窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究

Size: px

Start display at page:

Download "窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究"

しおりさわなか
5 years ago
Views:

1 窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究徳島大学大学院工学研究科物質材料工学専攻岡田政也 2008/2/4 博士論文公聴会

2 第一章序論論文の構成と発表内容研究背景目的第二章深い準位による I-V 特性の過渡応答のシミュレーション発表では省略第三章 AlGaN/GaN HFET 用エピタキシャル基板 2DEG シート抵抗の光応答第四章深い準位によるしきい値電圧の光照射および温度依存性第五章 GaN を用いた紫外線フォトトランジスタ第六章結論研究のまとめ今後の課題 2008/2/4 博士論文公聴会 2

3 電子デバイスの現状半導体材料の主役シリコン (Si) マクロプロセッサメモリの飛躍的な進歩パソコンの普及高度情報処理技術が確立電源電圧課題信号処理速度の限界 MOSFET の遮断周波数ゲート長に反比例破壊耐圧限界からくる電源電圧の制限 ( 微細加工技術の限界ではない ) パワーエレクトロニクス分野 ( サイリスタ IGBT) 省エネルギー高効率チャネル長 Si の理論限界 Si VLSI の将来予測 2001 ITRS(International Technology Road Map) by SIA (Semiconductor Industry Association) 2008/2/4 博士論文公聴会 3

4 窒化ガリウム (GaN) 単位 Si GaAs SiC GaN バンドギャップエネルギー ev 電子移動度 cm 2 /Vs 400 (MOS) 8500 (HFET) (HFET) 破壊電界 V/cm ワイドバンドギャップ高電子移動度高破壊電界高周波高出力パワーエレクトロニクス電気自動車電力変換素子高周波応用マイクロ波通信電力伝送 2008/2/4 博士論文公聴会 4

5 AlGaN/GaN HFET AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor ヘテロエピタキシャル成長自発分極ピエゾ電荷 - 2DEG(Two Dimensional Electron Gas) + source gate drain u-al x Ga 1-x N x=0.25 t=25nm u-gan 3µm Buffer layer c-plane Sapphire Gate u-algan u-gan x x 2008/2/4 博士論文公聴会 5

6 AlGaN/GaN HFET の問題点深い準位の応答による不安定現象ヒステリシス電流コラプス AlGaN 表面の界面準位デバイス構造の改善 SiN パッシベーションやリセスゲート構造結晶中の欠陥不純物結晶性の改善 MOCVD 法による成長残留ドナーにより n 型深いアクセプタによる補償を行い高耐圧化不安定現象の要因界面準位 SiN AlGaN 深い準位 SiN GaN バッファ層 2008/2/4 博士論文公聴会 6

7 本研究の目的 GaN 系電子デバイス開発への貢献光照射による基板中の深い準位の応答がデバイス特性に及ぼす影響の解析 AlGaN/GaN HFET 用エピタキシャル基板の光応答しきい値電圧の光応答と温度依存性基板特性との因果関係を解明光応答を利用した新しい GaN デバイスの提案高効率 UV フォトトランジスタ 2008/2/4 博士論文公聴会 7

8 AlGaN/GaN HFET 用エピタキシャル基板 2DEG シート抵抗の光応答 2008/2/4 博士論文公聴会 8

9 エピ基板評価の問題点 AlGaN/GaN HFET 用エピタキシャル基板 2DEG 層電気抵抗の評価サファイア基板上に MOCVD 法により作製結晶欠陥深い準位による補償深い準位の応答により安定的な特性評価が困難目的非接触プロセスレスでの評価渦電流シート抵抗測定光照射後に暗状態で測定 2DEG シート抵抗の光応答安定的な評価法の提案 2008/2/4 博士論文公聴会 9

10 サンプル構造製造元の異なる2つの基板 c 面サファイア基板上にMOCVD 法にて成長 AlGaN/GaN HFET 用の標準的なエピ基板 u-al x Ga 1-x N 12nm x=0.24 u-al x Ga 1-x N 24nm x=0.24 GaN 2µm Mg high doping u-gan 3µm Sapphire Sapphire サンプル 1 サンプル /2/4 博士論文公聴会 10

11 暗状態でのシート抵抗の変動 Ω after160h 1050 Sheet Resistance (Ω) Sample1 Rs[Ω] 1400 sample Ω after200h 1000 暗状態で保管 sample Ω 782Ω 600 蛍光灯照射 Time[day] Sheet Resistance (Ω) Sample2 Rs[Ω] 2008/2/4 博士論文公聴会 11

12 光照射による変動のメカニズム AlGaN GaN AlGaN 層および GaN 層のポテンシャルが正に変動 2DEG の増加 2008/2/4 博士論文公聴会 12

13 光照射後の暗状態での変動深い準位の帯電量が熱平衡状態電子の捕獲 or ホールを励起深い準位からのホール放出時定数が長い 2008/2/4 博士論文公聴会 13

14 2008/2/4 博士論文公聴会 14 深い準位からのホール放出時定数 ( ) ( ) T p T p T n T n T f e f pc f e f nc dt df + = 1 1 ( ) = = = = = kt E E KT p C e t e A f f e dt df V F p p p T T p T exp exp τ τ Shockley Read Hall 統計の速度反応式深い準位のホール捕獲断面積プランク定数ボルツマン定数ホール質量トラップ準位有効状態密度 : : : : : E : exp p p T V p p p V T V h k m N m k h k m K kt E E N p σ σ π = = ホール放出時定数電子捕獲電子放出ホール捕獲ホール放出 f T : 深い準位の電子占有率

15 ホール放出時定数の温度依存性 τ (s) ev from V.B. 1.5 ev 1 ev year month day hour ev Temperature (K) 2008/2/4 博士論文公聴会 15

16 暗状態熱処理暗状態熱処理定温乾燥機光遮断後に窒素雰囲気中にて 300ºC 暗状態で一ヶ月保管後と比較 Sheet Resistance[ Ω] 熱処理直後暗状態 1ヶ月保管 sample Sheet Resistance[Ω] 熱処理直後暗状態 1ヶ月保管 sample Time[min] Time[min] 暗状態で温度を上昇することで短時間で熱平衡状態に達する 2008/2/4 博士論文公聴会 16

17 まとめ AlGaN/GaN HFET は深い準位の応答によって光を照射すると 2DEG シート抵抗が減少する暗状態での変化は深い準位からのホール放出時定数により決まるため非常に長い暗状態熱処理により時定数を短縮できるミッドギャップ (1.7eV) の深い準位が存在しても 400ºC の暗状態熱処理により熱平衡状態での評価が可能 2008/2/4 博士論文公聴会 17

18 AlGaN/GaN HFET しきい値電圧の光照射および温度依存性 2008/2/4 博士論文公聴会 18

19 深い準位の応答による HFET の不安定現象 AlGaN/GaN HFET 半絶縁性 GaNバッファ層上に作製 MOCVD 法により成長残留ドナーによりn 型深い準位による補償を行い半絶縁化高耐圧高周波特性の向上深い準位の応答による不安定現象ヒステリシス電流コラプス基板中の深い準位の解析が HFET の特性向上に重要 2008/2/4 博士論文公聴会 19

20 深い準位の光応答の解析 HFET 特性に及ぼす光の影響サンプルセット後に暗状態にして測定直接的な影響はない深い準位の応答は非常に長い時定数暗状態直後は熱平衡状態ではないしきい値電圧の変動 GaN バッファ層のポテンシャル変動 SiMOSFET のバックゲート効果しきい値電圧の光照射依存性温度特性の解析半絶縁性 GaN バッファ層の評価 2008/2/4 博士論文公聴会 20

21 測定サンプル製造元の異なる2つの基板 c 面サファイア基板上にMOCVD 法にて成長 GaNバッファ層の成長条件特性が異なる AlGaN/GaN HFET 用の標準的なエピ基板 u-al x Ga 1-x N x=0.25 t=10 nm Si-Doped(n= cm -3 ) Al x Ga 1-x N x=0.25 t=15 nm u-al x Ga 1-x N x=0.25 t=3 nm u-al x Ga 1-x N x=0.25 t=6 nm Si-Doped(n= cm -3 ) Al x Ga 1-x N x=0.25 t=12 nm u-al x Ga 1-x N x=0.25 t=6 nm u-gan 2 µm u-gan c-sapphire c-sapphire ウエハ 1 ウエハ /2/4 博士論文公聴会 21

GaN バッファ層抵抗の測定パターン白熱電球 5 µm 100 µm オーミック電極オーミック電極 60 nm GaNバッファ層白熱電球のスペクトル Intensity[a.u.] 1.0 0.

22 GaN バッファ層抵抗の測定パターン白熱電球 5 µm 100 µm オーミック電極オーミック電極 60 nm GaNバッファ層白熱電球のスペクトル Intensity[a.u.] GaN 3.4eV Energy[eV] バンドギャップエネルギー以上のスペクトルは含まれていない深い準位からの励起 2008/2/4 博士論文公聴会 22

23 GaN バッファ層抵抗の光依存性 Current (A) ウエハ Sample 22 Light Dark Sample ウエハ1 Light Dark Voltage (V) ウエハ 2 光依存性なし 20kΩ 低抵抗ウエハ 1 光依存性あり光照射時 200MΩ 暗状態 500MΩ 高抵抗 2008/2/4 博士論文公聴会 23

24 HFET の作製サンプルクリーニングオーミック電極堆積 Ti/Al/Ti/Au=50/200/40/35nm 熱処理 N 2 850ºC 3min 素子間分離 RIE 60nm ゲート電極堆積 Ni/Au=70/30nm Gate Source 50µm Drain 3µm 2µm 3µm HFETパターンプロセスフロー 2008/2/4 博士論文公聴会 24

25 照射光スペクトル Incandescent lamp Blue LED Red LED 465nm (2.67eV) 659nm (1.88eV) Intensity GaN E G =3.39eV Wavelength (nm) 2008/2/4 博士論文公聴会 25

26 I D -V G 特性の光依存性 Drain Current (A) V D =0.1V L G =2µm W G =50µm Sample ウエハ 2 2 (Low resistivity) Incandescent lamp Dark ウエハ 1 Sample 1 (High resitivity) Incandescent lamp Red LED Blue LED Dark Gate Voltage (V) しきい値電圧の光依存性ウエハ 2 の HFET 光依存性なしウエハ 1 の HFET 暗状態赤色 LED 変動なし白熱電球青色 LED -1V の変動 2008/2/4 博士論文公聴会 26

27 ドレイン電流の照射光波長依存性 Drain Current (A) GaN E G =3.39eV ウエハ 1 ウエハ 2 425nm=2.92eV キセノンランプスペクトル Wavelength (nm) Intensity (arb. unit) 2008/2/4 博士論文公聴会 27

28 光照射によるしきい値電圧変動のメカニズムバックゲート効果 V TH ε = ε GaN AlGaN t AlGaN x I V SUB V TH チャネル部ポテンシャル E C 光照射 GaNバッファ層中の深い準位から電子が励起基板ポテンシャルが変動 V TH V SUB Ψ FE E T E V チャネル部ポテンシャルを一定に保つためにしきい値電圧が変動 t AlGaN x I 2008/2/4 博士論文公聴会 28

29 光照射による GaN バッファ層キャリア濃度の変化電荷中性 ( N N f + p ) = 0 Q = q n D T T キャリア濃度と深い準位の電子占有率の変化 n = n0 + n, p = p0 + p, ft = ft 0 深い準位の応答によるキャリア濃度の時間変化 dn t o = ncnnt ( 1 ft ) + ( en + en ) NT ft dt dp t o = pc pnt ft + ( ep + ep ) NT ( 1 ft ) dt + f T 電子濃度の変化量 n = C n f T 0 ( ) o n 1 f T 0 e 暗状態での電子濃度には依存しない 2008/2/4 博士論文公聴会 29

30 GaN バッファ層中では基板ポテンシャルの変動電子のフェルミ準位はソース電極により固定基板ポテンシャルは平坦電子濃度はボルツマン分布に従う光照射により電子濃度が変化 E n = NC exp n = n n 電子のフェルミ準位を基準とした伝導帯エネルギーの変動量 = 基板ポテンシャルの変動量 0 C qψ kt FE V = SUB = E C0 kt ln 1+ E n n0 C 暗状態での電子濃度に反比例高抵抗な基板は光応答が顕著 ΔV SUB E C ψ FE E V 2008/2/4 博士論文公聴会 30

31 I D -V G 特性の温度依存性と光照射の影響ウエハ 1( 高抵抗 GaN バッファ層 = 光応答が顕著 ) 上の HFET 10-3 V D =0.1V 10-3 V D =0.1V Drain Current(A) L G =2µm W G =50µm +0.28meV Gate Voltage(V) Temperature 25 to 200 at 25 step Drain Current(A) /2/4 博士論文公聴会 L G =2µm W G =50µm Temperature 25 to 200 at 25 step In the Dark at meV Gate Voltage(V) 暗状態光照射時 ( 白熱電球 )

32 温度上昇によるしきい値電圧変動のメカニズム ΔV TH V TH ΔΨ S E C Ψ F 基板ポテンシャルの変動 Si nmosfet 浅いアクセプタ濃度により決まるため必ず下向きしきい値電圧は負方向半絶縁性 GaN 基板上 HFET 深い準位の電子占有率により向きと大きさが決まるしきい値電圧は正方向にも負方向にもなり得る t AlGaN x I E V チャネル部ポテンシャルの変動しきい値電圧時のチャネル濃度を一定に保つように変動ポテンシャルは常に上昇しきい値電圧変動は負方向光の有無に関係しない 2008/2/4 博士論文公聴会 32

33 暗状態での基板ポテンシャルの変動電荷中性により深い準位の電子占有率は一定 ( N N f + p n) Q = q = 0 f = f T D T フェルミ - ディラック分布 1 = E 1+ exp T 深い準位の電子占有率により基板ポテンシャルの変動量向きが決まる f T <0.5 ΔV SUB = 上向き f T >0.5 ΔV SUB = 下向きしきい値電圧の温度依存性が正方向深い準位の電子占有率が非常に小さいイオン化層幅が薄い = 深いアクセプタがチャネル近傍まで存在 T qψ kt F dv dt SUB T 2008/2/4 博士論文公聴会 33 N N 1 f = k ln ft D T T V SUB / T (mv/deg.) f T

34 光照射時の基板ポテンシャルの変動温度上昇により熱平衡状態での電子濃度が増加 E n0 = NC exp C0 qψ kt FE 光照射による基板ポテンシャルの変動量が減少 n V SUB = kt ln 1+ 0 n0 光照射によりしきい値電圧は負方向にシフト温度上昇によりその変動量が減少しきい値電圧の温度依存性は正方向 2008/2/4 博士論文公聴会 34

35 まとめ光照射や温度変化による AlGaN/GaN HFET しきい値電圧の変動は基板ポテンシャルの変動により起きる深い準位による補償を行った高抵抗 GaN バッファ層上の AlGaN/GaN HFET はしきい値電圧の光応答が顕著となるしきい値電圧の温度依存性は深い準位の電子占有率により向きおよび大きさが決まる高耐圧化のためには GaN バッファ層を半絶縁性にする必要があるがチャネル近傍まで深い準位が存在すると不安定現象の要因となる 2008/2/4 博士論文公聴会 35

36 GaN/AlGaN/GaN ゲート構造紫外線フォトトランジスタ 2008/2/4 博士論文公聴会 36

37 AlGaN/GaN HFET の受光デバイスへの応用紫外線照射により電子正孔対が生成ワイドバンドギャップ GaN=3.39eV 365nm 以下の紫外線に感度を有するキャリアの寿命が長いチャネル近傍でのホールの蓄積ドレイン電流が増加紫外線の検出意図的にホールを蓄積する領域を形成 UV フォトトランジスタ 2008/2/4 博士論文公聴会 37

38 紫外線受光素子の需要と課題高感度 UV 受光素子の需要が拡大オゾン層破壊による健康被害の増加 UV 発光素子と組み合わせた殺菌紙幣判別ガスコンロの燃焼制御 UV センサデバイスの現状 Si デバイス紫外線の感度が低いフィルタによるロス低感度低出力化合物半導体 (AlN AlGaN) ダイオード大面積暗電流の低減が課題 2008/2/4 博士論文公聴会 38

39 GaN/AlGaN/GaN ゲート構造 UV フォトトランジスタ Gate GaN AlGaN GaN UV 2DEG 構造 AlGaN/GaN HFET と同様ゲート下部に GaN キャップ層動作原理 GaN/AlGaN/GaN 界面に光励起されたホールを蓄積特徴しきい値電圧が変動しチャネル電荷が増加増幅効果高効率であるため小面積低ゲートリーク電流 2008/2/4 博士論文公聴会 39

40 デバイス構造とプロセス工程ウエハクリーニング素子間分離 ICP-RIE Cl 2 60nm オーミック電極部のリセスエッチング ICP-RIE SiCl nm オーミック電極形成熱処理 Ti/Al/Ti/Au N 2 800ºC 30s Drain 2DEG Active area:600µm 2 50µm 12µm Gate GaN Cap 16nm Source AlGaN x= nm i-gan 3µm ゲート電極形成 Ni/Au 金メッキ Buffer c-sapphire 2008/2/4 博士論文公聴会 40

41 I D -V D 特性 Drain Current(mA) V G =+0.5V to -2V step -0.5V Drain Voltage(V) V G =+0.5V V G =0V UV Dark V G =-0.5V 照射光 500W キセノンランプ 350nm 40µW/cm 2 ドレイン電流 (V G =0V V D =10V) 暗状態 :I Dmax =1.3µA UV 照射 :I Dmax =180µA 変換効率 A/W 2008/2/4 博士論文公聴会 41

42 分光感度特性 Drain Current(mA) GaN Device (600µm 2 ) V G =+1V V G =0V GaN Band Gap(3.4eV) Si Photo-diode (S1336-5BQ, 5.7mm 2 ) Wavelength(nm) Anode Current(mA) 受光面積 Si ダイオード :5.7mm 2 GaN デバイス :600µm 2 受光面積 :1/9500 出力電流 :357 倍 (V G =0V) 2008/2/4 博士論文公聴会 42

43 暗状態でのドレイン電流の変化 V G =+1V V D =10V interval of Sampling 1s Drain Current(mA) OFF τ OFF =10s ON Time(s) UV:350nm 蓄積したホールの排出が必要 2008/2/4 博士論文公聴会 43

44 UV センサ回路 UV ファンクションジェネレータ V G : パルス電圧 V high V low UV V high V DD =10V R L オシロスコープ V OUT 電圧変化量 GaNフォトトランジスタ UV V low 抵抗負荷のインバータ回路ゲートにパルス電圧を印加蓄積したホールの排出周波数によりホールの蓄積量を調節暗状態フォトトランジスタは常に OFF 出力電圧は V DD で一定 UV 照射時照射光量に応じてトランジスタ ON 出力電圧が変動 2008/2/4 博士論文公聴会 44

45 Voltage(V) 出力特性照射光 : ブラックライト ( 出力 :27W λ p =369nm FWHM=17nm) R L =100kΩ V DD =10V ホール蓄積 ( トランジスタ ON) V out (UV) 7.87V V out (Dark) V -10 in V -12 in :V high =0V, V low =-10V, f=300hz Time(ms) ホール排出 ( トランジスタ OFF) 2008/2/4 博士論文公聴会 45

46 まとめ GaN/AlGaN/GaN ゲート構造の UV フォトトランジスタの作製 GaN/AlGaN 界面に光励起されたホールが蓄積することで紫外光を検出する Si フォトダイオードに比べて高効率であり小面積でも大電流を得ることができるゲートにパルス電圧を印加することで蓄積したホールを排出抵抗負荷のインバータ回路を用いてリフレッシュ動作を確認 2008/2/4 博士論文公聴会 46

47 本研究の結論 AlGaN/GaN HFET は深い準位に起因する不安定現象が問題深い準位の応答によりエピタキシャル基板の特性が変動暗状態での熱処理を提案 AlGaN/GaN HFET しきい値電圧の光依存性深い準位による補償を行った高抵抗 GaN バッファ層で顕著に起きる AlGaN/GaN HFET しきい値電圧の温度依存性 GaN バッファ層中の深い準位の電子占有率が小さいと正方向になり得る光応答を利用した GaN/AlGaN/GaN ゲート構造の UV フォトトランジスタを提案新たなる GaN 電子デバイスの可能性を示した 2008/2/4 博士論文公聴会 47

48 今後の課題 GaN 電子デバイスの特性向上結晶中の深い準位の応答を制御する必要がある結晶性の改善深い準位をドープする箇所の最適化 AlGaN/GaN HFET V D =100V αδv SUB ΔV SUB =20V t AlGaN =25nm ΔV TH <0.1V x I >5µm 高耐圧ショットキーダイオード耐圧 1000V 10µm n=10 16 cm -3 GaN 電子デバイスを用いるアプリケーション GaN 電子デバイスの設計開発結晶成長技術 2008/2/4 博士論文公聴会 48

49 謝辞本研究を行うにあたりご指導ご助力を受け賜りました先生方および技術職員の皆様試料提供を頂きました株式会社パウデックおよび日亜化学工業株式会社の皆様有意義な議論を頂きました大野研究室の学生ならびに関係者の皆様に心より感謝申し上げます 2008/2/4 博士論文公聴会 49

50 2008/2/4 博士論文公聴会 50

窒化ガリウム系電子デバイスの現状携帯電話基地局ユーディナデバイス 180W 2.1GHz パワーデバイス Eudyna HP (http://www.eudyna.com/j/products/newproducts/gan_hemt.html) n-gan 基板縦型 pn ダイオード ( 住友電工 ) 耐圧 925V オン抵抗 6.3mΩcm 2 Y.Yoshizumi, et al.

51 窒化ガリウム系電子デバイスの現状携帯電話基地局ユーディナデバイス 180W 2.1GHz パワーデバイス Eudyna HP ( n-gan 基板縦型 pn ダイオード ( 住友電工 ) 耐圧 925V オン抵抗 6.3mΩcm 2 Y.Yoshizumi, et al., High-breakdown-voltage pn-junction diodes on GaN substrates, Proc. 13 th ICMOVPE, We-P. 69 (2006) 445. 縦型構造絶縁ゲート HFET( トヨタ自動車 ) M. Kanechika, et al., A Vertical Insulated Gate AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistor, Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L503. ミリ波デバイス AlGaN/GaN HFET( 情報通信機構 ) L G =30nm 最大遮断周波数 =181GHz M. Higashiwaki, et al., 30-nm-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor with a Current-Gain Cutoff Frequency of 181 GHz, Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L1111. さまざまな企業機関で研究開発が進められており一部は実用化されつつある 2008/2/4 博士論文公聴会 51

52 暗状態でのドレイン電流の時間変化 7x10-4 6x10-4 光 OFF ウエハ 2 sample2 光 ON Drain Current[A] 5x10-4 4x10-4 3x10-4 sample1 ウエハ1 2x10-4 V D =0.1V L=2µm V 1x10-4 G =-3V W=50µm TIME[min] 2008/2/4 博士論文公聴会 52

53 照射光波長依存性の測定系 500W キセノンランプ分光器光ファイバサンプル Agilent 4155C 暗幕付きウエハプローバ 2008/2/4 博士論文公聴会 53

54 しきい値電圧の温度依存性 Threshold Voltage(V) mV/deg Temperature(K) +3.44mV/deg 暗状態光照射時しきい値電圧の定義 300K I D = A のときのゲート電圧各温度においては移動度の低下を考慮して同じキャリア数になるときに換算暗状態光照射時ともに正方向の温度依存性 Si nmosfet では負方向 2008/2/4 博士論文公聴会 54

55 I D -V G 特性 (V D =10V) Drain Current(A) UV(350nm) Dark Gate Voltage(V) V D =10V しきい値電圧 (I D =10-8 A@average) 暗状態 :V TH =-0.41V UV 照射 :V TH =-1.04V V G <-1.2V 蓄積しているホールが排出 2008/2/4 博士論文公聴会 55

56 照射距離依存性 R L =100kΩ f=100hz V high =0V V low =-10V Voltage(V) V out V in Dark 30cm 20cm 10cm Time(ms) 照射量に伴い出力が飽和 2008/2/4 博士論文公聴会 56

AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景高絶縁破壊電界高周波高出力デバイス基地局などで実用化通信機器の発達スマートフォンタブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング低消費電力化電源電圧を信号に応じて変更

窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの 光応答とその応用に関する研究

窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究