<4D F736F F F696E74202D208CF593648E7195AA8CF58B5A8F708D758F4B89EF E30332E30345F496B656E E B B835

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第 13 回 SPring-8 金属材料評価研究会 硬 X 線光電子分光法 (HAXPES) の特徴と SPring-8 BL46XU の HAXPES の紹介 公益財団法人高輝度光科学研究センター (JASRI) 安野聡 2018. 1. 22 1 Outline 硬 X 線光電子分光法 (HAXPES) の特徴 SPring-8 BL46XUのHAXPES 装置 応用事例の紹介 HAXPESデータベースに関する取り組み

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SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回 ) 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) によるデバイス評価 硬 X 線光電子分光 (HAXPES) の特徴と SPring-8 BL46XU の HAXPES 装置の紹介 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室陰地宏 Mar, 17, 2015 SPring-8 次世代先端デバイス研究会 ( 第 2 回

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

SPring-8ワークショップ_リガク伊藤

GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

Microsoft PowerPoint - 阪大XFELシンポジウム_Tono.ppt [互換モード]

X 線自由電子レーザーシンポジウム 10 月 19 日大阪大学レーザー研 X 線自由電子レーザーを用いた利用研究 登野健介 理研 /JASRI X 線自由電子レーザー計画合同推進本部 1 科学の基本中の基本 : 光 ( 電磁波 ) による観察 顕微鏡 望遠鏡 細胞の顕微鏡写真 赤外望遠鏡 ( すばる ) で観測した銀河 2 20 世紀の偉大な発明 : 2 種類の人工光源 レーザー LASER: Light

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

muramatsu_ver1.key

229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow

< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>

2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.

SP8WS

GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

SPring-8 ビームラインBL46XU における硬X 線光電子分光(HAXPES)

解説 SPring-8 ビームライン BL46XU における硬 X 線光電子分光 (HAXPES) 陰地宏, 1,2 * 崔芸涛, 1, 孫珍永, 1,2, 松本拓也, 1,2 小金澤智之, 1 1 安野聡 1 ( 公財 ) 高輝度光科学研究センター (JASRI) 産業利用推進室 679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都 1-1-1 2 スプリングエイトサービス ( 株 ), 679-5165 兵庫県たつの市新宮町光都

シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 B

シンクロトロン光スペクトル 偏向電磁石による光の強度 およびアンジュレータ (APPLE-II 型,300 ma) 光の輝度 整備ビームライン仕様概要 1. 当初整備ビームライン一覧 ( 計算値 ) ビームライン名 測定手法 BL5S1 材料化学状態 構造分析 Ⅰ 硬 X 線 XAFS 蛍光分析 BL6N1 材料化学状態 構造分析 Ⅱ 軟 X 線 XAFS 真空紫外分光 BL7U 材料化学状態 構造分析

From Evans Application Notes

3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2

Microsoft PowerPoint - BL46XU_HAXPES_測定手順マニュアル_ ppt

BL46XU 硬 X 線光電子分光測定手順 担当 : 孫珍永 PHS: 3830 陰地宏 PHS: 3713 崔芸涛 PHS: 3758 1 目次 題目 page XPS 装置の構成 -----------------------3 試料 アナライザー 放射光の配置 ---------- 4 (1) 試料準備 -------------------------5 (2) 試料セット ------------------------

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2004 SPring-8 2004/6/21 CMOS 2004 2007 2010 2013 nm 90 65 45 32 (nm) 1.2 0.9 0.7 0.6 High-performance Logic Technology Requirements (ITRS 2003) 10 Photoelectron Intensity (arb.units) CTR a-sio2 0.1 HfO

Microsoft PowerPoint - EUPS.ppt [互換モード]

最表面原子の電子状態を捉える EUPS 独立行政法人産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門 富江敏尚 EUPS 分析の特長 1. 最表面原子が見える ( 界面も見える : 深さ分解能.5nm) 2. バンド曲がりが評価できる 3. 絶縁薄膜が帯電しない 4.( 絶縁物も ) 仕事関数が評価できる 5.( ナノ粒子も ) 最表面の金属性が評価できる 6. ( ナノ粒子も ) 最表面原子の電子雲の角度分布が評価できる

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文部科学省 量子ビーム基盤技術開発プログラム シンポジウム 2012 年 12 月 3 日東京秋葉原 UDX ギャラリー NEXT 軟 X 線の高速偏光制御による機能性材料の探究と創製 高エネルギー加速器研究機構雨宮健太 1. プロジェクトの概要 2. これまでの成果 (1) 高速偏光スイッチングの開発 (2) スピントロニクス材料の解析と探索 (3) 表面化学反応のリアルタイム追跡 3. まとめと今後の展開

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グラフェンデバイスの電子状態のナノ分析 吹留博一 1) 永村直佳 ), 3) 篠原稔宏 ) 井出隆之 1) 黒角翔大 ) 豊田智史 ),3) 堀場弘司 ),3) 長汐晃輔 ) 末光真希 1) 鳥海明 ) 尾嶋正治 ),3) 1) 東北大学電気通信研究所 ) 東京大学大学院工学研究科, 3) 東京大学放射光連携機構 ( 今回の発表内容は 011A/B 期 S 課題 ( 堀場 ) の一部 011B 期

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

Microsoft PowerPoint - S-17.ppt

In situ XRD および XAFS を用いた燃料電池アノード触媒電極の劣化解析 日本電気 ( 株 ) 松本匡史 m-matsumoto@jv.jp.nec.com 直接型メタノール燃料電池の PtRu アノードにおいて Ru は触媒被毒の原因である CO の酸化を促進する役割を持ち 電池出力の向上に不可欠な要素である しかし 長時間運転時には Ru が溶出し 性能が劣化する Ru 溶出は 運転時の

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc

natMg+86Krの反応による生成核からのβ線の測定とGEANTによるシミュレーションとの比較

nat Mg+ 86 Kr の反応による生成核からの β 線の測定と GEANT によるシミュレーションとの比較 田尻邦彦倉健一朗 下田研究室 目次 実験の目的 nat Mg+ 86 Kr 生成核からの β 線の測定 @RCNP 実験方法 実験結果 GEANT によるシミュレーション 解析 結果 まとめ 今後の課題 実験の目的 偏極した中性子過剰 Na アイソトープの β-γ-γ 同時測定実験を TRIUMF

JPS2012spring

BelleII 実験用 TOP カウンターの性能評価 2012.7.7( 土 ) 名古屋大学高エネルギー物理学研究室 (N 研究室 ) 有田義宣 BelleII に搭載する粒子識別装置 TOP カウンター 2 BelleII 実験 もっとも識別の難しい π/k 識別 BelleⅡ 実験は Belle 実験をさらに高輝度化 (40 倍 ) し 大量の B 中間子からの稀崩壊現象を探る電子陽電子コライダー

NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter L

19 P6 γ 2 3 27 NaI(Tl) CsI(Tl) GSO(Ce) LaBr 3 (Ce) γ Photo Multiplier Tube PMT PIN PIN Photo Diode PIN PD Avalanche Photo Diode APD MPPC Multi-Pixel Photon Counter LaBr 3 (Ce) PMT 662keV 2.9% CsI(Tl) 7.1%

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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................

<4D F736F F F696E74202D208C758CF FC E B82CC93C782DD95FB82C982C282A282C E378C8E8DC58F4994C5>

Kα Kα1 Kβ1,3 Lγ Lβ2,15 Kη Ll Ls 蛍光 X 線スペクトルの 読み方について 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻河合潤 1 2.1 スペクトル線の呼び方 K 殻から始まる. K 殻は1つの副殻 L 殻は3つの副殻 M 殻は5つの副殻,7 KやLは電子が1 個不足した状態を表す. L3=2p3/2に電子 3 個 = 2p3/2に空孔 1 個 K L M L M K 2 2p

untitled

27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3

19 Λ (Λ ) Λ (Ge) Hyperball γ ΛN J-PARC Λ dead time J-PARC flash ADC 1 dead time ( ) 1 µsec 3 1 1 1.1 γ ΛN................. 1 1.2 KEK J-PARC................................ 2 1.2.1 J-PARC....................................

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果

トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved

（様式2）

( 様式 2) 議事録番号 提出 2018 年 1 月 5 日 会合議事録 研究会名 : 軟 X 線スピン分解 ARPES 検討会主催 : 固体分光研究会共催 : 顕微ナノ材料科学研究会, 機能磁性材料分光研究会, 原子分解能ホログラフィー研究会, 光 磁性新素材産学連携研究会日時 :2017 年 9 月 3 日 ( 日 )13:30~18:00 場所 : 広島大学東千田キャンパス東千田未来創生センター

τ－→K－π－π＋ν τ崩壊における CP対称性の破れの探索

τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れの探索 奈良女子大学大学院人間文化研究科 物理科学専攻高エネルギー物理学研究室 近藤麻由 1 目次 はじめに - τ 粒子の概要 - τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れ 実験装置 事象選別 τ - K - π - π + ν τ 崩壊の不変質量分布 CP 非対称度の解析 - モンテカルロシミュレーションによるテスト

Ł\”ƒ-2005

第90回日本感染症学会学術講演会抄録（I）

Microsoft PowerPoint _産業利用_XAFS_V1

軟 X 線光化学ビームラインにおける 軟 X 線吸収分光測定技術の現状 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター利用研究促進部門 分光物性 II グループ 為則雄祐 2008 年 3 月 19 日 SPring-8 産業利用研究会 ( 第 23 回 ) SPring-8 における軟 X 線 & 赤外分光とその応用 1. 軟 X 線領域の吸収分光 本日の内容 軟 X 線の特徴 軟 X 線領域におけるX 線吸収分光法

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

B

B07557 0 0 (AGN) AGN AGN X X AGN AGN Geant4 AGN X X X (AGN) AGN AGN X AGN. AGN AGN Seyfert Seyfert Seyfert AGN 94 Carl Seyfert Seyfert Seyfert z < 0. Seyfert I II I 000 km/s 00 km/s II AGN (BLR) (NLR)

1 1 2 2 3 3 RBS 3 K-factor 3 5 8 Bragg 15 ERDA 21 ERDA 21 ERDA 21 31 31 33 RUMP 38 42 42 42 42 42 42 4 45 45 Ti 45 Ti 61 Ti 63 Ti 67 Ti 84 i Ti 86 V 90 V 99 V 101 V 105 V 114 V 116 121 Ti 121 Ti 123 V

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン

表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える

SPring-8_seminar_

X 21 SPring-8 XAFS 2016 (= ) X PC cluster Synchrotron TEM-EELS XAFS / EELS HΨ k = E k Ψ k XANES/ELNES DFT ( + ) () WIEN2k, Elk, OLCAO () CASTEP, QUANTUM ESPRESSO FEFF, GNXAS, etc. Bethe-Salpeter (BSE)

untitled

1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of

X (SPring-8 / RIKEN) RCNP ' ' Jan , 2006 Yoshinori Nishino

X (SPring-8 / RIKEN) RCNP ' ' Jan. 26-27, 2006 Yoshinori Nishino W.C. Röntgen, S.W. Wilkins et al., W. Chao et al., Nature 435, 1210 (2005) Nature 53, 274-277 (1896) Nature 384, 335 (1996) S. Eisebitt

Microsoft Word - IPhO2007実験問題Green問題.doc

実験問題 半導体薄膜のエネルギーバンドギャップの決定 I. はじめに半導体は導体と絶縁体の中間の電気的性質をもつものとして特徴づけられる 半導体の電気的性質を理解するために, よく知られている 光電効果 から始めよう 光電効果は量子的電子現象である 光電子 ( 光を吸収して飛び出した電子 ) は照射光 ( 光子 ) から十分なエネルギーを吸収することにより, 物質から放出される 金属から光照射によって電子

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

Undulator.dvi

X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B

STRUCTUAL ANALYSIS OF DAMAGED HAIR UNDER STRETCHING　CONDITION BY　MICROBEAM X-RAY DIFFRACTION

マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 ( 株 ) 資生堂 新成長領域研究開発センター 柿澤みのり マイクロビーム X 線を用いた 毛髪微細構造の研究 利用ビームライン BL40XU: 高フラックスビームラインビーム径が小さく ( 約 5μm) 強度の高い X 線が得られる 毛髪の構造 キューティクル コルテックス メデュラ 80-120μm 毛髪の部位ごとの構造が測定可能 今回の発表内容

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

<4D F736F F F696E74202D208D7C CD8F6F95A882CC8D5C91A295CF89BB82CC D C835B83932E707074>

SPring-8 利用推進協議会金属材料評価研究会 ( 第 2 回 ) 2010/3/1 鋼中 Cu 析出物の構造変化の XAFS 測定 コベルコ科研 家口 Fe-Cu 状態図 固溶域が広い 急冷することで室温では過飽和に固溶することが可能 再加熱 ( 時効処理 ) で Cu が析する 時効硬化の例 Cu 1.5% pre-strain Hardness (HV) Cu 1.5% without strain

Thick-GEM 06S2026A 22 3

Thick-GEM 06S2026A 22 3 (MWPC-Multi Wire Proportional Chamber) MPGD(Micro Pattern Gas Detector) MPGD MPGD MPGD MPGD GEM(Gas Electron Multiplier) GEM GEM GEM Thick-GEM GEM Thick-GEM 10 4 Thick-GEM 1 Introduction

untitled

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

X 線 CT による竹組織の観察 R060508Tani.pdf 1. 実験の目的と装置 竹組織は, 種々のサイズの組織が分布しており, 配向もあるので, 高分解能 CT の研究には好都合 な試料である. 種々のサイズの組織の分布があることは,X 線小角散乱の実験からも示唆されてい る. 竹の主たる

X 線 CT による竹組織の観察 R060508Tani.pdf 1. 実験の目的と装置 竹組織は, 種々のサイズの組織が分布しており, 配向もあるので, 高分解能 CT の研究には好都合 な試料である. 種々のサイズの組織の分布があることは,X 線小角散乱の実験からも示唆されてい る. 竹の主たる構成元素は C( 特に竹炭は C のみ ) で, 生体観察のファントムにもなる. 竹を構成する C に対する吸収コントラストを得るには,

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

CsI(Tl) 2005/03/

CsI(Tl) 2005/03/30 1 2 2 2 3 3 3.1............................................ 3 3.2................................... 4 3.3............................................ 5 4 6 4.1..............................................

= hυ = h c λ υ λ (ev) = 1240 λ W=NE = Nhc λ W= N 2 10-16 λ / / Φe = dqe dt J/s Φ = km Φe(λ)v(λ)dλ THBV3_0101JA Qe = Φedt (W s) Q = Φdt lm s Ee = dφe ds E = dφ ds Φ Φ THBV3_0102JA Me = dφe ds M = dφ ds

XPS分析のための簡易マニュアル

XPS 200.. XPS XPS XPS XPS 1. N2 0.4MPa 2. ON PUMP 3. POWER SUPPLY CONTROL UNIT SPEC ON 4. POWER SUPPLY CONTROL UNIT X-R ON 0.4MPa RESET 5. X-RAY POWER UNIT (a) AUTO/MANUMANU (b) Al/MgMg (c) FILAMENT ON/OFFOFF

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

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Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】

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空気の屈折率変調を光学的に検出する超指向性マイクロホン

23 2 1M36268 2 2 4 5 6 7 8 13 15 2 21 2 23 2 2 3 32 34 38 38 54 57 62 63 1-1 ( 1) ( 2) 1-1 a ( sinθ ) 2J D ( θ ) = 1 (1-1) kaka sinθ ( 3) 1-2 1 Back face hole Amplifier Diaphragm Equiphase wave surface

2009 年 11 月 16 日版 ( 久家 ) 遠地 P 波の変位波形の作成 遠地 P 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに P U () t = S()* t E()* t P() t で近似的に計算できる * は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録

遠地 波の変位波形の作成 遠地 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに U () t S() t E() t () t で近似的に計算できる は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録 参照 ) ここで St () は地震の断層運動によって決まる時間関数 1 E() t は地下構造によって生じる種々の波の到着を与える時間関数 ( ここでは 直達 波とともに 震源そばの地表での反射波や変換波を与える時間関数

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/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

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D nucleation 3 3D nucleation Glucose isomerase 10 V / nm s -1 5 0 0 5 10 C - C e / mg ml -1 kinetics µ R K kt kinetics kinetics kinetics r β π µ π r a r s + a s : β: µ πβ µ β s c s c a a r, & exp exp

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2011 02/25 Principle Application JST-CREST (Kotsugi Masato) MRAM High-k ReRAM MRAM CNT ReRAM Li-ion PEEM nm // Rapid increase of areal density in electro-devices Scanning electron microscope Spatial information

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, vol.43, no.2, pp.71 77, 2007. 1 Simultaneous Measurement of Film Thickness and Surface Profile of Film-Covered Objects by Using White-Light Interferometry 1 2 3 1 3 1 ( ) 1-1-45 2 ( ) 1 3 2-12-1 sugi@cs.titech.ac.jp

厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版

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23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

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02.参考資料標準試料データ

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抄録／抄録１　　　　（１）Ｖ

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