, 高容量の理解 V (V) W (Wh/kg) Q (Ah/kg) V : 高電位での電気化学

Electron Ion Collider と ILC-N 宮地義之 山形大学

Electron Ion Collider と ILC-N 宮地義之 山形大学 ILC-N ILC-N Ee Ee == 250, 250, 500 500 GeV GeV Fixed Fixed target: target: p, p, d, d, A A 33-34 cm-2 LL ~~ 10 1033-34 cm-2 ss-1-1 s s == 22, 22, 32 32 GeV GeV

hv (%) (nm) 2

HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)

XFEL/SPring-8

DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),

fma20.PDF

PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC

Neutron yield M.R. Hawkesworth, Neutron Radiography: Equipment and Methods, Atomic Energy Review 15, No. 2, , n µc -1 = n/(µa s) ~10 12 n

Cross Section 7MeV Proton Linac AFRD, LBL (courtesy of Jani Reionen) LINAC SYSTEMS Applied Pulsed Power Plasma Target D+D reaction driven by LASER Neutron yield M.R. Hawkesworth, Neutron Radiography: Equipment

I N S T R U M E N T A T I O N & E L E C T R I C A L E Q U I P M E N T Pressure-resistant gasket type retreat method effective bulk compressibility Fro

Cable Gland This is the s to use for Cable Wiring in the hazardous location. It is much easier to install and maintenance and modification compared with Conduit Wiring with Sealing Fitting. The Standard

Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity

perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface

mthesis.dvi

Study of multiple electron transfer processes to Highly charged ions with microcapillary targets : 96941 2001/01/19 1 5 1.1... 5 1.2... 6 1.2.1... 6 1.2.2 Classical over barrier(cob)... 7 1.2.3... 8 1.3...

news

ETL NEWS 1999.9 ETL NEWS 1999.11 Establishment of an Evaluation Technique for Laser Pulse Timing Fluctuations Optoelectronics Division Hidemi Tsuchida e-mail:tsuchida@etl.go.jp A new technique has been

PRODUCT INFORMATION Highly Efficient FXS Carbide Ball Nose End Mills Vol. 3 PAT.P. FXS-EBT FXS-LS-EBT FXS-PC-EBT FXS-EBM

PRODUCT INFORMATION Highly Efficient FXS Carbide Ball Nose End Mills Vol. 3 PAT.P. FXS-EBT FXS-LS-EBT FXS-PC-EBT FXS-EBM 3 Flutes Series Features Thanks to 3 flutes ball nose geometry, all of that reach

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a

Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6

NMR ESR NMR 5 Fig. ph Si-O-Na H O Si- Na OH Si-O-Si OH Si-O Si-OH Si-O-Si Si-O Si-O Si-OH Si-OH Si-O-Si H O 6 Fig. (a) Na O-B -Si Na O-B Si Fig. (b) Na O-CaO-SiO Na O-CaO-B -Si. Na O-. CaO-. Si -. Al O

4_Laser.dvi

1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

PowerPoint Presentation

材料科学基礎 Ⅰ 材料科学の枠組み 元素の結晶構造 いろいろな金属間化合物, 合金の結晶 いろいろなセラミックスの結晶とイオン結晶 格子, 晶系, 点群 X 線と結晶 物質の性質と対称性 結晶の欠陥と組織 1 hcp (hexagonal close packed structure) 2 fcc (face centered cubic structure) 3 hcp の軸比 (c/a) について

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

スライド 1

第 1 回 SPring-8 カ ラス セラミックス研究会 (2010/8/27) ソーダライムガラス中の鉄イオンの 構造解析 XAFS 解析からの試み 日本板硝子株式会社技術研究所 a 兼 BP 研究開発部 b 長嶋廉仁 a, b 白木康一 a 2 目次 1. 実用ガラスにとっての鉄イオンの構造の重要性 2. ガラス中での鉄イオンの構造光吸収およびその他の方法による解析 3. XAFS 測定からの解析の試み

<4D F736F F F696E74202D208D7C CD8F6F95A882CC8D5C91A295CF89BB82CC D C835B83932E707074>

SPring-8 利用推進協議会金属材料評価研究会 ( 第 2 回 ) 2010/3/1 鋼中 Cu 析出物の構造変化の XAFS 測定 コベルコ科研 家口 Fe-Cu 状態図 固溶域が広い 急冷することで室温では過飽和に固溶することが可能 再加熱 ( 時効処理 ) で Cu が析する 時効硬化の例 Cu 1.5% pre-strain Hardness (HV) Cu 1.5% without strain

<93C18F578B4C8E965F90F596EE20918F91BC2E6D6364>

Laser Flash Exposure time 25(50)µsec Deadtime=150nsec 5µsec I0 I1 I2 I3 I4 I5 Camera (40000 or 20000 fps) Phosphorescence ɡ ɡ ɡ ɡ TSParticle Intensity Ratio [ ] 0.9 1 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 Fitted

1 1 2 2 3 3 RBS 3 K-factor 3 5 8 Bragg 15 ERDA 21 ERDA 21 ERDA 21 31 31 33 RUMP 38 42 42 42 42 42 42 4 45 45 Ti 45 Ti 61 Ti 63 Ti 67 Ti 84 i Ti 86 V 90 V 99 V 101 V 105 V 114 V 116 121 Ti 121 Ti 123 V

WATOC2005 Best Poster Diamond Certificate α -(BEDT-TTF) 2 IBr 2 H.turkmenica X H C H O Brønsted Al K Electronic structure of CeNiGe 2 x Si x studied by Ce 4d-4f resonant and angleresolved photoemission

untitled

SPring-8 RFgun JASRI/SPring-8 6..7 Contents.. 3.. 5. 6. 7. 8. . 3 cavity γ E A = er 3 πε γ vb r B = v E c r c A B A ( ) F = e E + v B A A A A B dp e( v B+ E) = = m d dt dt ( γ v) dv e ( ) dt v B E v E

The Phase Behavior of Monooleoylglycerol-Water Systems Mivoshi Oil & Fat Co.. Ltd. Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo Inst

The Phase Behavior of Monooleoylglycerol-Water Systems Mivoshi Oil & Fat Co.. Ltd. Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo Institute of Colloid and Interface Science, Science University