Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface （低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構）
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- ゆあ おいもり
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1 4 th, Feb. 205 物理電子システム創造専攻修士論文発表会 A Study on Characteriztion of 2DHG and Surface Passivation of GaN/AlGaN/GaN Structure 角嶋 岩井研究室劉璞誠
2 省エネ社会に向けモータの省電力化 その他 4.7% IT 機器 4.7% 電熱 9.5% 2005 年国内総電力 9996 億 kwh 素子研究開発協会 動力 32.9% モータで 57.3% の電力を消費 照明 3.6% 冷蔵関連 24.4% モータ用の消費電力が高い 省電力化が必要 2
3 モータ駆動へのパワーデバイス 00~kV 電源 ( 現状 :Si-IGBT) モータ 負荷 横型 GaN パワーデバイス ワイドバンドギャップ i, n T, w 直流電圧電源横型 GaN パワーデバイス ワイドバンドギャップ ( 現状 :Si- レギュレータ ) 2V 5V 3.3V.5V ゲート駆動回路 パルス幅変調 効率 90% 程度で多段化 ( 複数の電圧生成 ) に不利 Si-LSI フィードバック回路 デジタル信号処理エラー検出 集積によりワンチップ化が可能 高効率 小型化の CMOS ドライバー 3
4 主な半導体材料の性質 Si 4H- SiC GaN バンドギャップ [ev] 絶縁破壊電界 [MV/cm] 電子飽和速度 [0 7 cm/s] 電子移動度 [cm 2 /Vs] (HEMT) 正孔移動度 [cm 2 /Vs] ~75 熱伝導率 [W/cmK] HFET: Heterojunction Field-Effect Transistor ( ヘテロ接合電界効果トランジスタ ) 2DEG S G barrier channel substrate D 絶縁破壊電界の高い窒化ガリウムが適している n 型素子がすでに実用化 p 型素子の実用化が実現できれば CMOS 回路が作製できる 4
5 I D (ma/mm) I D (ma/mm) GaN CMOS の実現方法 Pch Isolation Nch 0 50 G P S p p-gan I d via 2DHG AlGaN D p S N HR-GaN Sapphire sub. G N p-gan 2DHG AlGaN 2DEG D N V GS :0~5V, 0.5V/step V DS (V) V GS :-5~0V, 0.5V/step V DS (V) A. Nakajima, ISPSD, (204) 2 次元正孔ガスを利用 GaN CMOS を作製 2 次元正孔ガスの性質を知ることが必要 最終的に全面保護膜をつける予定 Passivation の性質を知ることが必要 5
6 研究目的 分極接合を用いる GaN CMOS の実現可能性を探究.2DHG を用いる AlGaN/GaN 素子の測定 2. モンテカルロ法を用いて 2DHG の検討 3.GaN/SiO 2 MOS の作製と測定 6
7 .2DHG を用いる AlGaN/GaN 素子の測定.2DHG を用いる AlGaN/GaN 素子の測定 2. モンテカルロ法を用いて 2DHG の検討 3.GaN/SiO 2 MOS の作製と測定 7
8 GaN の分極接合に存在する 2 次元ホールガス 分極接合を用いた場合 Mg doped p-gan Undoped GaN Undoped AlGaN Undoped GaN Sapphire Fixed negative charge [000] 2DHG E V + Fixed positive charge E F E c 2DEG (A. Koudymov, Device Research Conference, th DRC. Conference Digest) Hole Electron 2DHG 濃度が AlGaN 膜厚と Al 組成率に依存 :n S = Q P Nakajima, Akira, et al. Applied physics express3.2 (200): Al Mustafa, N., et al. Journal of Applied Physics.4 (202): 分極を利用し界面に 2 次元正孔ガスを発生させる ドーピング用いず 高濃度 高移動度を得ることが期待される E cap G q q 2 ε AlGaN t AlGaN Q P : 分極強度 E cap G : 界面ポテンシャル 8
9 Concentration(atoms/cc) Intensity (counts) counts/sec 2DHG の特性評価に用いた分極接合基板 キャリア濃度が 0 3 cm -2 になるように膜厚などを設計 30nm 0nm 49nm.5mm Mg doped p-gan Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Undoped GaN 2DHG 2DEG [000] TEM 画像にて測長 GaN:40 nm AlGaN:49 nm GaN(.5 mm: 左図で測長 ) Sapphire 200nm 75,000 40nm 520, Mg Al CsN CsCa Depth(nm) 00k 0k k 00 0 GaN(0004) Simulation Experimental AlGaN(0004) w/2q 設計通りに作製されたことを確認 9
10 温度変化させるホール測定 ホール測定上必要な電極をつけるステンシル マスクを用いる電極の材料 :Ni/Au/Ti 30nm 0nm 49nm.5mm Mg doped p-gan Undoped AlGaN Undoped GaN Sapphire 2DHG 2DEG [000] プロセス Acetone cleaning HF Metal deposition Ni/Au=20nm/20nm o C Metal deposition Ti/Au=20/00nm 5mm van der Pauw 法よりホール測定 V B a b シートキャリア密度 移動度 d I n s = IB qv μ m = R s qn s 80K~450K において測定 0
11 Mobility (cm 2 /Vs) Sheet carrier density(cm -2 ) ホール測定から抽出したキャリア濃度と移動度 30nm 0nm 49nm.5mm Mg doped p-gan Undoped AlGaN Undoped GaN Sapphire 2DHG 2DEG [000] /Temperature(K - ) 0 2 常温 (300K) において キャリア密度 =0 3 cm -3 移動度 =cm 2 /Vs Temperature(K)
12 Mobility(cm 2 /Vs) 抽出した移動度と散乱要因の推定 正孔の有効質量 m*=0.24m 0 Santic, B. Semiconductor science and technology 8.4 (2003): 29. 変形ポテンシャル (Deformation Potential) ピエゾ分極 (Piezoelectric) 極性光学フォノン (Polar Optical) による移動度は計算で求めた 界面ラフネス (IFR = Interface Roughness) はフィッテングで求めた 室温 (300K) における移動度は cm 2 /Vs IFR Polar Optical Deformation Potential Experimental Total Piezoelectric Temperature(K) ) Zanato, D., et al. Semiconductor science and technology 9.3 (2004): ) Gelmont, et al. Journal of applied physics 77.2 (995): ) Ridley, B. K et al. Physical Review B 6.24 (2000): ) 3) ) 試算より変形ポテンシャルによる散乱が支配的 ) n 型では極性光学フォノンによる散乱が支配的 2
13 移動度とキャリア濃度の関係 = 3m E 2 d k B Tb τ DP 6ρv 2 s ħ 3 0 b = 33m e 2 N s2d 8ħ 2 ε 0 ε s μ w 2k F 2πk 3 q + q TF F q 2 q 2k F m e 2 3 q TF = 2πε 0 ε s ħ 3 3 F q = k F μ P 2DHG /3 Ezawa,, Kawaji, &Nakamura. Surface Science 27. (97): w P 2DHG /3 Stern, F., & Howard, W. E. (967). Physical Review, 63(3), 86. b 3 b + q 3 2 dq Ridley, B. K., Physical Review B 6.24 (2000): Zanato, D., et al. Semiconductor science and technology 9.3 (2004): 427. Ridley, B. K et al. Physical Review B 6.24 (2000): Phonon velocity: v s = ms Density of the crystal: ρ = kgm 3 Deformation potential: E d = 8.3 ev Carrier wave vector: k F = m キャリア濃度が薄くなるにつれ量子井戸 (w) が広くなり 移動度が上がる AlGaN 膜厚やAl 比率を調整することにより キャリア濃度と移動度を変えられる 3
14 2. モンテカルロ法を用いて 2DHG の検討.2DHG を用いる AlGaN/GaN 素子の測定 2. モンテカルロ法を用いて 2DHG の検討 3.GaN/SiO 2 MOS の作製と測定 4
15 モンテカルロ法 モンテカルロ法 : 乱数を用いて多数試行することにより, 統計的に近似解を得る方法 モンテカルロ法 : 単粒子を扱うことが可能 Drift-diffusion 法 Hydrodynamic 法 : 全体の粒子を流体として扱う 移動度シミュレーション : モンテカルロ法が便利 5
16 モンテカルロ計算のプロセス Start Deformation potential のみ考慮 n = n + YES τ= 自由時間を確定 ドリフト過程 散乱過程 n < nmax End NO ドリフト過程前後のエネルギーの増分を用いて移動度を導出 v T = N eft j= E f E i E f : 自由時間の終わりのエネルギー E i : 自由時間の始まりのエネルギー N: 自由時間を経験した回数移動度 :μ = v T /F 6
17 Mobility(cm 2 /Vs) 変形ポテンシャルについてのモンテカルロ計算 正孔の有効質量 m*=0.24m 0 n max = 0 8 F = V/m 初期エネルギー E = 0.eV 初期速度の方向は + x 方向 (E x = 0.eV, E y = 0) Deformation potential Experimental Monte Carlo Temperature(K) 実験値に近い値が得られた 7
18 3:GaN/SiO2 MOS の作製と測定.2DHG を用いる AlGaN/GaN 素子の測定 2. モンテカルロ法を用いて 2DHG の検討 3.GaN/SiO 2 MOS の作製と測定 8
19 SPM による GaN 表面の影響 0000 nm 0000 nm 80 o C 5 min HF 2 min 無処理 5 回 5 回 AFM 30 回 40 回 50 回 60 回 SPM 処理で六角形の Dislocation が大きくなる SPM が GaN 表面に悪影響を与える 9
20 GaN/SiO 2 MOS の作製 n-gan(5 0 8 cm -3 ) 20% HF cleaning SiO 2 00nm by EB Liftoff Silicon wet etching Sputtering :Ti/Al/Mo/TiN Acetone RTA: min N o C Ti/Al/Mo/TiN Al Aluminum deposition 00nm Aluminum wet etching RTA: 30 min o C n-gan (500mm) sapphire SiO 2 (00nm) 20
21 G p /w(mf/cm2) Capacitance(nF/cm 2 ) GaN/SiO 2 MOS 特性の測定 kHz 0kHz 50kHz 00kHz 強いヒステリシストラップの影響? Voltage(V).2 V g =-4.9V 0.9 D it = 2.5 q G p ω max Frequency(Hz) Schroder, Dieter K. Semiconductor material and device characterization. John Wiley & Sons, D it = cm 2 2
22 まとめ 2 次元ホールガスのホール測定により 分極接合で形成した2 次元ホールガスの移動度は数 0 cm 2 /Vs 程度 分極接合における2 次元正孔ガスでは 変形ポテンシャルによる散乱が支配的と推定モンテカルロ解析により シミュレーションで実験値を再現できた GaN/SiO 2 MOSの測定により 0 3 cm -2 と高い密度のトラップが存在している 将来に向け passivation の改善が必要 分極接合を用いる GaN CMOS の実現可能性を探求 22
23 23
24 バックアップ ここからはバックアップです 24
25 変形ポテンシャル (Deformation potential) とは?. 変形ポテンシャルとは : 音響型格子振動により 格子が変形すると 変化するポテンシャルのこと E d = Ξ divu E d : エネルギー Ξ: 変形ポテンシャル divu: 体積変化率 ( ΔV u x + u y + u z = divu) V x y z 2. 変形ポテンシャル散乱 : 音響型格子振動に伴う力学的な歪みによる散乱 IV 族単体半導体 (Siなど) で言う音響フォノン散乱は変形ポテンシャル散乱である 25
26 GaN CMOS で Monolithic IC の実現 パワー素子ドライバーロジック ( 現状 ) ディスクリート Si IGBT Si DMOS + Si CMOS Si CMOS Hybrid IC GaN HEMT Si DMOS + Si CMOS Si CMOS Monolithic IC GaN HEMT GaN CMOS Si CMOS 26
27 counts/sec 研究方法 :XRD による AlGaN 組成比確認 00k 0k k 00 0 GaN(0004) Simulation Experimental AlGaN(0004) w/2q AlGaN Al:23% Ga:77% 27
28 Sheet carrier density(cm -2 ) 実験結果 : シートキャリア密度の温度依存性 (a) (a) から Mg doped p-gan によるキャリアを分離 (b) (a) 30nm 0nm 47nm.5mm Mg doped p-gan Negative polarization Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Positive polarization Undoped GaN Sapphire [000] 2DHG 2DEG 分極接合 High 000/Temperature(K - ) Low Mg doped p-gan によるキャリアを分離 2 次元正孔ガスだけのキャリア密度を抽出 分極による 2 次元正孔ガスのキャリア密度は温度に依存しない 低温 (80K) においてもバンド伝導 (b) 500nm.5mm Mg doped p-gan Undoped GaN Sapphire 不純物ドーピング 28 [000]
29 Mobility (cm 2 /Vs) Mobility (cm 2 /Vs) 実験結果 : 移動度の温度依存性 0 2 (a) 0 (b) (a) 30nm 0nm 47nm.5mm Mg doped p-gan Negative polarization Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Positive polarization Undoped GaN [000] 2DHG 2DEG Temperature(K) (b) Sapphire 分極接合 0 (b) 2 次元正孔ガスの移動度 500nm Mg doped p-gan 不純物ドーピング 分極接合における伝導機構 バンド伝導.5mm Undoped GaN [000] Temperature(K) Sapphire 29
30 Sheet carrier density(cm -2 ) Carrier density(cm -2 ) 伝導機構の議論 : 活性化エネルギーの抽出 (a) (b) E A =20meV (a) 000/Temperature(K - ) (b) /Temperature(K - ) 30nm 0nm 47nm.5mm Mg doped p-gan Negative polarization Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Positive polarization Undoped GaN [000] 2DHG 2DEG 500nm.5mm Mg doped p-gan Undoped GaN [000] 高温におけるフィッティング バンド伝導での粒子濃度関係 : p p + N D N A N D p = N V g exp E A kt Sapphire 分極接合 Sapphire 不純物ドーピング 30
31 Sheet carrier density(cm -2 ) 伝導機構の議論 : 不純物ドーピング構造の低温領域 30nm 0nm 47nm.5mm (a) (b) (a) Mg doped p-gan Negative polarization Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Positive polarization Undoped GaN Sapphire 分極接合 000/Temperature(K - ) [000] 2DHG 2DEG 500nm.5mm (b) Mg doped p-gan Undoped GaN Sapphire 不純物ドーピング [000] ホッピング伝導 Nearest Neighbor Hopping キャリアは不純物準位間をトンネルにより輸送される W H μ H = qr H 2 P 伝導帯 0.37 ev 0.58 ev 6kT exp 2αR H ν ph exp W H kt B 波動関数の重なりホッピングする確率 ホッピング伝導或いはホッピング伝導に近い伝導方式が存在と予想 価電子帯 5.47 ev 3
32 Mobility (cm 2 /Vs) 伝導機構の議論 : 移動度の分析 ~ ホッピング伝導 Nearest Neighbor Hopping (NNH) のモデル 30nm 0nm 47nm.5mm m H 6 qr kt 2 H exp H 2 R n exp 0 3 ホッピング (a) (NNH) 0 2 (b) 0 H 波動関数の重なり : ドナー準位の空間的な拡がり R H : ドナー間の距離 n ph : フォノン散乱確率 (a) Mg doped p-gan Negative polarization Undoped Al 0.23 Ga 0.77 N Positive polarization Undoped GaN [000] 2DHG 2DEG 500nm.5mm (b) Mg doped p-gan Undoped GaN [000] ph W kt エネルギーが W H 高い準位にホッピングする確率 Sapphire 分極接合 Sapphire 不純物ドーピング Temperature(K) 32
33 Sheet Hole Density (cm -2 ) Mobility(cm 2 /Vs) 実験結果 : キャリア濃度 移動度と AlGaN 膜厚の関係 Sheet Hole Density P S (cm -2 ) キャリア濃度は AlGaN 膜厚と正相関と予測 Al Mustafa, N., et al. Journal of Applied Physics.4 (202): p-gan (a) t bar p-gan ud-gan ud-algan ud-gan ud-algan ud-gan GaN A d (t bar = nm) AlGaN =48 dg (t bar = 20 nm) AlGaN =20 nm d AlGaN d F (t bar = 0 nm) AlGaN =0 nm Temperature Temperature T (K) (K) キャリア濃度が薄くなるにつれ量子井戸 (w) が広くなり 移動度が上がる μ w Ezawa,, Kawaji, &Nakamura. Surface Science 27. (97): w P 2DHG /3 T=300K Sheet Hole Density (cm -2 ) Stern, F., & Howard, W. E. (967). Physical Review, 63(3), 86. AlGaN 膜厚を制御することで移動度濃度の調整ができる 33
34 モンテカルロフローチャート 前処理 自由飛行処理 界面処理 メッシュ境界 ヘテロ界面 電極面通過 ミラー反射 Dt=0.5fs ごと計 5ps 2D,3D 判定散乱処理電位 電場の計算波動関数の計算平均操作 境界エネルギーを用い判定 一様乱数 g g<dt/t i 散乱起こす シュレーディンガーとポアソン方程式を連成させて両方収束まで複数回計算 終了時間にて終了 34
35 計算式 : 変形ポテンシャルによる緩和時間 変形ポテンシャル (DP=Deformation-potential) = 3m E 2 d k B Tb τ DP 6ρv 2 s ħ 3 0 2k F Ridley, B. K., B. E. Foutz, and L. F. Eastman. "Mobility of electrons in bulk GaN and Al x Ga -x N/GaN heterostructures." Physical Review B 6.24 (2000): πk 3 q + q TF F q 2 q 2k F 2 dq b = q TF = 33m e 2 N s2d 8ħ 2 ε 0 ε s m e 2 2πε 0 ε s ħ 3 k F 3 3 Fang-Howard expression of wave functions for Hartree approximation of a triangular well Fang, F. F., and W. E. Howard. "Negative field-effect mobility on (00) Si surfaces." Physical Review Letters 6.8 (966): Thomas-Fermi wave vector F q = b 3 b + q 3 35
36 計算式 : ピエゾ分極による緩和時間 ピエゾ分極 (PE=Piezoelectric) Zanato, D., et al. "The effect of interface-roughness and dislocation scattering on low temperature mobility of 2D electron gas in GaN/AlGaN." Semiconductor science and technology 9.3 (2004): 427. = e2 K 2 m 2k k B T F F q q 3 τ PE 4πε 0 ε s ħ 3 3 k F 0 q + q TF F q 2 q 2k F 2 dq b = q TF = 33m e 2 N s2d 8ħ 2 ε 0 ε s m e 2 2πε 0 ε s ħ 3 k F 3 3 Fang-Howard expression of wave functions for Hartree approximation of a triangular well Fang, F. F., and W. E. Howard. "Negative field-effect mobility on (00) Si surfaces." Physical Review Letters 6.8 (966): Thomas-Fermi wave vector F q = b 3 b + q 3 36
37 計算式 : 光学フォノンによる緩和時間 光学フォノン (PO=Polar optical) = e2 ω PO m N B T G(k 0 ) τ PO 2ε k 0 ħ 2 P(y) ε = ε 0 / b = q TF = k 0 = 2m (ħω PO)/ħ 2 ε ε s y = πħ 2 N s2d /m k B T 33m e 2 N s2d 8ħ 2 ε 0 ε s m e 2 2πε 0 ε s ħ 3 k F 3 3 Gelmont, B. L., M. Shur, and M. Stroscio. "Polar optical phonon scattering in three and two dimensional electron gases." Journal of applied physics 77.2 (995): Fang-Howard expression of wave functions for Hartree approximation of a triangular well Fang, F. F., and W. E. Howard. "Negative field-effect mobility on (00) Si surfaces." Physical Review Letters 6.8 (966): Thomas-Fermi wave vector Polar optical phonon wavevector Dimensionless variable F q = b 3 b + q 3 N B T = exp ħω PO k B T Bose-Einstein distribution function G k 0 = b 8b2 + 9k 0 b + 3k k 0 + b 3 37
38 Current(A) Current(A) HCl Voltage(V) 0 HCl In this experiment, a hydrochloric acid solution (volume ratio HCl:H 2 O=:) is used. It is mixed of 30cc HCl and 30cc ultra-pure water. The HCl liquid has not so strong oxidizing properties, but pollutants like oxide will dissolve in hydrochloric acid. The sample is placed in it for 60 seconds at room temperature. Then the sample is rinsed in the ultra-pure water for minute HF HF Hydrogen fluoride solution (40%) is used in this experiment. It is made of 0cc HF (50%) and 5cc ultra-pure water. It is also used for dissolving the pollutants like oxide at the surface. The sample is placed in it for 60 seconds at room temperature. Then the sample is rinsed in the ultra-pure water for minute Voltage(V) 0 38
39 Current(A) SPM Voltage(V) 0 SPM( 硫酸と過酸化水素水の混合溶液 ) SPM is abbreviation for Sulfuric acid-hydrogen Peroxide Mixture. This liquid is made of 5cc ultra-pure water, 5cc hydrogen peroxide and 45cc sulfuric acid. It has strong oxidizing properties and it is used for cleaning the pollutant of metal particles and organics at the surface. We place the sample in the SPM and use a hot plate to heat it. The temperature of the hot plate is set as 250 o C, and the temperature of the SPM liquid should to heated to 60~80 o C. The heating continues in 0 minutes. Then the sample is rinsed in the ultra-pure water for minute after cooling to room temperature. 39
40 = 3m E 2 d k B Tb τ DP 6ρv 2 s ħ 3 0 b = 33m e 2 N s2d 8ħ 2 ε 0 ε s 2k F 2πk 3 q + q TF F q 2 q 2k F 3 = e2 K 2 m 2k k B T F F q q 3 τ PE 4πε 0 ε s ħ 3 3 k F 0 q + q TF F q 2 q 2k F k F = q TF = F q = 2πN s2d m e 2 2πε 0 ε s ħ 3 k F 3 b 3 b + q 3 2 dq 2 = e2 ω PO m N B T G(k 0 ) τ PO 2ε k 0 ħ 2 P(y) ε = ε 0 / dq ε ε s k 0 = 2m (ħω PO )/ħ 2 N B T = exp ħω PO k B T P y = + e y y y = πħ 2 N s2d /m k B T G k 0 = b 8b2 + 9k 0 b + 3k k 0 + b 3 40
41 Mobility(cm 2 /Vs) IFR Polar Optical Piezoelectric 0 2 Deformation Potential 0 TEM 画像にて測長 Experimental Total Temperature(K) GaN:40 nm AlGaN:49 nm GaN(.5 mm: 左図で測長 ) 200nm 75,000 40nm 520,000 4
42 Logic Red:P-ch Blue:N-ch V GCC <0V V IN = V V OUT S P S HV S N 42
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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
電子回路I_4.ppt
電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス
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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開
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第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則
untitled
/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor
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Drain Voltage (mv) 4 2 0-2 -4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Gate Voltage (V) Vds [V] 0.2 0.1 0.0-0.1-0.2-10 -8-6 -4-2 0 Vgs [V] 10 1000 1000 1000 1000 (LSI) Fe Catalyst Fe Catalyst Carbon nanotube 1~2 nm
物性物理学I_2.pptx
The University of Tokyo, Komaba Graduate School of Arts and Sciences I 凝縮系 固体 をデザインする 銅()面上の鉄原子の 量子珊瑚礁 IBM Almaden 許可を得て掲載 www.almaden.ibm.com/vis/stm/imagesstm5.jpg&imgrefurl=http://www.almaden.ibm.com/vis/
予定 （川口担当分）
予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
devicemondai
c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx
. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
( ) : 1997
( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................
MOSFET HiSIM HiSIM2 1
MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution
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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター
<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>
光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する
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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 小川 電気電子工学科 真人 10/06/'10 半導体電子工学 II 1 他講義との関連 ( 積み重ねが大事 積み残すと後が大変 ) 2008 2009 2010 2011 10/06/'10 半導体電子工学 II 2 量子物理工学 Ⅰ 10/06/'10 半導体電子工学 II 3 IC の素子を小さくする利点 このくらいのだったらなぁ 素子の微細化が必要 (C)
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半導体電子工学 II 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/01/1 10 月 13 日 接合ダイオード (1) 3 10 月 0 日 4 10 月 7 日 5 11 月 10 日 接合ダイオード () 接合ダイオード (3) 接合ダイオード (4) MOS 構造 (1) 6 11 月 17 日 MOS 構造 () 7 11
事務連絡
二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 平成 21 年度採択研究代表者 H23 年度 実績報告 橋詰保 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 研究課題 異種接合 GaN 横型トランジスタのインバータ展開 1. 研究実施体制 (1) 北大 グループ 1 研究代表者 : 橋詰保 ( 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 ) 2 研究項目 ドライエッチ面を含む Al 2
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル
<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>
量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
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2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大
Acrobat Distiller, Job 2
2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX
Microsoft Word - 11問題表紙（選択）.docx
A B A.70g/cm 3 B.74g/cm 3 B C 70at% %A C B at% 80at% %B 350 C γ δ y=00 x-y ρ l S ρ C p k C p ρ C p T ρ l t l S S ξ S t = ( k T ) ξ ( ) S = ( k T) ( ) t y ξ S ξ / t S v T T / t = v T / y 00 x v S dy dx
Microsoft Word - note02.doc
年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm
C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B
I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld
SiC 高チャネル移動度トランジスタ
エレクトロニクス SiC 高チャネル移動度トランジスタ 日吉透 * 増田健良 和田圭司 原田真 築野孝 並川靖生 SiC MOSFET with High Channel Mobility by Toru Hiyoshi, Takeyoshi Masuda, Keiji Wada, Shin Harada, Takashi Tsuno and Yasuo Namikawa SiC (silicon
スライド 1
2015 年 2 月 17 日 ( 火 ) 学士卒業論文発表会 TiC 及び TiSi 2 電極と SiC ショットキーダイオードの電気特性評価 (Electrical Characteristics of SiC Schottky Diodes with TiC and TiSi 2 Electrodes) Iwai and Kakushima Laboratory Tomoyuki Suzuki
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時間に依存するポテンシャルによる 量子状態の変化 龍谷大学理工学部数理情報学科 T966 二正寺章指導教員飯田晋司 目次 はじめに 次元のシュレーディンガー方程式 3 井戸型ポテンシャルの固有エネルギーと固有関数 4 4 中央に障壁のある井戸型ポテンシャルの固有エネルギーと固有関数 3 5 障壁が時間によって変化する場合 7 6 まとめ 5 一次元のシュレディンガー方程式量子力学の基本方程式 ψ (
E 1/2 3/ () +3/2 +3/ () +1/2 +1/ / E [1] B (3.2) F E 4.1 y x E = (E x,, ) j y 4.1 E int = (, E y, ) j y = (Hall ef
![E 1/2 3/ () +3/2 +3/ () +1/2 +1/ / E [1] B (3.2) F E 4.1 y x E = (E x,, ) j y 4.1 E int = (, E y, ) j y = (Hall ef](/thumbs/81/83176619.jpg "E 1/2 3/ () +3/2 +3/ () +1/2 +1/ / E [1] B (3.2) F E 4.1 y x E = (E x,, ) j y 4.1 E int = (, E y, ) j y = (Hall ef")
4 213 5 8 4.1.1 () f A exp( E/k B ) f E = A [ k B exp E ] = f k B k B = f (2 E /3n). 1 k B /2 σ = e 2 τ(e)d(e) 2E 3nf 3m 2 E de = ne2 τ E m (4.1) E E τ E = τe E = / τ(e)e 3/2 f de E 3/2 f de (4.2) f (3.2)
スライド 1
2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里
< F91E F1835C D835E815B8CA48B8689EF5F8FE396EC2E786477>
2011 年 5 月 20 日 第 4 回ソフトマター研究会 産業利用における GISAXS の活用 東レリサーチセンター構造化学研究部構造化学第 2 研究室岡田一幸 1. 小角 X 線散乱 ( 反射測定 ) 薄膜中のポア (Low-k 膜 ) 2.GISAXS による粒子サイズ評価 薄膜に析出した結晶 (High-k 膜 ) 3. ポリマーの秩序構造の評価 ブロックコポリマーの自己組織化過程 4.
fma20.PDF
PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt
MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト
( ) ,
II 2007 4 0. 0 1 0 2 ( ) 0 3 1 2 3 4, - 5 6 7 1 1 1 1 1) 2) 3) 4) ( ) () H 2.79 10 10 He 2.72 10 9 C 1.01 10 7 N 3.13 10 6 O 2.38 10 7 Ne 3.44 10 6 Mg 1.076 10 6 Si 1 10 6 S 5.15 10 5 Ar 1.01 10 5 Fe 9.00
Microsoft Word - 章末問題
1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =
<4D F736F F F696E74202D208FE393635F928289BB95A894BC93B191CC8CA48B8689EF5F47614E F815B835E5F88F38DFC97702E707074>
21 年 6 月 24 日第 8 回窒化物半導体応用研究会 GaN 系電子デバイスの現状とその可能性 GaN パワーデバイスのインバータ応用 パナソニック株式会社 セミコンダクター社半導体デバイス研究センター 上田哲三 講演内容 GaNインバータによる省エネルギー化 GaNパワーデバイス技術 低コストSi 基板上 GaN 結晶成長 ノーマリオフ化 : Gate Injection Transistor
Slide 1
SPring-8 利用推進協議会第 4 回次世代先端デバイス研究会 / 第 13 回 SPring-8 先端利用技術ワークショップ 2017.3.21 AP 品川京急第 2 ビル 先進パワーデバイスにおける 新規ゲート絶縁膜開発と 放射光利用 MOS 界面評価事例 大阪大学大学院工学研究科 渡部平司 転載不可 大阪大学大学院工学研究科渡部研究室 1/60 概要 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006
Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
17 年 1 月 16 日 月 1 限 8:5~1:15 IB15 第 回半導体工学 * バンド構造と遷移確率 天野浩 項目 1 章量子論入門 何故 Si は光らず GN は良く光るのか? *MOSFET ゲート SiO / チャネル Si 界面の量子輸送過程 MOSFET には どのようなゲート材料が必要なのか? http://www.iue.tuwien.c.t/ph/vsicek/noe3.html
1 9 v.0.1 c (2016/10/07) Minoru Suzuki T µ 1 (7.108) f(e ) = 1 e β(e µ) 1 E 1 f(e ) (Bose-Einstein distribution function) *1 (8.1) (9.1)
1 9 v..1 c (216/1/7) Minoru Suzuki 1 1 9.1 9.1.1 T µ 1 (7.18) f(e ) = 1 e β(e µ) 1 E 1 f(e ) (Bose-Einstein distribution function) *1 (8.1) (9.1) E E µ = E f(e ) E µ (9.1) µ (9.2) µ 1 e β(e µ) 1 f(e )
森羅万象2018のコピー
PD Stellar Irradiation Mineral Atmosphere Na, K, SiO, O 2, O gas (MgO, Al, AlO, FeO etc ) https://www.nasa.gov/topics/universe/features/rocky_planet.html / (2018.5.9) Magma Ocean Ito et al. (2015) (HRE)
Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt
集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量
弱反転領域の電荷
平成 6 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 微細化による特性への影響 松田順一 本資料は 以下の本をベースに作られている Yanni ivii, Operaion an Moeing of he MOS ranior Secon Eiion,McGraw-Hi, New York, 999. 概要 チャネル長変調 短チャネルデバイス 短チャネル効果 電荷配分 ドレイン ~ ソース電圧の効果
Donald Carl J. Choi, β ( )
:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi2, and Ni3P electrodes
Electrical contact characteristics of n-type diamond with Ti, Ni, NiSi 2, and Ni 3 P electrodes 杉井 岩井研究室 12M36240 武正敦 1 注目を集めるワイドギャップ半導体 パワーエレクトロニクス ( 半導体の電力変換分野への応用 ) に期待 ワイドギャップ半導体に注目 Properties (relative
PowerPoint プレゼンテーション
加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
PowerPoint プレゼンテーション
半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域
CdTe γ 02cb059e :
CdTe γ 02cb059e : 2006 5 2 i 1 1 1.1............................................ 1 1.2............................................. 2 1.3............................................. 2 2 3 2.1....................................
untitled
D nucleation 3 3D nucleation Glucose isomerase 10 V / nm s -1 5 0 0 5 10 C - C e / mg ml -1 kinetics µ R K kt kinetics kinetics kinetics r β π µ π r a r s + a s : β: µ πβ µ β s c s c a a r, & exp exp
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................
磁気測定によるオーステンパ ダクタイル鋳鉄の残留オーステナイト定量
33 Non-destructive Measurement of Retained Austenite Content in Austempered Ductile Iron Yoshio Kato, Sen-ichi Yamada, Takayuki Kato, Takeshi Uno Austempered Ductile Iron (ADI) 100kg/mm 2 10 ADI 10 X ADI
F 1 2 dc dz ( V V V sin t 2 S DC AC ) 1 2 dc dc 1 dc {( VS VDC ) VAC} ( VS VDC ) VAC sin t VAC cos 2 t (3.2.2) 2 dz 2 dz 4 dz 静電気力には (3.2.2) 式の右
3-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡による仕事関数の定量測定 3-2-1 KFM の測定原理ケルビンプローブフォース顕微鏡 (Kelvin Force Microscopy: KFM) は ケルビン法という測定技術を AFM に応用した計測手法で 静電気力によるプローブ振動の計測を利用して プローブとサンプルの仕事関数差を測定するプローブ顕微鏡の手法である 仕事関数というのは 金属の表面から電子を無限遠まで取り出すのに必要なエネルギーであり
卒業研究報告 題 目 Hamiltonian 指導教員 山本哲也教授 報告者 汐月康則 平成 14 年 2 月 5 日 1
卒業研究報告 題 目 Hamiltonian 指導教員 山本哲也教授 報告者 汐月康則 平成 4 年 月 5 日 .....4.....4......6.. 6.. 6....4. 8.5. 9.6....7... 3..... 3.... 3.... 3.3...4 3.4...5 3.5...5 3.5....6 3.5.... 3.5...... 3.5...... 3 3.5.3..4 3.5.4..5
Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証
Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ
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. 化学反応と溶液 - 遷移状態理論と溶液論 -.. 遷移状態理論 と溶液論 7 年 5 月 5 日 衝突論と遷移状態理論の比較 + 生成物 原子どうしの反応 活性錯体 ( 遷移状態 ) は 3つの並進 つの回転の自由度をもつ (1つの振動モードは分解に相当 ) 3/ [ ( m m) T] 8 IT q q π + π tansqot 3 h h との並進分配関数 [ πmt] 3/ [ ] 3/
研究成果報告書
① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層
kawa (Spin-Orbit Tomography: Kawahara and Fujii 21,Kawahara and Fujii 211,Fujii & Kawahara submitted) 2 van Cittert-Zernike Appendix A V 2
Hanbury-Brown Twiss (ver. 1.) 24 2 1 1 1 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 3 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 4 3.1............................................
研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生
報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は
1 2 2 (Dielecrics) Maxwell ( ) D H
2003.02.13 1 2 2 (Dielecrics) 4 2.1... 4 2.2... 5 2.3... 6 2.4... 6 3 Maxwell ( ) 9 3.1... 9 3.2 D H... 11 3.3... 13 4 14 4.1... 14 4.2... 14 4.3... 17 4.4... 19 5 22 6 THz 24 6.1... 24 6.2... 25 7 26
電子回路I_8.ppt
電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi
Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity
perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface
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207 年 2 月 8 日 ( 月 ) 限 8:45~0:5 I05 第 回半導体工学天野浩項目 8 章半導体の光学的性質 /24 光る半導体 ( 直接遷移型 ) と光らない半導体 ( 間接遷移型 ) * 原理的に良く光る半導体 :GaAs GaN IP ZSe など * 原理的に殆ど光らない半導体 ( 不純物を入れると少し光る ):Si Ge GaP SiCなど結晶構造とバンド構造 E E 伝導帯
64 3 g=9.85 m/s 2 g=9.791 m/s 2 36, km ( ) 1 () 2 () m/s : : a) b) kg/m kg/m k
63 3 Section 3.1 g 3.1 3.1: : 64 3 g=9.85 m/s 2 g=9.791 m/s 2 36, km ( ) 1 () 2 () 3 9.8 m/s 2 3.2 3.2: : a) b) 5 15 4 1 1. 1 3 14. 1 3 kg/m 3 2 3.3 1 3 5.8 1 3 kg/m 3 3 2.65 1 3 kg/m 3 4 6 m 3.1. 65 5
1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ
rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD
Introduction to Microfabrication
2005 Introduction to Microfabrication 1 1.1 Microfabrication disciplines Microfabrication technologies IC industry and related industries MEMS, solar cells, flat-panel displays, optelectronics In-plane
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4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (
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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった
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集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学
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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性
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別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
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phonon U r U = nαi U ( r nαi + u nαi ) = U ( r nαi ) + () nαi,β j := nαi β j U r nαi r β j > U r nαi r u nαiuβ j + β j β j u β j n α i () nαi,β juβj 調和振動子近似の復習 極 小 値近傍で Tylor展開すると U ( x) = U ( x ) + (
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r 2 e = (e 2 mc 2 ) 2 で表される為
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments.. Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r e = (e mc ) で表される為 質量に大きく依存する Ex) 電子の次に質量の小さいミューオンの制動放射によるエネルギー損失 m e 0.5 MeV, m
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A Precise Calculation Method of the Gradient Operator in Numerical Computation with the MPS Tsunakiyo IRIBE and Eizo NAKAZA A highly precise numerical calculation method of the gradient as a differential
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.0) van Cittert - Zernike mutual coherence
Hanbury-Brown Twiss (ver. 2.) 25 4 4 1 2 2 2 2.1 van Cittert - Zernike..................................... 2 2.2 mutual coherence................................. 4 3 Hanbury-Brown Twiss ( ) 5 3.1............................................
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( 第 3 回 ) 鹿間信介摂南大学工学部電気電子工学科 4.3 オームの法則 4.4 金属の電気抵抗 4.5 ジュール熱 演習 4.3 オームの法則 E 電池 電圧 V 抵抗 電流 I 可変抵抗 抵抗両端の電圧 V [V] と電流 I [A] には比例関係がある V =I (: 電気抵抗 ; 比例定数 ) 大 電流が流れにくい 抵抗の単位 : オーム [Ω] 1[Ω]=1[V/A] 1V の電圧を加えたときに
スライド 1
High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho
1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)